今天紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。

除了64層3D閃存量產(chǎn)之外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天還宣布了另外一個(gè)重要消息，那就是Xstacking 2.0堆棧技術(shù)，該技術(shù)將在長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D閃存（第一代是32層，小量生產(chǎn)，目前量產(chǎn)的64層是第二代）上，相關(guān)技術(shù)將在即將召開的IC China 2019會(huì)議上公布。

隨著3D閃存堆棧層數(shù)的提高，面臨的一大挑戰(zhàn)就是外圍IO電路不斷增長(zhǎng)，擠占閃存核心的容量，通常IO外圍電路要占到20-30%的面積，隨著堆棧層數(shù)提升到128層或者更高，外圍電路占比可能高達(dá)50%，所以減少這部分電路的面積就成為3D閃存的一個(gè)重要考驗(yàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xstacking技術(shù)是基于武漢新芯科技的CIS傳感器芯片上開發(fā)的堆棧技術(shù)，它把外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，外圍電路和存儲(chǔ)單元是2片晶圓，2顆裸芯片的大小是一樣的，這就意味著其CMOS可用面積遠(yuǎn)大于其他傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。

不僅是提高容量利用率，基于該技術(shù)節(jié)省出來的CMOS部分，除了控制電路，也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了無限可能。

根據(jù)紫光的信息，Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。

根據(jù)官方消息，現(xiàn)在基于Xstacking堆棧技術(shù)的64層閃存主要用于固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。基于Xstacking 2.0技術(shù)的第三代閃存被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章，整體上定位更高一些。

由于詳細(xì)資料還缺公開，現(xiàn)在還不能確定Xstacking 2.0技術(shù)的第三代閃存到底是多少層的，不過從之前的爆料來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)準(zhǔn)備在2020年縮短與三星、東芝等公司的技術(shù)差距，所以會(huì)跳過96層，直接進(jìn)入128層堆棧閃存，這樣明年量產(chǎn)的話就能接近國(guó)際先進(jìn)水平了。