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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元
據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，
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臺灣內(nèi)存模塊廠因新年業(yè)績下降
臺灣各大DRAM模組和NAND設(shè)備制造商的收入，在2012年1月錄得雙位數(shù)字的連續(xù)下跌，主因是由于農(nóng)歷新年假期造成工作天數(shù)下降。威剛科技已公布1月份業(yè)績?yōu)樾屡_幣21.1億元（7140萬美元），同比下降23.8％。該公司預計其出
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緊咬金士頓：SanDisk亦準備全面降價
日前有傳聞稱，金士頓計劃將旗下所有NAND閃存設(shè)備的價格降低最多15％，以刺激市場需求，而來自內(nèi)存條廠商的最新消息稱，SanDisk(閃迪)也準備調(diào)低旗下存儲卡、U盤等產(chǎn)品的價格，以保護自己的市場份額。SanDisk目前仍是
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第四季度全球NAND閃存出貨環(huán)比下滑8.6%
據(jù)國外媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的
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第四季度全球NAND閃存出貨環(huán)比下滑8.6%
據(jù)國外媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技（DramexchangeTechnologyInc）提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的
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2011年Q4全球NAND閃存市場銷售收入下降8.6%
2月6日消息,據(jù)臺灣地區(qū)媒體報道，據(jù)市場研究公司DRAMeXchange最新發(fā)表的數(shù)據(jù)顯示，2011年第四季度全球NAND閃存市場銷售收入為48.9億美元，環(huán)比下降8.6%。三星電子仍然是這個市場最大的供應(yīng)商。2011年第四季度NAND閃存
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海力士第四季度凈虧損2.13億美元超過預期
全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士周四公布了去年第四季度財報。由于PC銷售的放緩導致芯片價格的下降，海力士該季度虧損超過預期。海力士表示，在截至去年12月31日的第四季度中，凈虧損為2399億韓元(約合2.13億美元)，而
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閃存行業(yè)也掀起版權(quán)保護風潮
近日，包括松下(Panasonic)、三星(Samsung)、 SanDisk 、 Sony 和東芝 (Toshiba)五家主要的內(nèi)存廠商，宣布將針對 SD卡和‘嵌入式閃存’上的數(shù)字版權(quán)保護，共同催生下一代標準。這項工作目前暫命名為 ‘下一代安全內(nèi)存
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三星芯片工廠將落戶北京 投資規(guī)模40億美元
1月16日凌晨消息，新浪科技獲得的可靠消息顯示，三星電子在中國投資規(guī)模達40億美元的芯片工廠將落戶北京。分析師認為，這一投資在給地方政府帶來稅收等利好的同時，對國內(nèi)的半導體行業(yè)卻可能是一種傷害。1月4日，韓國
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三星芯片工廠將落戶北京 投資規(guī)模40億美元
1月16日消息，三星電子在中國投資規(guī)模達40億美元的芯片工廠將落戶北京。分析師認為，這一投資在給地方政府帶來稅收等利好的同時，對國內(nèi)的半導體行業(yè)卻可能是一種傷害。1月4日，韓國政府對外宣布，已經(jīng)批準三星電子在
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蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4
根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。 Saccon
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韓國周三批準三星在華投建40億美元閃存廠
北京時間1月4日消息，據(jù)國外媒體報道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準三星電子在中國建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模
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超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)
雖然NAND閃存可能在2020年末引領(lǐng)企業(yè)級固態(tài)存儲的蓬勃發(fā)展，不過這種技術(shù)潛在的對手已經(jīng)出現(xiàn)，并開始獲得業(yè)內(nèi)關(guān)注。這些技術(shù)包括相變內(nèi)存(PCM)、磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機存取內(nèi)存(RRAM)。在過去的數(shù)年中，
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三星閃存廠選址中國，為了廉價勞工還是技術(shù)轉(zhuǎn)移？
無論你是在西方市場、東方市場或是不屬于這兩個陣營的開發(fā)中國家，中國以及其貿(mào)易伙伴之間的關(guān)系，將會在接下來幾年主導輿論與決策方向，而且我敢說，時間將長達數(shù)十年。更進一步說，無論你是美國小鎮(zhèn)一家小型零售商
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親力親為？傳蘋果欲收購閃存廠Anobit
根據(jù)一份名為Calcalist的希伯來文刊物報導，PC與消費性電子大廠蘋果(Apple)正在洽商收購以色列新創(chuàng)公司 Anobit Technologies ，價格在4億至5億美元之間； Anobit 是 NAND閃存控制器開發(fā)商，號稱可提升閃存的耐久度(最
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英特爾和美光發(fā)布20nm工藝的128Gbit MLC NAND閃存
通過20nm工藝，在單枚芯片上實現(xiàn)128Gbit。 美國英特爾和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（當?shù)貢r間）發(fā)布了通過20nm級工藝技術(shù)制造的128Gbit MLC（2bit/單元）NAND閃存。美光科技NAND解決方案部門
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樹立行業(yè)新標桿：全球首款20納米制程NAND設(shè)備
英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技
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IMFT推出20納米制程的NAND閃存
日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進入量產(chǎn)；128GB NAND閃存預計于2012年進行量產(chǎn)。 20納米
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英特爾和美光推出20nm 128Gb多層單元NAND閃存
21ic訊 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進一步擴展了雙方在NAND制程
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2011年芯片廠商TOP20排名，英特爾雄風大振
英特爾（Intel）即將成為市值500億美元的公司，在2011年漲幅高達23%，在市場分析公司IHS的20大芯片廠商排名中,IHS初步預測英特爾在全球芯片產(chǎn)業(yè)的市場份額將由2010年的13.2%增長至2011年的15.9%。 考慮到過去幾年里
孫玉其
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情歌被打敗
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季冬
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