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HOLTEK新推出HT66FW2230 Wireless Charger A/D Flash MCU
21ic訊 Holtek針對無線充電領(lǐng)域，推出了Wireless Charger A/D Flash版本的MCU HT66FW2230。專為WPC QI Transmitter規(guī)范所設(shè)計(jì)的專用MCU。除了可處理WPC QI規(guī)范所需的PID控制，達(dá)到規(guī)范需求。并對于無線電源功率控制
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HOLTEK推出BS84B06A-3最新一代Flash觸控單片機(jī)
21ic訊 繼BS84B08A-3之后，Holtek再度推出新一代內(nèi)建LED Driver的Flash觸控MCU BS84B06A-3，支持最多6個(gè)觸控按鍵，除了保有上一代的優(yōu)點(diǎn)之外還比上一代觸控MCU更省電，觸控偵測的更新率更高，并且抗干擾的能力更好。
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HOLTEK發(fā)布閃存微控制器Cost-Effective Flash MCU
日前，Holtek再度發(fā)布小型封裝與最佳性價(jià)比的Cost-Effective Flash MCU，有A/D型的HT66F002/003與I/O型的HT68F002/003。其中HT66F002/003所內(nèi)建的一個(gè)12-bit ADC可以選擇Bandgap做為ADC參考電位，這意味MCU即使在不
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單片機(jī)顯控系統(tǒng)中的漢字輸入
摘 要：在實(shí)際應(yīng)用中，特別是在需要實(shí)時(shí)大量輸入漢字的顯控處理應(yīng)用中，利用傳統(tǒng)單片機(jī)顯控設(shè)計(jì)方法是無法實(shí)現(xiàn)的;通過對漢字內(nèi)碼的分析,給出硬件漢字庫的制作方法，提出針對一、二級漢字庫編碼檢索的拼音輸入檢索方
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詳解TCC89x的Hive Registry設(shè)置
//=====================================================================//TITLE:// 詳解TCC89x的Hive Registry設(shè)置//AUTHOR:// norains//DATE:// Tuesday 16-November
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UC系列通用嵌入式軟硬件平臺
隨著近年來嵌入式技術(shù)的發(fā)展，嵌入式產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛，但是嵌入式產(chǎn)品開發(fā)需要很大投入，要搭建各種軟件硬件平臺，才能開發(fā)出合適的嵌入式產(chǎn)品。嵌入式軟硬件平臺的搭
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嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)技術(shù)研究
摘要：以PowerPC8xx系列處理器為例，通過對此類處理器的引導(dǎo)模式、引導(dǎo)代碼的編寫和調(diào)試，以及如何引導(dǎo)操作系統(tǒng)執(zhí)行等問題的研究，探索嵌入式系 統(tǒng)引導(dǎo)過程的一種解決方案。
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基于ARM-μCLinux嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)
摘要：介紹了ARM-μCLinux嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)組成，重點(diǎn)分析了ARM--μCLinux嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)引導(dǎo)的過程實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)啟動(dòng)引導(dǎo)的技術(shù)難點(diǎn)，提出了一種有效的啟動(dòng)引導(dǎo)方案。 關(guān)
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NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
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NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
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系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價(jià)續(xù)揚(yáng)2-5%
市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲
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NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)
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HOLTEK新推出HT67F60A/70A最佳性價(jià)比、功能強(qiáng)大的A/D LCD Flash MCU系列
繼現(xiàn)有的TinyPowerTM A/D with LCD型Flash MCU HT67Fxx系列，Holtek再推出HT67F60A、HT67F70A，除承襲原有多樣完整的功能外，并將程序空間推展到32KWords，同時(shí)使用Holtek新推出的加強(qiáng)型MCU核心，增加跨Bank內(nèi)存的存
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分析師預(yù)言英特爾、美光將在NAND市場分道揚(yáng)鑣
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 快閃存儲器業(yè)務(wù)上分道揚(yáng)鑣嗎?一位市場分析師斷言，美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對此發(fā)表評論，表示該分析師
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JTAG口及其對Flash的在線編程
摘要：通過JTAG實(shí)現(xiàn)對Flash在線編程。首先，介紹JTAG的定義、結(jié)構(gòu)及引腳的定義，并闡述JTAG狀態(tài)機(jī)的工作原理。然后，介紹JTAG口的邊界掃描寄存器，給出實(shí)現(xiàn)JTAG在線寫Flash
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HOLTEK新推出HT66FV140 Enhanced Flash Voice MCU
21ic訊 Holtek推出全新的Enhanced Flash Voice MCU HT66FV140。HT66FV140是一款應(yīng)用在語音產(chǎn)品的單片機(jī)。由于愈來愈多的家電或消費(fèi)性產(chǎn)品需要加入語音功能，HT66FV140 Flash MCU經(jīng)由硬件SPI接口搭配外掛SPI Flash
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HOLTEK推出BS82D20A-3最新一代Flash觸控單片機(jī)
21ic訊 繼BS82C16A-3之后，Holtek再度推出新一代內(nèi)建LED/LCD Driver的Flash觸控MCU BS82D20A-3，支持高達(dá)20個(gè)觸控按鍵，除了保有上一代的優(yōu)點(diǎn)之外還比上一代觸控MCU更省電、觸控偵測的更新率更高，并且抗干擾的能力
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旺宏75納米NOR Flash第4季量產(chǎn)
據(jù)港臺媒體報(bào)道，全球非揮發(fā)性內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子宣布，由于制程技術(shù)研發(fā)成果順利，其生產(chǎn)制造的NOR型閃存(NOR Flash Memory)，將跳過90納米制程，直接導(dǎo)入至75納米，并
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VxWorks中怎么從Flash BOOT
作者Email: jinyuhe@163.com 摘要： 本文主要介紹VxWorks系統(tǒng)在MPC860系列處理器的開發(fā)中怎么實(shí)現(xiàn)去掉BOOT Flash，直接從Flash引導(dǎo)VxWorks的BootRom。 關(guān)鍵詞：BOOT Flash
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
