“Intel和Micron的進步令人吃驚，他們在三年之內已經追上并超越了其他競爭者，基本上領銜了這場競爭?！笔袌稣{研機構Objective Analysis分析師Jim Handy表示,“使用該工藝，可以在一片300mm晶圓上切割出400片單芯片，可令32Gb NAND價格低于每顆芯片4美元?！?憑借該產品，IM FLASH成為第一個突破1美元/GB壁壘的公司。

    目前，主流NAND制造商基于50～57nm工藝在300mm晶圓上量產MLC NAND，32Gb MLC NAND閃存的每GB價格在2.5美元左右。IM FLASH成本優(yōu)勢明顯。即使考慮到今年大多數NAND制造商將導入40～48nm工藝，對應價位也不低于$1.75/GB，如果NAND價格能保持在其他競爭者的價位，則IM FLASH將獲得巨大的利潤。

    但是，IM FLASH領先優(yōu)勢依然是脆弱而短暫的。NAND的成本不僅取決于die size，還取決于產能和良率，IM FLASH跳過45nm工藝直接進入30nm制程，能否成功導入量產將是非常嚴峻的挑戰(zhàn)。此外，競爭對手也都計劃在今年40nm工藝成熟后，于明年跨入30nm工藝時代。

    東芝計劃在Q2/09導入32nm工藝，并正與SanDisk聯合開發(fā)3bit/單元的MLC技術，利用該技術，可以在不提升制程的條件下，直接提升NAND密度達50%，從而開發(fā)出高達48-Gbit的MLC NAND單芯片。此前，東芝與SanDisk已經發(fā)表了采用43nm工藝的16Gbit MLC NAND閃存，該器件將于08年Q2量產。目前，東芝新建的用于NAND制造的Fab 4產能已經達到80,000片/月，并計劃于明年將產能提高到210,000片/月，成為全球最大的晶圓廠。

    三星也已經于去年底宣布，成功開發(fā)出30nm工藝的64Gb NAND閃存，成為當前工藝最為先進的NAND閃存。“這是當前全球最大容量的單一存儲芯片，”三星電子投資關系部高級經理Kwon Hyosun說到。不過，三星表示，這款新型NAND將要到2009年才會開始生產。此外，三星還對其CTF(Charge Trap Flash)技術寄予厚望，該技術允許其更容易地將NAND工藝縮小到20nm，可以生產出256Gb的NAND芯片。

    “該先進工藝將加速計算機市場對SSD的接受過程?！?Intel 的NAND產品事業(yè)部市場總監(jiān)Pete Hazen表示。IM Flash期望這款NAND可令下游廠商制造出低成本的大容量SSD固態(tài)硬盤，未來1.8寸固態(tài)硬盤容量可達256GB以上。

    但對于當前NAND市場而言，跨入30nm時代并不是一個好消息，受消費疲軟影響，SanDisk已經發(fā)表聲明說NAND市場將在整個2008年保持過剩，新工藝的導入無疑使該市場雪上加霜。