據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，前不久韓國三星表示投入 2300 億美元打造全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，作為直接競爭對手，臺積電將計劃在臺灣新建 10 座晶圓廠來擴產(chǎn)未來 2~3nm 先進(jìn)制程工藝，這對全球半導(dǎo)體晶圓代工市場來說像一場軍備競賽。

之前韓國政府的一項計劃表示三星將在未來 20 年內(nèi)在半導(dǎo)體中會投資 大約 2300 億美元，同時要求私營部門向科技領(lǐng)域投資 4220 億美元，包括芯片、電池和顯示器，三星欲打造全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

據(jù)悉，韓國總統(tǒng)尹錫悅表示：“最近從芯片開始的經(jīng)濟戰(zhàn)場已經(jīng)擴大，各國正在提供大規(guī)模補貼和稅收支持，我們必須支持私人投資以確保進(jìn)一步增長，政府必須提供選址、研發(fā)、人力和稅收支持?！?

韓國政府的戰(zhàn)略旨在將芯片和其他戰(zhàn)略技術(shù)的設(shè)施投資的稅收減免率從 8% 提高到 15%。除此之外，韓國政府將在五年內(nèi)提供 200 億美元用于研發(fā)，2760 億美元用于開發(fā)芯片封裝，以及 770 億美元用于工業(yè)水電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

或許是該信息對晶圓代工巨頭臺積電產(chǎn)生了危機感，臺積電計劃放大布局規(guī)模，對臺積電來說在先進(jìn)制程工藝方面是有優(yōu)勢的，在其擅長的 3nm 制程世代將會是一個大規(guī)模且有長期需求的制程技術(shù)。

據(jù)悉，日前臺積電在法說會指出，盡管庫存調(diào)整仍在持續(xù)，但已觀察到 3nm 的 N3 制程和N3E 制程皆有許多客戶參與，量產(chǎn)第一年和第二年產(chǎn)品設(shè)計定案數(shù)量將是 5nm 的 N5 制程工藝的 2 倍以上。

現(xiàn)階段臺積電 3nm 制程技術(shù)無論在 PPA(效能、功耗及面積)及電晶體技術(shù)上，都已是全球半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)，預(yù)計未來幾年市場對 3nm 制程工藝的芯片有強勁需求，而臺積電已經(jīng)全力拉升 3nm 制程工藝的產(chǎn)能。

據(jù)悉，臺積電 3nm 生產(chǎn)重鎮(zhèn)以南科 Fab 18 廠區(qū)為主體已完成 Fab 18 廠區(qū)第五期至第八期共四座 3nm 制程工藝晶圓廠，未來將視市場需求決定是否興建第九期的 3nm 晶圓廠。而臺積電已宣布將會在美國亞利桑那州 Fab 21 廠區(qū)興建第二期 3nm 晶圓廠，預(yù)計2025年之后可以進(jìn)入量產(chǎn)。

同時臺積電正在準(zhǔn)備 2nm 制程晶圓廠預(yù)計會落腳在新竹與臺中科學(xué)園區(qū)，共計有的六期工程已按計劃持續(xù)進(jìn)展中。根據(jù)臺積電公布資料，臺積電在竹科寶山二期興建的 2nm 超大型晶圓廠 Fab 20 將會興建 1~4 期共四座晶圓廠，臺積電正在爭取中科臺中園區(qū)擴建二期開發(fā)計劃的建廠用地，在取得用地后會再興建至少兩座 2nm 制程晶圓廠。

從上述一系列事件可以看到，臺積電在未來五年中已經(jīng)在臺灣規(guī)劃了 2~3nm 先進(jìn)制程工藝的晶圓廠逾十座。如果用先進(jìn)制程 3 萬片/月產(chǎn)能的晶圓廠投資金額大約為 200 億美元來計算，臺積電對此的總投資金額將超過 2000 億美元，并且?guī)影ú牧稀⒃O(shè)備等臺積電大聯(lián)盟供應(yīng)體系的生態(tài)圈。而這個數(shù)字和三星半導(dǎo)體的 2300 億美元的投資基本算是勢均力敵。