以下內(nèi)容中，小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對場效應(yīng)管的了解，和小編一起來看看吧。

一、場效應(yīng)管特點(diǎn)和測量方法

場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

FET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前硅是最常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。

場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：

1：場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。

2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。

3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。

4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時輸入電流較大。

5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大。

場效應(yīng)管的測量方法主要有電壓測量法、電流測量法、電阻測量法、電容測量法、晶體管特性測量法等。

1、電壓測量法是通過測量晶體管的輸入電壓和輸出電壓來確定晶體管的特性；

2、電流測量法是通過測量晶體管的輸入電流和輸出電流來確定晶體管的特性；

3、電阻測量法是通過測量晶體管的輸入電阻和輸出電阻來確定晶體管的特性；

4、電容測量法是通過測量晶體管的輸入電容和輸出電容來確定晶體管的特性；

5、晶體管特性測量法是通過測量晶體管的靜態(tài)電流比、靜態(tài)電壓比、動態(tài)電流比和動態(tài)電壓比來確定晶體管的特性。

在使用場效應(yīng)管時，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

1、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作電壓不超過其額定電壓；

2、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作電流不超過其額定電流；

3、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作溫度不超過其額定溫度；

4、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作環(huán)境溫度不超過其額定溫度；

5、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作環(huán)境濕度不超過其額定濕度；

6、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作環(huán)境沒有腐蝕性氣體；

7、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作環(huán)境沒有強(qiáng)烈的電磁干擾；

8、應(yīng)確保場效應(yīng)管的工作環(huán)境沒有強(qiáng)烈的熱源。

二、場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的

在使用場效應(yīng)管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。

場效應(yīng)管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于場效應(yīng)管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓UGS決定其工作狀態(tài)。N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性：Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性：Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然P溝道結(jié)型場效應(yīng)管可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用N溝道結(jié)型場效應(yīng)管。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)場效應(yīng)管的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。