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我國半導體技術創(chuàng)新應用形勢研究分析
21世紀，半導體器件無處不在.同時，電力半導體在提高電力轉換效率方面的作用使之成為構筑低碳社會的基石。半導體技術的節(jié)能效果是顯而易見的。世界首臺采用電子管的電子計算機ENIAC重達30噸，耗電量高達200kW，而如今
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廣州國際照明展覽會盛大開幕
6月9日上午，中國進出口商品交易會琶洲會展中心人頭攢動，廣州光亞法蘭克福展覽有限公司主辦的全球最大規(guī)模照明&LED展——廣州國際照明展伴隨著激昂的中國鼓在此盛大開幕。 廣州市人民政府副秘書長危偉漢、廣州光
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我國半導體技術創(chuàng)新應用發(fā)展形勢研究分析
半導體器件的發(fā)明和應用深刻地改變了近50年的人類歷史發(fā)展進程。進入21世紀，半導體器件無處不在，已成為構筑信息化社會的基石。同時，電力半導體在提高電力轉換效率方面的作用使之成為構筑低碳社會的基石。半導體技
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我國半導體技術創(chuàng)新應用發(fā)展形勢研究分析
半導體器件的發(fā)明和應用深刻地改變了近50年的人類歷史發(fā)展進程。進入21世紀，半導體器件無處不在，已成為構筑信息化社會的基石。同時，電力半導體在提高電力轉換效率方面的作用使之成為構筑低碳社會的基石。半導體技
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豐田合成研發(fā)出次世代LED產(chǎn)品
近日，豐田合成(Toyota Gosei)成功研發(fā)出一款次世代LED產(chǎn)品，其亮度在6000至12000流明，可達現(xiàn)行產(chǎn)品的3倍，將可輕易制作出亮度可媲美水銀燈的LED照明產(chǎn)品。據(jù)報導，豐田合成所試作出的LED產(chǎn)品以氮化鎵(Gallium nitr
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意大利電信“急售”La7
隨著La7, La7d and MTV Italia的分離和意大利電信媒體傳播活動的展開，總公司意大利電信現(xiàn)在正決定“急售”國家廣電機構La7。 根據(jù)當?shù)孛襟w報道，Mediobanca銀行和花旗銀行已經(jīng)開始嘗試聯(lián)系不同的工業(yè)和金
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2012年德國線路板市場預計增長4.2%至14億歐元
6月4日消息，據(jù)媒體報道，德國電氣電子行業(yè)協(xié)會ZVEI主席Dr.WolfgangBochtler表示，2012年德國線路板市場預計增長4.2%至14億歐元。集成電路（IC）市場預計略降1.3%至7.12億歐元。電子設備市場（原廠制造和EMS代工）預
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業(yè)界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)
LED照明技術與解決方案的研發(fā)與制造領導廠商Bridgelux 公司，以及全球領導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發(fā)出業(yè)界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1
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氮化鎵在射頻通信中應用
氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。與現(xiàn)有技術相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、
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業(yè)界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)
LED照明技術與解決方案的研發(fā)與制造領導廠商Bridgelux 公司，以及全球領導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發(fā)出業(yè)界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1
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LED顯示屏像素失控原因分析
造成LED顯示屏像素失控的主要原因是LED失效,靜電放電是失效最大誘因造成LED顯示屏像素失控的原因很多，其中最主要的原因就是“LED失效”。LED失效的主因又可分為兩個方面：一是LED自身品質不佳；二是使用方
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西班牙電信在馬德里推出FTTP業(yè)務
5/16/2012, 西班牙電信Telefonica和馬德里市政府今天宣布將合作在今年年底前為該市130萬用戶提供100Mbps的FTTP寬帶業(yè)務。目前在馬德里的多個區(qū)，包括Hortaleza, Arganzuela， Moncloa-Aravaca和Fuencarral-El Pardo等
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華燦光電去年獲利1.25億元 藍綠光外延片實現(xiàn)自產(chǎn)
華燦光電2011年營業(yè)收入和凈利潤均保持快速增長，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.74億元，歸屬于公司普通股股東的凈利潤為1.25億元，公司銷售收入由2009年的1億元增長至2011年的4.74億元;年復合增長率達到117.36%，高于市場的增長
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蜂窩網(wǎng)絡趨勢引領新工藝前景方向
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。日本礙子在其他研究機構的協(xié)助
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豐田合成聯(lián)合昭和電工組建LED芯片合資企業(yè)
4月27日，日本LED制造商豐田合成和昭和電工宣布組建合資企業(yè)，生產(chǎn)GaN基LED芯片，以解決高端LED芯片應用市場。豐田合成與昭和電工在2009年曾簽署了一項專利交叉許可協(xié)議。 新的合資公司這將使他們“結合起來，最大限
