1月16日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴年會(huì)，并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。

就在日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬片月產(chǎn)能

據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一的，和友商96層閃存相比差距也在10％之內(nèi)，并且絕非低端產(chǎn)品，質(zhì)量有保證，是可以保證盈利的。

接下來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作，但暫時(shí)沒有分享具體時(shí)間表。

2020年，全球閃存行業(yè)將集體奔向100+層，比如SK海力士已在近期出貨128層閃存并將在年底做到176層，三星有128層、136層，西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))都是112層但存儲(chǔ)密度更高，美光128層，Intel則會(huì)做成144層。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇直奔128層，無疑能進(jìn)一步縮小與行業(yè)先進(jìn)水平的差距，但挑戰(zhàn)性肯定也更大。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問題，下一代的Xtacking 2.0也正在推進(jìn)中，會(huì)重點(diǎn)拓展性能、功能，也是直接上128層堆疊的重要保障。

據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝，提升閃存I/O接口速度、存儲(chǔ)密度，芯片面積也能減少約25％。

當(dāng)兩片晶圓各自完工后，只需一個(gè)處理步驟，就可通過數(shù)百萬根垂直互聯(lián)通道(VIA)，將兩片晶圓鍵合在一起。

得益于并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，Xtacking閃存的開發(fā)時(shí)間也可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期則可縮短20％。