記憶體封測族群下半年營收表現(xiàn)相對突出。力成11月營收為新臺幣33.51億元,較上月微幅增加,創(chuàng)下新高記錄。該公司表示,爾必達(Elpida)雖然針對標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進行減產(chǎn),但也持續(xù)增加Mobile DRAM的訂單,希望12月營收也能
TSV為直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術(shù), 是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)演進的互連技術(shù),其設(shè)計概念是來自于印刷電路板(PCB)多層化的設(shè)計,TSV可像三明治一樣堆棧數(shù)片芯片,是一種可以電力
高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報,公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元,與2010 Q1財季相比,仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定
個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫,爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助
爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴產(chǎn),屆時將依照投資比重來分配DRAM貨
個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫,爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助
不同于DRAM廠陷于報價狂跌的愁云慘霧,相關(guān)封測廠力成和華東9月營收相對持穩(wěn),實績皆續(xù)創(chuàng)歷史新高,力成季增率為5.9%,符合原先預(yù)期;華東季增率為6.08%,稍微低于原先所估的7~10%。第4季在DRAM廠制程技術(shù)推進及產(chǎn)出
瑞晶總經(jīng)理陳正坤昨(5)日表示,二廠新產(chǎn)能建制延后,不影響該公司導(dǎo)入40奈米以下先進制程腳步;瑞晶與爾必達(Elpida)及力晶共同攜手,對抗三星的決心,不會改變。 瑞晶正著手由興柜轉(zhuǎn)上市,最快明年初送件
引子:2010年7月底,在Spansion脫離美國破產(chǎn)保護法第11章后的第2個月,就宣布了與外界盛傳要收購自己的爾必達(Elpida)存儲器公司建立在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。一時間,從瀕臨破產(chǎn)到
摘要:OPC是一個開放的工業(yè)接口標(biāo)準(zhǔn),被用于過程控制和制造業(yè)自動化系統(tǒng)。本文通過OPC接口在PID優(yōu)化整定系統(tǒng)中的應(yīng)用,介紹了DCS和OPC的基本概念,以及OPC接口的相關(guān)知識和數(shù)據(jù)存儲訪問方式;同時結(jié)合實際介紹了為實現(xiàn)各
Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存,為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進行量產(chǎn)。按公司的說法,與通常的浮柵NAND閃存相比,電荷俘獲型NAN
聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳。(本報系數(shù)據(jù)庫)半導(dǎo)體測試廠聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳表示,歐美景氣復(fù)蘇腳步緩慢,近期上游IC設(shè)計廠投片已急踩煞車,第四季晶圓代工產(chǎn)能將因訂單能見度低而轉(zhuǎn)趨松動。 本季是觀察半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景
為抑制無刷直流電動機的高度非線性和大量隨機擾動,根據(jù)模糊優(yōu)化的PID控制方法設(shè)計多變量的無刷直流電機(BLDCM)的控制方案。該控制方案采用模糊算法在線自動整定傳統(tǒng)的PID參數(shù),可用來設(shè)計多自由度機器人手臂關(guān)節(jié)控制器。詳細闡述系統(tǒng)的組成和運行模式。實驗結(jié)果表明,該控制方案使系統(tǒng)的響應(yīng)時間和以前相比縮短50%,超調(diào)量降低5%,轉(zhuǎn)矩擾動減小30%,更能有效地提高系統(tǒng)控制的精確度、柔韌性和魯棒性。
為抑制無刷直流電動機的高度非線性和大量隨機擾動,根據(jù)模糊優(yōu)化的PID控制方法設(shè)計多變量的無刷直流電機(BLDCM)的控制方案。該控制方案采用模糊算法在線自動整定傳統(tǒng)的PID參數(shù),可用來設(shè)計多自由度機器人手臂關(guān)節(jié)控制器。詳細闡述系統(tǒng)的組成和運行模式。實驗結(jié)果表明,該控制方案使系統(tǒng)的響應(yīng)時間和以前相比縮短50%,超調(diào)量降低5%,轉(zhuǎn)矩擾動減小30%,更能有效地提高系統(tǒng)控制的精確度、柔韌性和魯棒性。
現(xiàn)代工業(yè)過程中面臨越來越多的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多變量系統(tǒng),傳統(tǒng)的單變量PID控制方法已無法滿足要求,為了解決多變量系統(tǒng)的控制問題,以兩輸入兩輸出系統(tǒng)為例,提出一種基于階躍響應(yīng)的多變量頻域模型辨識方法,并將此種方法與對角矩陣解耦控制方法相結(jié)合應(yīng)用于多變量PID控制系統(tǒng)中。最后對滯后環(huán)節(jié)近似部分和對角矩陣解耦方法進行仿真驗證。結(jié)果表明該方法能夠更好的控制系統(tǒng)變量,誤差減小50%以上。
提出一種NNC-PID電液位置伺服控制系統(tǒng)的設(shè)計方法。采用PC機+DSP為主控制器,NNC自學(xué)習(xí)、自適應(yīng)對PID參數(shù)自整定的控制算法,以滿足在非線性、參數(shù)時變性、不確定性條件下,對機械手電液位置伺服系統(tǒng)進行高精度和快速響應(yīng)的控制要求。與常規(guī)PID控制的對比實驗表明,該系統(tǒng)由于具有自學(xué)習(xí)和實時調(diào)整:PID參數(shù)的能力,使系統(tǒng)很快收斂于位置穩(wěn)態(tài)值,同時對參數(shù)時變表現(xiàn)出良好的魯棒性,很好地解決了液壓系統(tǒng)的非線性和參數(shù)時變問題,具有良好的定位精度和伺服跟蹤性能。
提出一種NNC-PID電液位置伺服控制系統(tǒng)的設(shè)計方法。采用PC機+DSP為主控制器,NNC自學(xué)習(xí)、自適應(yīng)對PID參數(shù)自整定的控制算法,以滿足在非線性、參數(shù)時變性、不確定性條件下,對機械手電液位置伺服系統(tǒng)進行高精度和快速響應(yīng)的控制要求。與常規(guī)PID控制的對比實驗表明,該系統(tǒng)由于具有自學(xué)習(xí)和實時調(diào)整:PID參數(shù)的能力,使系統(tǒng)很快收斂于位置穩(wěn)態(tài)值,同時對參數(shù)時變表現(xiàn)出良好的魯棒性,很好地解決了液壓系統(tǒng)的非線性和參數(shù)時變問題,具有良好的定位精度和伺服跟蹤性能。
基礎(chǔ)的放大電路。
又一個3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項3D多項目晶圓(MPW)服務(wù),以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來,Tezzaron一直在致力于研發(fā)
晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉于今(21)日表示,聯(lián)電將以自身在先進邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢,與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進行廣泛的技術(shù)合作,且預(yù)計會以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿