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NAND Flash控制芯片低頭
NAND Flash控制芯片低頭
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SanDisk聯(lián)手東芝開發(fā)3D存儲芯片 欲取代NAND技術(shù)
據(jù)一份提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件，為了擴大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計劃合作開發(fā)某些類型的可重寫3D存儲芯片。 由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻和交叉授權(quán)與這項3D合
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市場不斷下滑 東芝計劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)
在NAND閃存市場下滑之際，日本東芝(Toshiba)將小幅縮減NAND閃存產(chǎn)量。為此，該公司計劃停止FlashVision Ltd.的NAND生產(chǎn)。這是東芝與SanDisk公司之間的合資企業(yè)，位于它在日本四日市的工廠。FlashVision負責(zé)東芝的
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市場不斷下滑 東芝計劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)
在NAND閃存市場下滑之際，日本東芝(Toshiba)將小幅縮減NAND閃存產(chǎn)量。為此，該公司計劃停止FlashVision Ltd.的NAND生產(chǎn)。這是東芝與SanDisk公司之間的合資企業(yè)，位于它在日本四日市的工廠。FlashVision負責(zé)東芝的
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Intel與美光推出34nm NAND芯片, 引領(lǐng)跨入30nm工藝時代
Intel和美光(Micron)日前宣布，其合資公司IM Flash Technologies已經(jīng)開發(fā)出基于34nm工藝的32Gb MLC NAND閃存單芯片，該器件die面積僅為172mm2，將使用300mm晶圓片制造。Intel和美光計劃從6月份開始提供樣片，量產(chǎn)
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海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或?qū)anDisk不利
韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。
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40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布
40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布，4大陣營新世代產(chǎn)線起跑 3Q價格大戰(zhàn)一觸即發(fā)。
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基于ARM9內(nèi)核Processor對外部NAND FLASH的控制實現(xiàn)
目前流行的ARM9 CPU中,沒有集成NAND FLASH的控制器,可以通過使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實現(xiàn)對外部NAND FLASH的控制.實測結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年 新帝全球裁員
NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年 新帝全球裁員約10分之1,上游面臨三星、英特爾勁敵 下游面臨金士頓逼近.
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SSD大單花落英特爾 服務(wù)器成其新辟疆土
固態(tài)硬盤（SSD）已不再是襁褓中嬰兒，現(xiàn)已擴大商機，被更多的領(lǐng)域應(yīng)用。先前被廣泛應(yīng)用到低價計算機的固態(tài)硬盤（SSD），現(xiàn)又被應(yīng)用到服務(wù)器中。 據(jù)存儲器業(yè)者稱，英特爾(Intel)日前已接獲Google在服務(wù)器用固態(tài)硬盤（
