場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導體器件，屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導電溝道中載流子(電子或空穴)的控制，以此來改變通道中的電流大小。根據(jù)導電溝道類型和工作機理的不同，場效應管主要分為結型場效應管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。下面將詳細介紹這兩種類型的場效應管的工作原理。

結型場效應管(JFET)，結構與工作原理

JFET通常由一個PN結或者NPN、PNP雙擴散形成的通道以及兩端的柵極構成。在結構上，其源極(Source)、漏極(Drain)同為一種摻雜類型，且它們之間形成一個連續(xù)的導電通道，而柵極(Gate)則通過兩側的PN結緊密接觸這個通道。

當沒有施加柵極電壓時，由于PN結自身的反向偏置作用，通道處于導通狀態(tài)，電流可以從源極流向漏極。當逐漸增加從柵極到源極的負向電壓時，會在PN結附近產生更強的反向電場，該電場會將溝道中的多數(shù)載流子推離導電區(qū)，導致溝道寬度變窄，從而增大電阻，降低從源極到漏極的電流。如果柵極電壓足夠大，溝道會被完全夾斷，阻止電流流動，即實現(xiàn)了電流的截止。因此，JFET是通過改變柵極電壓來調節(jié)溝道電阻進而控制漏極電流的。

特點

- JFET是電壓控制器件，輸入阻抗極高。

- 具有雙向導電性，正向和反向都能工作。

- 由于PN結的存在，不存在二次擊穿現(xiàn)象。

金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)，結構與工作原理

MOSFET的結構更為復雜，包括P型襯底、N型阱(在增強型MOSFET中)或N型襯底(在耗盡型MOSFET中)，以及位于絕緣層(通常是二氧化硅SiO?)上的金屬(或多晶硅)制成的柵極。MOSFET的核心部分是柵極與襯底之間的絕緣層，這使得MOSFET具有非常高的輸入阻抗。

在增強型MOSFET中，當柵極相對于源極沒有施加電壓時，即使VDS存在，由于絕緣層的作用，不會形成導電溝道，因此幾乎沒有漏極電流。當對柵極施加正電壓時，柵極附近的電荷吸引襯底中的少數(shù)載流子(對于NMOS是空穴，對于PMOS是電子)，這些載流子在表面形成一個導電通道，使源極和漏極之間能夠流通電流。隨著柵極電壓的增加，通道內的載流子數(shù)量增多，導電性能增強，漏極電流ID隨之增大。反之，減小柵極電壓會使通道消失或減弱，導致電流下降。

特點

- MOSFET同樣為電壓控制器件，且輸入阻抗遠高于JFET，接近無限大。

- 根據(jù)導電溝道的形成方式和工作模式，MOSFET可以細分為增強型和耗盡型兩種類型。

- 由于柵氧層的存在，MOSFET能更好地抑制噪聲，更適合用于集成電路設計，并且可制造出高密度、高性能的微處理器和其他數(shù)字邏輯電路。

- 在功率轉換和開關應用中，MOSFET的低導通電阻特性使其成為理想的開關器件。

場效應管的應用

無論是JFET還是MOSFET，因其獨特的電壓控制特點和優(yōu)越的電氣性能，在眾多領域得到廣泛應用：

1. 模擬電路：作為放大器、濾波器、穩(wěn)壓器等電路的關鍵組件;

2. 數(shù)字電路：廣泛應用于集成電路設計，尤其是大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路;

3. 電源管理：在開關電源、DC/DC轉換器、電機驅動等領域中用作高效的開關器件;

4. 射頻通信：在無線通信設備中，MOSFET被用作射頻功率放大器和混頻器等關鍵模塊;

5. 微電子機械系統(tǒng)(MEMS) 和 生物傳感器等高科技領域也有著廣泛的用途。

場效應管憑借其獨特的電壓控制機制，不僅革新了傳統(tǒng)電子技術，而且在現(xiàn)代電子科技發(fā)展中扮演著至關重要的角色，尤其在半導體集成電路產業(yè)中，MOSFET已經成為不可或缺的基礎構建單元。通過對場效應管深入理解并有效利用其工作原理，工程師們得以不斷推動著電子技術的進步和發(fā)展。