11 月 19 日消息，在半導(dǎo)體行業(yè)，極紫外光刻技術(shù) (Extreme Ultraviolet，EUV) 對于未來光刻技術(shù)乃至于先進(jìn)制程有著重要意義。為了追求更先進(jìn)的芯片和更優(yōu)的能效，我們一直走在制程微縮的道路上，但光刻設(shè)備的分辨率決定了 IC 的最小線寬，越發(fā)精細(xì)的芯片就越需要縮短晶體管內(nèi)部導(dǎo)電溝道的長度。因此，光刻機(jī)的升級就勢必與分辨率水平相關(guān)聯(lián)。

光刻機(jī)演進(jìn)過程是隨著光源改進(jìn)和工藝創(chuàng)新而不斷發(fā)展的。EUV 作為 7nm 及更先進(jìn)制程芯片的基礎(chǔ)，采用了更加成熟化的極紫外光源，同時(shí)還采用了立體化的全數(shù)控光刻技術(shù)，這讓光刻工藝走上了一個(gè)新的高度，于是光刻行業(yè)進(jìn)入了以 EUV 光刻機(jī)為主的極紫外光時(shí)代。

隨著先進(jìn)制程的進(jìn)一步推進(jìn)，全球半導(dǎo)體制造龍頭臺積電、三星、英特爾紛紛擴(kuò)大 EUV 光刻機(jī)資本開支，積極擴(kuò)充 7nm 以下先進(jìn)產(chǎn)能。

與此同時(shí)，各大芯片設(shè)計(jì)公司，例如大家熟知的高通、英偉達(dá)、博通、聯(lián)發(fā)科、AMD、蘋果、海思等，都在加碼先進(jìn)芯片領(lǐng)域的資本支出。大家不妨認(rèn)為，掌握 EUV 技術(shù)，就是掌握未來半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā)展方向和制高點(diǎn)。

在這種前提下，各大芯片設(shè)計(jì)公司其實(shí)也會進(jìn)行系統(tǒng)地研究，也會有不同程度地涉獵光刻領(lǐng)域。但實(shí)際上，各大公司也會在這一過程中遇到各種各樣的問題，但也同樣會因此積累到一些經(jīng)驗(yàn)和專利。

IT之家了解到，華為周二公布了一項(xiàng)新專利，展示了一種《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，而這種方法便能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)而達(dá)到勻光的目的。

據(jù)悉，華為確實(shí)申請了一種《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，而這種方法便能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)而達(dá)到勻光的目的。

EUV光刻機(jī)的中文名字就叫極紫外光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)，可使曝光波長一下子降到14納米以下的特征尺寸。

但問題是EUV光刻機(jī)非常復(fù)雜，不是申請幾項(xiàng)專利就夠的。一個(gè)EUV光刻機(jī)有10萬個(gè)零部件，還有，EUV光刻機(jī)還需要光刻膠等上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合，此外還需要測量臺與曝光臺(雙工件臺)、激光器、光速矯正器、能量控制器、光速形狀設(shè)置、遮光器、能量探測器、掩膜版、掩膜臺、物鏡、內(nèi)部封閉框架和減震器等11個(gè)模塊的組件。

即便華為的光刻機(jī)專利是全世界最先 進(jìn)的，沒有這些上下游產(chǎn)業(yè)鏈支持，也是白搭。尤其是光刻機(jī)上游最為核心設(shè)備分別為光學(xué)鏡頭、光學(xué)光源和雙工件臺。

上海微電子裝備股份有限公司曾披露，將在2021-2022年交付第一臺28nm工藝的國產(chǎn)的沉浸式光刻機(jī)。但是，到現(xiàn)在也沒人見過這臺國產(chǎn)光刻機(jī)，主要原因可能就是上海微電子光有技術(shù)不行，沒有配套的產(chǎn)業(yè)鏈幫助提供組件。

提到荷蘭ASML，相信大家都不陌生，作為全球頂尖的光刻機(jī)制造商。ASML仍舊是迄今為止，全球唯一一家具備EUV光刻機(jī)量產(chǎn)能力的設(shè)備供應(yīng)商。

但是，由于受到《瓦森納協(xié)定》以及美方面的影響，中企向ASML訂購的EUV光刻機(jī)，始終卡在了發(fā)貨環(huán)節(jié)無法交付。在這樣的局面之下，美又著手修改了芯片規(guī)則，致使臺積電、三星等晶圓代工企業(yè)無法自由出貨。

在這樣的局面之下，中企便開始布局芯片產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化，以此來推動(dòng)國內(nèi)芯片代工技術(shù)的發(fā)展，來擺脫外界規(guī)則所造成的影響。

而想要大規(guī)模的量產(chǎn)芯片，就必須實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的國產(chǎn)化。在這樣的局面之下，中企加大了對于先進(jìn)光刻機(jī)技術(shù)的研發(fā)投入。

近日，中企更是公開了一項(xiàng)有關(guān)于EUV光刻技術(shù)的專利，也曝光了ASML加速對中企出貨DUV光刻機(jī)的原因。

根據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)官網(wǎng)顯示：傳芯半導(dǎo)體公開了一項(xiàng)關(guān)鍵的技術(shù)專利，名為“曝光成像結(jié)構(gòu)、反射式光掩模版組及投影式光刻機(jī)”，值得一提的是，該技術(shù)可以被應(yīng)用于EUV光刻領(lǐng)域，并且，可以以此來提升光刻機(jī)的分辨率以及對比度。

目前來看，國產(chǎn)EUV光刻機(jī)仍需要大量的核心技術(shù)理論驗(yàn)證，該技術(shù)被率先應(yīng)用在DUV光刻領(lǐng)域要更高，可以以此推動(dòng)國產(chǎn)DUV光刻機(jī)在芯片制程精度上的迭代。

眾所周知，在光刻機(jī)領(lǐng)域里，ASML公司是一家獨(dú)大的，依靠著自主研發(fā)的先進(jìn)EUV光刻機(jī)，ASML公司在整個(gè)光刻機(jī)市場上也賺得是盆滿缽滿;因?yàn)镋UV光刻機(jī)是生產(chǎn)7nm工藝以下芯片的必要設(shè)備，所以不少芯片都搶著購買EUV光刻機(jī)，不過在老美的限制下，我國就算是有錢也買不到!

在老美多次修改芯片規(guī)則以后，就讓我們認(rèn)識到了半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性，所以國內(nèi)也開始著手打造屬于我們自己的國產(chǎn)芯片供應(yīng)鏈體系，而光刻機(jī)等卡脖子的技術(shù)也是我們重點(diǎn)研究的對象，隨著國內(nèi)科技企業(yè)不帶努力研發(fā)，如今中企也傳來了好消息;并公布了一項(xiàng)EUV光刻機(jī)的專利;聯(lián)想到ASML在過去的一年多時(shí)間里，對我們出貨78臺光刻機(jī)，讓我們也明白了，ASML為何如此著急出貨的原因!

實(shí)際上，在我國表示要研發(fā)光刻機(jī)等卡脖子技術(shù)的時(shí)候，ASML公司的總裁就表示：世界上沒有誰能掌握完整的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，而EUV光刻機(jī)，就算是公開圖紙，大陸也造不出來;而他之所以敢這么說，主要是因?yàn)镋UV光刻機(jī)的研發(fā)是屬于高精尖的前沿科技領(lǐng)域，而一臺先進(jìn)的EUV光刻機(jī)擁有超過10萬多個(gè)零部件，這些零部件來自于全球超5000家供應(yīng)商，所以想要打造出一臺先進(jìn)的EUV光刻機(jī)顯然也是比較困難的!