今年9月初，紫光集團旗下的長江存儲宣布量產64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構，核心容量256Gb。今天紫光集團又宣布旗下新華三公司將在自家服務器產品中使用長江存儲閃存，共同推動在中國市場自主創(chuàng)新存儲芯片的研發(fā)與應用。

紫光表示，2017年，長江存儲成功研發(fā)了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實現了中國三維閃存產業(yè)“零”的突破。該芯片的存儲容量為8GB至32GB，目前已通過企業(yè)級驗證并進行小規(guī)模的批量生產，主要應用在U盤，SD卡，機頂盒及固態(tài)硬盤等領域。

此后，長江存儲基于不斷的自主研發(fā)和創(chuàng)新，推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代產品中最高的存儲密度，將廣泛應用在智能手機，個人電腦，服務器等領域。長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，也是中國企業(yè)首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產，標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng)新之路。

紫光表示，Xtacking是長江存儲在3D NAND閃存架構上的一次重大創(chuàng)新，在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過芯片架構設計上的變化，Xtacking能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能擁有更高的存儲密度，相比傳統架構，芯片面積可減少約25%。

同時，Xtacking技術還實現了模塊化的設計工藝，能夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生產周期，為NAND閃存的定制化提供了更多可能。

目前，Xtacking技術被主要應用在長江存儲64層及更高規(guī)格的三維閃存上。

為了給行業(yè)用戶帶來更多的價值，長江存儲未來還將推出Xtacking 2.0創(chuàng)新架構。作為升級換代技術，Xtacking 2.0將夠進一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開拓定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來，Xtacking 2.0技術將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中，會廣泛應用于數據中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域，這將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。