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美光二財(cái)季虧損2.86億美元 營(yíng)收同比增長(zhǎng)3.4%
3月22日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美光科技周四公布了截至2月28日的2013財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，美光第二財(cái)季凈虧損2.86億美元，合每股虧損28美分。去年同期美光虧損2.82億美元，合每股虧損29美分。同比虧損擴(kuò)大。
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閃存與磁盤的區(qū)別
在過(guò)去的幾年里，閃存與磁盤之間的爭(zhēng)議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了，而是更多地關(guān)注其性價(jià)比，以及它在現(xiàn)代化軟件定義數(shù)據(jù)中心作為一個(gè)關(guān)鍵的構(gòu)建模塊的接受力度。
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美光發(fā)布全球最小128GB NAND閃存芯片
閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目
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東芝開(kāi)始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 近日宣布，業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)(GB)嵌入式NAND閃存模塊已經(jīng)開(kāi)始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標(biāo)準(zhǔn)[3]，專
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存
閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比
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東芝Q3凈利3.22億美元 同比扭虧
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝本周四發(fā)布了該公司本財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片價(jià)格上漲、日元匯率貶值及電力設(shè)備銷售增長(zhǎng)等多重因素的推動(dòng)，東芝當(dāng)季的業(yè)績(jī)超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期。在截至12月31日的第三財(cái)季，東芝營(yíng)收為1.
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2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮
據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。 去年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元，減少
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分析稱2012年NAND閃存營(yíng)收萎縮 2013年開(kāi)始擴(kuò)張
據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮,而iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。去年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元，減少了7%。預(yù)測(cè)顯示，
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2013年固態(tài)硬盤有望強(qiáng)勁增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，即使超極本目前表現(xiàn)較弱，但由于市場(chǎng)繼續(xù)熱衷于固態(tài)硬盤技術(shù)，2013年固態(tài)硬盤(SSD)仍將是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的亮點(diǎn)。今年SSD營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)達(dá)到107億美元，比2012年的70億美元大增53%。去年增長(zhǎng)
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重現(xiàn)2012年美景，今年固態(tài)硬盤有望強(qiáng)勁增長(zhǎng)
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，即使超級(jí)本目前表現(xiàn)較弱，但由于市場(chǎng)繼續(xù)熱衷于固態(tài)硬盤技術(shù)，2013年固態(tài)硬盤(SSD)仍將是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的亮點(diǎn)。今年SSD營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)達(dá)到107億美元，比2012年的70億美元大增53%。
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結(jié)果令人失望，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。去年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元，減
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NAND閃存市場(chǎng)市況平穩(wěn) 合約價(jià)有望觸底
NAND閃存（Flash）合約價(jià)12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認(rèn)為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來(lái)到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬N
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美光科技第一財(cái)季凈虧損2.7億美元
北京時(shí)間12月21日早間消息，美國(guó)第一大存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周四發(fā)布了其2013財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。由于PC市場(chǎng)需求不振導(dǎo)致供大于求，打壓了存儲(chǔ)芯片價(jià)格，美光科技當(dāng)季凈營(yíng)收18.3億美元，同比下滑12%；凈虧損從去年同
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存儲(chǔ)巨頭美光第一財(cái)季凈虧損2.7億美元
北京時(shí)間12月21日早間消息，美國(guó)第一大存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周四發(fā)布了其2013財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。由于PC市場(chǎng)需求不振導(dǎo)致供大于求，打壓了存儲(chǔ)芯片價(jià)格，美光科技當(dāng)季凈營(yíng)收18.3億美元，同比下滑12%;凈虧損從去年同
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NAND Flash合約價(jià)月底可望觸底
NAND閃存（Flash）合約價(jià)12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認(rèn)為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來(lái)到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬N
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NAND閃存要“長(zhǎng)生不老”：測(cè)試1億次循環(huán)掛不了
固態(tài)硬盤普及了，隨之而來(lái)的可靠性和壽命問(wèn)題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來(lái)越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時(shí)代就只有3000次了
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無(wú)限擦寫循環(huán)？Macronix新閃存技術(shù)
固態(tài)硬盤普及了，隨之而來(lái)的可靠性喝壽命問(wèn)題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來(lái)越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時(shí)代就只有3000次了，TLC規(guī)格的更
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NAND欲閃存一統(tǒng)江山面臨的難題
雖然新的NVM技術(shù)將成為未來(lái)幾年的主流，但NAND閃存不太可能“一統(tǒng)江山”，因?yàn)樾碌腘VM介質(zhì)可能需要幾年的時(shí)間才能匹配NAND閃存的價(jià)格。NAND閃存所面臨的困境是由于技術(shù)方面的限制。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，廠商正不斷縮
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賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來(lái)旺季
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由于蘋果iPhone
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賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來(lái)旺季
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由于蘋果iPhone
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