一直以來，MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

一、MOS 管的工作原理

從圖1-2-（a）可以看出，增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0 時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時(shí)漏極電流ID=0。此時(shí)若在柵-源極間加上正向電壓，圖 1-2-(b)所示，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)柵極指向P型硅襯底的電場(chǎng)，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓 VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個(gè)電容，VGS等效是對(duì)這個(gè)電容充電，并形成一個(gè)電場(chǎng)，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個(gè)電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個(gè)從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時(shí)的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示。控制柵極電壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強(qiáng)弱，就可以達(dá)到控制漏極電流 ID的大小的目的，這也是MOS管用電場(chǎng)來控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn)，所以也稱之為場(chǎng)效應(yīng)管。

二、MOS管的兩種使用（含電路圖）

MOS管的使用通?？梢苑譃閮煞N情形：

①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關(guān)管使用，電流可達(dá)數(shù)安培，如圖1為MOS管驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于門檻電壓4.5V（又叫平臺(tái)電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制本人還是選擇使用三極管。

圖1：邏輯控制MOS管

②參與PWM控制，橋式驅(qū)動(dòng)電路以及開關(guān)電源電路等應(yīng)用廣泛。

如圖2為有刷直流電機(jī)橋式驅(qū)動(dòng)電路，G1、G2、G3、G4為推挽PWM控制，VS1、VS2接電機(jī)，可實(shí)現(xiàn)大功率直流電機(jī)調(diào)速，正反轉(zhuǎn)控制。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于10V，通常使用12V（為保證導(dǎo)通深度，PWM的幅值為12V）。且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻并聯(lián)一個(gè)反向二極管，目的是保證MOS管的關(guān)斷速度比導(dǎo)通速度快，防止上橋與下橋直通短路。

圖2：有刷直流電機(jī)橋式驅(qū)動(dòng)電路

最后，小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來說都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。希望大家對(duì)MOS管已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識(shí)，最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。