今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/可控硅" target="_blank">可控硅的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。

一、可控硅和MOS有什么區(qū)別

（一）功能差異

可控硅是一種功率半導體器件，可以實現(xiàn)電流和電壓的控制。它具有一個控制極（G）、一個負極（K）和一個正極（A）?？煽毓柙趯顟B(tài)下能夠通過電流來控制，只有當控制極施加正向電流時，才能夠使得正極和負極之間形成一個導通路徑。一旦正向電流被斷開，可控硅立即進入阻斷狀態(tài)，不再導通電流。

而MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種基于半導體材料和場效應原理的數(shù)字電子開關。它由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）和互補介質(zhì)氧化層（OX）組成。MOS管可以通過柵極電壓的控制來實現(xiàn)導通和截斷狀態(tài)的切換。當柵極施加正向電壓時，會形成一個導通通道，電流可以從源極流向漏極；當柵極施加負向電壓時，通道被封閉，電流無法通過。

（二）工作原理差異

可控硅的工作原理基于PN結組成的四層結構，該結構在正向電流注入時會形成一種相互注入的狀態(tài)，從而實現(xiàn)導通。同時，可控硅也需要一個觸發(fā)電壓來將其從阻斷狀態(tài)切換到導通狀態(tài)。觸發(fā)電壓可以是正向電壓脈沖、連續(xù)正向電壓或施加在G極的觸發(fā)脈沖。

MOS管的工作原理基于柵極電壓的變化，其柵極與互補介質(zhì)氧化層（OX）之間的電容可以通過施加不同的電壓來進行控制。當柵極電壓高于臨界電壓時，導通通道形成，將電流從源極引導到漏極。而當柵極電壓低于臨界電壓時，導通通道關閉，電流無法通過。

二、可控硅為什么會被擊穿

1、過壓擊穿過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。

2、過熱擊穿

這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導致?lián)舸?。對于采用水冷方式工作的，主要檢查進水溫度是否過高，流量是否充足；對于采用風冷方式工作的，應檢查風扇的轉數(shù)是否正常，還有環(huán)境溫度也不能太高等，但無論是風冷的還是水冷的，如果你在更換可控硅時只是更換了芯片的話，安裝時要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對水冷的可控硅，三個螺栓的拉力一定要均勻，并且還要經(jīng)常檢查和清理水垢，水垢太多也會影響散熱效果導致過熱擊穿的。另外如果多次更換芯片也會導致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果您的機器上的某只可控硅經(jīng)常擊穿又找不到其他原因的話，就應該考慮在更換可控硅時連同散熱器一齊更換。

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的有關可控硅的內(nèi)容，希望大家能夠喜歡，想了解更多有關它的信息或者其它內(nèi)容，請關注我們網(wǎng)站哦。