3月22日消息,據(jù)國外媒體報道,美光科技周四公布了截至2月28日的2013財年第二季度財報。財報顯示,美光第二財季凈虧損2.86億美元,合每股虧損28美分。去年同期美光虧損2.82億美元,合每股虧損29美分。同比虧損擴大。
在過去的幾年里,閃存與磁盤之間的爭議很多,也發(fā)生了顯著的變化?,F(xiàn)在,我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了,而是更多地關注其性價比,以及它在現(xiàn)代化軟件定義數(shù)據(jù)中心作為一個關鍵的構建模塊的接受力度。
閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比目
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 近日宣布,業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)(GB)嵌入式NAND閃存模塊已經(jīng)開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準[3],專
閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比
據(jù)國外媒體報道,東芝本周四發(fā)布了該公司本財年第三財季財報。財報顯示,受芯片價格上漲、日元匯率貶值及電力設備銷售增長等多重因素的推動,東芝當季的業(yè)績超過了市場預期。在截至12月31日的第三財季,東芝營收為1.
據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告,2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛,2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。 去年NAND閃存營業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元,減少
據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告,由于超級本未能實現(xiàn)騰飛,2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮,而iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。去年NAND閃存營業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元,減少了7%。預測顯示,
據(jù)IHS iSuppli公司的存儲市場簡報,即使超極本目前表現(xiàn)較弱,但由于市場繼續(xù)熱衷于固態(tài)硬盤技術,2013年固態(tài)硬盤(SSD)仍將是存儲產(chǎn)業(yè)的亮點。今年SSD營業(yè)收入預計達到107億美元,比2012年的70億美元大增53%。去年增長
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司的存儲市場簡報,即使超級本目前表現(xiàn)較弱,但由于市場繼續(xù)熱衷于固態(tài)硬盤技術,2013年固態(tài)硬盤(SSD)仍將是存儲產(chǎn)業(yè)的亮點。今年SSD營業(yè)收入預計達到107億美元,比2012年的70億美元大增53%。
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告,2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛,2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。去年NAND閃存營業(yè)收入從2011年的212億美元降至197億美元,減
NAND閃存(Flash)合約價12月上旬緩慢下跌,內存模塊廠認為,短期將出現(xiàn)回調,12月底將可望觸底,明年元月間隨著中國農(nóng)歷年前的備貨需求來到,有機會出現(xiàn)價格止跌反彈。市場研究機構DRAMeXchange調查顯示,12月上旬N
北京時間12月21日早間消息,美國第一大存儲芯片制造商美光科技周四發(fā)布了其2013財年第一財季財報。由于PC市場需求不振導致供大于求,打壓了存儲芯片價格,美光科技當季凈營收18.3億美元,同比下滑12%;凈虧損從去年同
北京時間12月21日早間消息,美國第一大存儲芯片制造商美光科技周四發(fā)布了其2013財年第一財季財報。由于PC市場需求不振導致供大于求,打壓了存儲芯片價格,美光科技當季凈營收18.3億美元,同比下滑12%;凈虧損從去年同
NAND閃存(Flash)合約價12月上旬緩慢下跌,內存模塊廠認為,短期將出現(xiàn)回調,12月底將可望觸底,明年元月間隨著中國農(nóng)歷年前的備貨需求來到,有機會出現(xiàn)價格止跌反彈。市場研究機構DRAMeXchange調查顯示,12月上旬N
固態(tài)硬盤普及了,隨之而來的可靠性和壽命問題越發(fā)引人關注,特別是隨著NAND閃存工藝的進步,反而越來越不耐用了:MCL NAND閃存再25nm時代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E),20nm時代就只有3000次了
固態(tài)硬盤普及了,隨之而來的可靠性喝壽命問題越發(fā)引人關注,特別是隨著NAND閃存工藝的進步,反而越來越不耐用了:MCL NAND閃存再25nm時代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E),20nm時代就只有3000次了,TLC規(guī)格的更
雖然新的NVM技術將成為未來幾年的主流,但NAND閃存不太可能“一統(tǒng)江山”,因為新的NVM介質可能需要幾年的時間才能匹配NAND閃存的價格。NAND閃存所面臨的困境是由于技術方面的限制。隨著技術的不斷發(fā)展,廠商正不斷縮
據(jù)臺灣媒體報道,由于智能機領域對閃存芯片的需求量激增,世界前四大閃存芯片供應商,三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會提高其產(chǎn)品價格。到11月中旬,其價格漲幅可能將達10-15%。業(yè)內消息稱,由于蘋果iPhone
據(jù)臺灣媒體報道,由于智能機領域對閃存芯片的需求量激增,世界前四大閃存芯片供應商,三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會提高其產(chǎn)品價格。到11月中旬,其價格漲幅可能將達10-15%。業(yè)內消息稱,由于蘋果iPhone