MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

二、NMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路

注：

Q5：一個(gè)NMOS管。

R25/100R 的作用：防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓，保護(hù)NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會(huì)產(chǎn)生LC振蕩，當(dāng)我們加入R25之后，會(huì)提高阻尼減少振蕩。

減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護(hù)IC,添加R25之后，可能有效的增長充電的時(shí)間，進(jìn)而減小充電時(shí)候的電流。

從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài)，VDS電壓迅速增加，如果dVDS/dt過大，可能會(huì)燒壞器件，R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電，從而保護(hù)mos管。

R26 10K的作用：

下拉型抗干擾電阻，GPIO輸出狀態(tài)下，在Nmos端，可以看出mos端處于一個(gè)高阻態(tài)或者懸浮的一個(gè)狀態(tài)，為了避免意外打開mos管，加上了個(gè)10k下拉。

三、高邊NMOS防反

PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng)，但其存在待機(jī)電流偏大和電流反灌隱患，并且PMOS價(jià)格偏高，幾乎沒有使用驅(qū)動(dòng)IC+PMOS高邊防反這種設(shè)計(jì)，所以為了均衡價(jià)格因素和Rdson，消除待機(jī)電流偏大和電流反灌隱患（若單純使用高邊NMOS，也會(huì)有待機(jī)電流和電流反灌問題），使用驅(qū)動(dòng)IC+NMOS這種高邊防反接設(shè)計(jì)。但這里并不是否定低邊NMOS防反和高邊PMOS防反，實(shí)際上低邊NMOS防反和高邊PMOS防反使用的更多，驅(qū)動(dòng)IC+NMOS這種方式一方面是為了應(yīng)對測試機(jī)構(gòu)的測試用例，一方面是應(yīng)對可預(yù)見的實(shí)際問題。通常使用高邊PMOS防反接并沒有什么問題。

使用高邊NMOS防反接，通常沒有足夠高的電壓來驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，此時(shí)可以使用驅(qū)動(dòng)IC來從高邊取電，輸出比S極更高的電壓來驅(qū)動(dòng)NMOS導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)IC有兩種：電荷泵型和Buck-Boost型，見圖11-1。帶驅(qū)動(dòng)IC這種形式，雖然這增加了電路的復(fù)雜性，但N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻較低。

在大部分時(shí)間都處于正常連接供電場景中，由于電荷泵型和Buck-Boost型將額外消耗電流（需要不斷地工作產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓維持NMOS的開啟），單純的高邊PMOS防反接效率反而更好。

圖：高邊NMOS防反驅(qū)動(dòng)--->NMOS+驅(qū)動(dòng)IC

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)MOS管的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！