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東芝與西部數(shù)據(jù)芯片業(yè)務糾紛將和解
據(jù)《華爾街日報》報道，知情人士透露，東芝和西部數(shù)據(jù)同意就東芝計劃出售存儲芯片部門一事達成和解，為這筆180億美元的交易掃清了一大障礙。
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內(nèi)存價格開始下滑：最高接近30%
最近一個多月的時間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。好消息是，閃存也終于要迎來降價了。日前，集邦咨詢旗下半導體研究中心
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NAND閃存超級周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn)
內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來，下行風險也隨之升高，受行業(yè)龍頭三星重挫影響其他的閃存供應商群股市集體大跌盤。
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Intel 10nm NAND閃存,64層堆疊，晶體管密度暴增2.7倍
Intel這幾年制造工藝的推進緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術先進性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱同樣是10nm，自己要比對手領先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。
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由東芝存儲器引起的“腥風血雨”何時才能結(jié)束
今年3月，總部位于臺灣新竹的記憶解決方案制造商 Macronix (旺宏電子)分別提交了美國地方法院訴訟和美國國際貿(mào)易委員會( ITC )投訴。據(jù)臺灣媒體報道，富士康正在與旺宏開展戰(zhàn)略聯(lián)盟，試圖在收購東芝內(nèi)存方面獲得優(yōu)勢。
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長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存！
國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存
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韓國3D NAND閃存Q3有望占全球一半市場
市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
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三星繼續(xù)統(tǒng)治全球NAND閃存市場，營收暴漲34%
三星在全球NAND閃存依然是統(tǒng)治性地位，去年營收141.51億美元，同比暴漲了34%，遙遙領先第二名的東芝。
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全面逆襲!國產(chǎn)自主3D NAND閃存大躍進
按照我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃看，存儲芯片是最優(yōu)先的，而紫光占據(jù)了這股發(fā)展力量的主力，去年7月，他們參與了長江存儲科技有限責任公司的投資，這是個總投資1600億元的國家存儲器項目，主攻3D NAND。
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8G手機內(nèi)存時代到來，SK海力士豪擲8億美元在華投資設廠
作為蘋果和索尼的供應商，世界第二大存儲芯片制造商SK海力士公司將花費127.73億人民幣在首爾南部的清州建造新工廠，還將斥資54.91億人民幣在無錫建廠，以增加動態(tài)隨機存取存儲（DRAM）芯片的產(chǎn)能。
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64層堆棧美光3D NAND閃存已在路上，小伙伴們期待么?
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
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東芝宣布推出最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器
東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用 3
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SSD大爆發(fā)!踩著機械硬盤的尸體飛奔
機械硬盤市場一片哀鴻遍野，西部數(shù)據(jù)和希捷都陷入了史上最低谷，同比跌幅超過20%，但是同時，SSD固態(tài)硬盤卻在持續(xù)爆發(fā)。TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2016年第一季度SSD全球出貨量達3077.7萬塊，同比猛增32.7%。 這其中，
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東芝面向汽車應用推出e·MMC NAND閃存
采用最先進的工藝技術，支持日益復雜的汽車信息娛樂應用的數(shù)據(jù)存儲和計算需求東芝公司旗下半導體與存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出面向汽車應用的15nm e･MMC TM[1]NAND閃
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詳解如何選擇合適的SSD驅(qū)動器
隨著信息的爆發(fā)式增長，相關部門在部署信息存儲應用時，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術，這是因為這種技術具有特別快速的性能。然而，他們可能沒有認識到市場上有不同版本
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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設計改進方案
自問世以來，NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術所需的
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ST閃存技術解析
前言閃存是手機、數(shù)碼相機、數(shù)字電視和機頂盒或發(fā)動機控制模塊等數(shù)字應用中一種十分常見的半導體存儲器，這類芯片需具備系統(tǒng)級編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?/p>
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性
賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應用的設計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設備和其他高安全應用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性
21ic訊，全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領導者賽普拉斯半導體公司(Nasdaq：CY)今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應用的設計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級
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東芝研發(fā)全球首款搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND閃存
東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
