在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別

（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止。

（2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞

測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

二、場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析

直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護(hù)是重要保護(hù)之一，二極管的單向?qū)ㄌ匦允苟O管作為了應(yīng)用首選，通常選用快恢復(fù)二極管，電流稍大的可選壓降較小的肖特基二極管，達(dá)到相同電流級(jí)的肖特基二極管成本相對(duì)偏高?？旎謴?fù)二極管壓降約0.7V，肖特基二極管管壓降約為0.3V，以10A電流為例快恢復(fù)二極管消耗功率為7W，肖特基二極管消耗功率為3W，通常就需要考慮散熱問(wèn)題，如果在5V電壓供電系統(tǒng)中壓降的產(chǎn)生會(huì)使系統(tǒng)的效率分別降低14%和6%。

為解決此問(wèn)題MOS管型防反接保護(hù)電路被工程技術(shù)人員開發(fā)利用，利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，通?？蛇_(dá)到毫歐級(jí)別，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。還以10A電流為例，MOS管內(nèi)阻選10mQ，器件的管壓降為0.1V，消耗功率為1W。如果內(nèi)阻更小管壓降及消耗的功率也變得更小，在低壓大電流系統(tǒng)中MOS管型防反接具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管或NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)如下圖所示:

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來(lái)?yè)p壞。

PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)如下圖所示：

PMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來(lái)?yè)p壞。

由于場(chǎng)效應(yīng)管的加工工藝導(dǎo)致NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。

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