據(jù)AnandTech報道，長鑫存儲技術有限公司（CXMT）已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產(chǎn)各種類型的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。除此之外，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠來提高產(chǎn)量

長鑫存儲以打造設計和制造一體化的內(nèi)存芯片國產(chǎn)化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細分存儲器國產(chǎn)領軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

目前長鑫存儲的月產(chǎn)能約為2萬片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長，產(chǎn)量也將逐漸提升。預計到 2020年底，其10nm級工藝技術的產(chǎn)能為12萬片晶圓（12英寸）。

長鑫存儲表示，其77%員工都是從事研發(fā)相關工作的工程師。今年5月，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明曾表示，從技術來源角度，合肥長鑫與奇夢達合作，并結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸囊中?，F(xiàn)如今已經(jīng)完成了早期積累。

據(jù)了解，長鑫存儲正在使用其 10G1 技術（19 nm 工藝）來制造4 Gb和8 Gb DDR4存儲器芯片，目標在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場，該技術將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

從路線圖來看，長鑫存儲還規(guī)劃了針對DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3（17 nm工藝）產(chǎn)品。預計CXMT 10G5工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術，并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

此前該公司計劃于2019年初開始生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計劃再建兩座DRAM晶圓廠。