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Mobile DRAM市場(chǎng)供應(yīng)持續(xù)緊缺 原廠更有成本優(yōu)勢(shì)
由于NAND Flash與DRAM的生產(chǎn)設(shè)備差異不大，上游芯片廠DRAM與NAND Flash產(chǎn)線會(huì)按照市場(chǎng)的供需及價(jià)格的變化而轉(zhuǎn)換生產(chǎn)。以下是原廠存儲(chǔ)工藝狀況。 目前全球Mobile DRAM主要供應(yīng)商僅限于三星、爾必達(dá)(美光)、SK 海力士三
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垂涎SSD商機(jī)NAND Flash廠強(qiáng)化布局
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣新電子的消息，NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業(yè)者正對(duì)三層式儲(chǔ)存(TLC)顆粒的固態(tài)硬盤市場(chǎng)虎視眈眈。繼三星(Samsung)于2012下半年以其優(yōu)良的控制技術(shù)，成功推
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創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)：未來(lái)3個(gè)月DRAM、NAND Flash價(jià)格將緩跌
創(chuàng)見(jiàn)資訊董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)表示，因市場(chǎng)需求較弱，預(yù)計(jì)未來(lái)3個(gè)月DRAM、NAND Flash價(jià)格都將緩跌。 創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)今日指出，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)及儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)今年市場(chǎng)都有點(diǎn)供過(guò)于
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供應(yīng)商銷庫(kù)存 NAND Flash價(jià)格呈現(xiàn)跌勢(shì)
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示，主要系統(tǒng)OEM客戶因淡季需求疲弱而持續(xù)砍單，迫使 NAND Flash 供應(yīng)商必須采取更為積極的價(jià)格策略來(lái)減輕庫(kù)存壓力，因此 2月份NAND Flas
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2015年開(kāi)始3D NAND Flash將取代2D NAND Flash
新芯是國(guó)內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓，目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬(wàn)多片)，產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長(zhǎng)王繼增表示，公司定位從一開(kāi)始就是生產(chǎn)NOR Flash，制程
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究
摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
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攻利基型市場(chǎng) LED封裝廠宏齊接日廠SMD訂單
為擺脫產(chǎn)品價(jià)格下滑造成毛利表現(xiàn)疲弱影響，LED廠近年來(lái)積極尋找利基型市場(chǎng)的切入點(diǎn)，臺(tái)灣LED封裝廠宏齊日前取得日本客戶SMD新訂單，應(yīng)用于游戲機(jī)領(lǐng)域，并且從2014年2月開(kāi)始出貨，首批訂單合約為1年期，未來(lái)
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高階智慧型手機(jī)搭載Flash LED 臺(tái)廠有望受惠
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 隨著世界行動(dòng)通訊大會(huì)(MWC)昨(24)日登場(chǎng)，手機(jī)大廠計(jì)劃于會(huì)上發(fā)表的新機(jī)、采用規(guī)格已為市場(chǎng)矚目焦點(diǎn)。尤其，繼iPhone 5s后，即將發(fā)表的三星新旗艦機(jī)S5及擬于3月發(fā)表的宏達(dá)電HTC M8，皆傳
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覆晶技術(shù)成熟 三星導(dǎo)入Flash LED應(yīng)用
覆晶(Flip-Chip)技術(shù)逐步純熟，2014年覆晶產(chǎn)品導(dǎo)入各項(xiàng)應(yīng)用的比重將明顯提升，業(yè)者積極將覆晶技術(shù)導(dǎo)入FlashLED應(yīng)用，三星順勢(shì)擴(kuò)大FlashLED產(chǎn)品版圖，宣布推出采覆晶技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)格2016的FlashLED。FlashLED需要具
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1313亮晶晶 號(hào)稱全球最小Flash LED產(chǎn)品登場(chǎng)
無(wú)封裝產(chǎn)品自2013年以來(lái)已在LED產(chǎn)業(yè)掀起波瀾，各大LED廠紛紛投入資源研發(fā)無(wú)封裝與晶圓級(jí)封裝(chip-scale package,CSP)產(chǎn)品，三星也發(fā)布最新CSP產(chǎn)品訊息，推出全新Flash LED尺寸為1.3mm*1.3mm，這款型號(hào)為FC1313的產(chǎn)品
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HOLTEK推出BS82C16A-3最新一代Flash觸控單片機(jī)
21ic訊 Holtek推出新一代內(nèi)建LED / LCD Driver的Flash觸控MCU BS82C16A-3，BS82C16A-3支持16個(gè)觸控按鍵，除了保有上一代的優(yōu)點(diǎn)之外還比上一代觸控MCU更省電，觸控偵測(cè)的更新率更高，并且抗干擾的能力更好，而內(nèi)建的
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HOLTEK新推出HT45F65、HT45F67血糖儀Flash MCU
21ic訊 Holtek持續(xù)在醫(yī)療量測(cè)領(lǐng)域不斷追求卓越精進(jìn)，再推出高度整合，高性價(jià)比的血糖儀系列專用MCU HT45F65及HT45F67。HT45F65、HT45F67整合了高精準(zhǔn)度可程序調(diào)整的參考電壓源、專用運(yùn)算放大器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器及溫
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HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU
21ic訊 Holtek針對(duì)Power Bank領(lǐng)域，推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N，與第1代的Power Bank MCU相比，增加了更多的資源及更多的腳位，更適合Power Bank帶LED數(shù)碼管及LCD屏顯示等應(yīng)用。HT45
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HOLTEK新推出HT45F4MA、HT45FH4MA、HT45FH4MA-1 Power Bank Flash MCU
21ic訊 Holtek針對(duì)Power Bank領(lǐng)域，推出Power Bank Flash版本的MCU HT45F4MA、HT45FH4MA、HT45FH4MA-1，與沒(méi)有帶A的版本相比，加大了外部PMOS及NMOS的驅(qū)動(dòng)電流。HT45F4MA、HT45FH4MA、HT45FH4MA-1具備2K × 16
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HOLTEK新推出HT67F5640 20-bit Delta-Sigma A/D + LCD型Flash MCU
21ic訊 Holtek推出全新的20-bit Delta-Sigma A/D + LCD型Flash MCU產(chǎn)品，HT67F5640。ADC有效位數(shù)(ENOB)可達(dá)18位，全系列符合工業(yè)等級(jí) -40°C ~ 85°C 工作溫度與高抗噪聲之性能要求，提供I2C / SPI / UART接
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HOLTEK新推出BC66F840、BC66F850、BC66F860 2.4GHz RF Flash MCU系列
21ic訊 Holtek針對(duì)2.4GHz RF應(yīng)用領(lǐng)域，推出整合型Flash版本的2.4GHz MCU系列BC66F840、BC66F850、BC66F860三款。這個(gè)系列具有低耗電、高效能特性的2.4GHz RF Transceiver外，并結(jié)合Holtek八位控制器，提供用戶最便利
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影
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2013年南韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)順差創(chuàng)新高
南韓為全球記憶體主要出口國(guó)之一，為因應(yīng)其半導(dǎo)體以記憶體為大宗出口產(chǎn)品，南韓將半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)區(qū)分為記憶體與非記憶體兩大項(xiàng)。2013年南韓記憶體因全球DRAM、NAND Flash價(jià)格均較2012年上揚(yáng)，順差金額較2012年顯著擴(kuò)
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三星/HTC傳推雙Flash LED新機(jī) 億光、光寶科等料受惠
隨著世界行動(dòng)通訊大會(huì)(MWC)于2014年2月24日登場(chǎng)，手機(jī)大廠計(jì)劃于會(huì)上發(fā)表的新機(jī)、采用規(guī)格已為市場(chǎng)矚目焦點(diǎn)。尤其，繼iPhone 5s后，即將發(fā)表的三星新旗艦機(jī)S5及擬于3月發(fā)表的宏達(dá)電HTC M8，皆傳將搭載雙顆Flash LED，
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覆晶技術(shù)成熟三星導(dǎo)入Flash LED應(yīng)用
覆晶(Flip-Chip)技術(shù)逐步純熟，2014年覆晶產(chǎn)品導(dǎo)入各項(xiàng)應(yīng)用的比重將明顯提升，業(yè)者積極將覆晶技術(shù)導(dǎo)入FlashLED應(yīng)用，三星順勢(shì)擴(kuò)大FlashLED產(chǎn)品版圖，宣布推出采覆晶技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)格2016的Flash LED。 FlashLED需要
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