QFN失效分析與SMT工藝設計指南：從設計到制造的可靠性控制

QFN（Quad Flat No-Lead Package）作為高密度表面貼裝封裝形式，憑借其小型化、低阻抗、優(yōu)異的散熱性能，已成為5G通信、汽車電子等領域的核心封裝方案。然而，其無引腳結(jié)構(gòu)與超薄焊端設計對SMT工藝提出嚴苛挑戰(zhàn)，焊端燒毀、短路、虛焊等失效模式成為制約良率的關(guān)鍵瓶頸。本文從失效機理出發(fā)，結(jié)合工藝優(yōu)化策略，系統(tǒng)解析QFN可靠性的實現(xiàn)路徑。

MPS推出車規(guī)級三相柵極驅(qū)動器IC新產(chǎn)品

汽車12V系統(tǒng)到汽車48V系統(tǒng)全適用 上海2025年8月11日 /美通社/ --?MPS芯源系統(tǒng)（NASDAQ代碼：MPWR）近日發(fā)布的新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1，是一款專為三相無刷直流（BLDC）電機驅(qū)動器而設計的柵極驅(qū)動器IC，其輸入電壓高達80V，可驅(qū)動由六...

基于底部焊端元件空洞問題的改善措施

以 QFN 和 DFN 封裝為代表的底部焊端組件 (Bottom Terminiation Components, BTCs) 市場在電子行業(yè)中迅速增長，其主要驅(qū)動因素是小型化和成本。

如何解決SMT加工QFN和LGA空洞不良問題？

空洞帶來的影響是比較大的，可靠性問題–散熱問題–各種失效–客戶投訴;你想解決空洞嗎?

可潤濕側(cè)翼 QFN 封裝對于汽車應用的價值所在

為了確保汽車符合目前對于安全性和高可靠性的要求，汽車行業(yè)要求原始設備制造商 (OEM) 執(zhí)行100%的組裝后自動視覺檢查 (AVI)。在使用四方扁平無引線 (QFN) 封裝的情況下，不太容易看到

NIS6111無鉛封裝(QFN)板安裝手冊

ON Semiconductor公司有很多器件都采用一種先進的無鉛方形扁平封裝，也就是我們常說的無鉛封裝。由于QFN|0">QFN（無鉛）平臺是最新的表面貼裝封裝技術(shù)，印刷電路板（PCB）的

DFN和QFN封裝板級應用手冊

簡介 ON Semiconductor公司的各種元器件都采用了先進的雙邊或方形扁平無鉛封裝（DFN/QFN）。DFN/QFN平臺是最新的表面貼裝封裝技術(shù)。印刷電路板（PCB）的安裝墊、阻焊層

QFN封裝的特點

QFN（Quad Flat No-lead Package，方形扁平無引腳封裝）是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。由于底部中央大暴露的焊盤被焊接到PCB的散熱焊盤上，使得QFN具有極佳的電和熱性

凌特上市12A同步整流式降壓型穩(wěn)壓器 采用9mm×9mm QFN封裝

凌特上市12A同步整流式降壓型穩(wěn)壓器 采用9mm×9mm QFN封裝

【日經(jīng)BP社報道】美國凌特科技（Linear Technology）上市了采用9mm×9mm的64引腳QFN封裝，且連續(xù)輸出電流最大為12A的同步整流式降壓型穩(wěn)壓器“LTC3610”（發(fā)布資料）。可應用于多節(jié)鋰離子充電電池、鉛蓄電池、最大24

小間距QFN封裝PCB設計串擾抑制分析

由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區(qū)域的串擾問題也隨著傳輸速率的升高而越來越突出。對于8Gbps及以上的高速應用更應該注意避免此類問題，為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對PCB設計中由小間距QFN封裝引入串擾的抑制方法進行了仿真分析，為此類設計提供參考。

Linear 推出采用 3mm x 5mm QFN 封裝的雙通道、低噪聲偏置發(fā)生器 LT3095

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 IC LT3095，該器件從單一輸入提供兩路非常低噪聲、低紋波的偏置電源。每個通道都納入了單片升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，一個集成的超低噪聲和高 PSRR (電源抑制比) 線性穩(wěn)壓器對該轉(zhuǎn)換器進行了后置穩(wěn)壓。LT3095 在輸出電壓高達 20V 時提供高達 50mA 的連續(xù)輸出電流，總紋波和噪聲

IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露電源模塊器件

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電

IR堅固可靠的高壓柵級驅(qū)動IC采用PQFN4x4封裝

【導讀】全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動化、電動工具和替代

安博：從技術(shù)和市場定位上打造自身優(yōu)勢

【導讀】雖然現(xiàn)在已有各種先進封裝技術(shù)出現(xiàn)，但是很長一段時間內(nèi)傳統(tǒng)封裝形式將會與之并存，可能數(shù)量會減少，但并不會被替代，因為客戶和市場有需求，就如同DIP封裝技術(shù)雖然歷史悠久，但依然有很多客戶愿意沿用這種封

蘇州固锝:銀漿項目產(chǎn)品性能達業(yè)界主流

全景網(wǎng)4月14日訊 蘇州固锝（002079）周一披露的《投資者關(guān)系活動記錄表》顯示，目前，公司投資的銀漿項目產(chǎn)品性能達到業(yè)界主流的水平，正銀產(chǎn)品已經(jīng)在數(shù)家客戶實行了穩(wěn)定的大規(guī)模生產(chǎn)。公司介紹，2014年,通過產(chǎn)品認

英飛凌XMC1000微控制器系列進入量產(chǎn)

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，該公司采用 ARM Cortex-M0 處理器、以8位元的價格提供32位元效能的 XMC1000 微控制器(MCU)已進入量產(chǎn)。同時，英飛凌也為其推出高度精巧的全新 VQFN (超薄四方扁平無接腳)系列

IR推出堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 為通信電源應用提供基準性能

21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，為通信應用中的DC-DC電源提供基準性能。IRFH7185TRPbF采用IR全新

MOS管封裝形式簡介

主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點，視線從供電相數(shù)開始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是因為隨著MOSFET技術(shù)的進展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET以及多芯片DrMOS開始用

德州儀器推出QFN 封裝、更多模塊設計與新軟件

21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布：TI 及其分銷合作伙伴現(xiàn)已開始推出基于藍牙 (Bluetooth®) v4.0 技術(shù)、采用易集成型 QFN 封裝的 CC2560 與 CC2564 無線器件，以嵌入式應用最完整的無線連接產(chǎn)品組合位居業(yè)界領先