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SanDisk聯(lián)手東芝開發(fā)3D存儲芯片欲取代NAND技術(shù)

時間：2008-06-23 06:36:34

關(guān)鍵字： NAND SANDISK 東芝存儲芯片

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[導(dǎo)讀] 據(jù)一份提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件，為了擴(kuò)大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計(jì)劃合作開發(fā)某些類型的可重寫3D存儲芯片。由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻(xiàn)和交叉授權(quán)與這項(xiàng)3D合

據(jù)一份提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件，為了擴(kuò)大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計(jì)劃合作開發(fā)某些類型的可重寫3D存儲芯片。

由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻(xiàn)和交叉授權(quán)與這項(xiàng)3D合作有關(guān)的技術(shù)，并將共同開展研發(fā)，作為提供知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)的組成部分，SanDisk將接受東芝支付的一定金額的授權(quán)費(fèi)?！?

多年以來，東芝和SanDisk一直在NAND閃存方面開展合作。雙方目前正在供應(yīng)43納米NAND閃存，每單元3位(x3)技術(shù)正在開發(fā)之中。

市場調(diào)研公司Forward Insights的總裁Gregory Wong認(rèn)為，這項(xiàng)3D技術(shù)面臨許多挑戰(zhàn)?！?級3D R/W內(nèi)存將必須至少在制程方面追上NAND閃存，才能被視為可與x4 NAND閃存競爭，”Wong表示，指的是基于NAND的每單元4位技術(shù)。

“這將使3D R/W內(nèi)存至少要等3-4年后才能問世，”Wong表示，“另一個問題是，8級堆疊是否能夠以較高的成品率生產(chǎn)出來。Matrix曾于2003年展示過一款8級堆疊，但采用的是不太先進(jìn)的0.25μm制程。用領(lǐng)先制程生產(chǎn)8級內(nèi)存堆疊是另外一回事。”

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關(guān)鍵字：存儲三星 NAND DRAM

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關(guān)鍵字：東芝 IP TOSHIBA 電力

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關(guān)鍵字：存儲芯片半導(dǎo)體 DRAM

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關(guān)鍵字： NAND 閃存密度

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關(guān)鍵字：半導(dǎo)體業(yè) 存儲芯片芯片制造商芯片領(lǐng)域

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