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NAND Flash進入10納米時代
不同于系統(tǒng)半導體、NAND Flash已展開10納米時代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術，有利DRAM的先進制程轉換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產
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NAND Flash進入10納米時代
不同于系統(tǒng)半導體、NAND Flash已展開10納米時代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術，有利DRAM的先進制程轉換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產
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系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價續(xù)揚2-5%
市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤極大化，開始重新配置產能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動6月下旬NAND Flash顆粒合約價上漲
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NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)
全球市場研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，NAND Flash供應商為了追求利潤極大化，開始重新配置產能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求，帶動6月下旬NAND Flash顆粒合約價
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DRAM合約價明顯上漲 估下半年需求增溫
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，6月下旬合約價持平，4GB均價為30.5美元，換算顆粒價格約為3.5美元，與現(xiàn)貨價格(DDR3 4Gb 512M
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專家：磁阻式隨機存取記憶體的時代還沒來
磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)或許在許多應用領域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力，但就連市場上唯一家生產這種非揮發(fā)性記憶體的供應商都認為，這種取代的過程得花上好一段時間。
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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)
1 引言FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構
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預測：2014全球IC設計產業(yè)營收一覽
根據(jù)TRI觀察，2014上半年臺灣IC設計產業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素，拉動了智慧手機晶片、驅動IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲，形成半導體產業(yè)少
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消息稱爾必達正考慮收購臺灣DRAM廠
排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM廠爾必達(Elpida Memory)，正考慮收購臺灣DRAM同業(yè)以鞏固自身市場地位?彭博社(Bloomberg)的一篇報導指出，由臺灣
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美光多元化布局 不再獨鐘DRAM產品
美系存儲器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財報，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營收比重有僅剩下25%，受到下半年標準型DRAM價格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
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爾必達傳來臺發(fā)TDR 闖關恐不易
臺灣TDR市場有機會再添一檔重量級新兵!券商圈傳出日系DRAM大廠爾必達(Elpida)有意來臺申請TDR掛牌，藉此拓展多元化的募資管道。然而，據(jù)了解，券商界目前為止尚無人籌組承銷
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嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產品之一，已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內，集成有DRAM RCU單元
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美光半導體移動DRAM 架構總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽 “卓越獎”
憑借長達 12 年服務于 JEDEC 和標準委員會的敬業(yè)精神以及在促進下一代移動低功耗 DRAM 技術發(fā)展方面所起的重要作用，Daniel Skinner 贏得技術領導者們的一致贊譽。21ic訊—BOISE，2014 年 6 月 19 日 — 美
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大廠偏重生產移動存儲器,DRAM供貨吃緊
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產能從標準型記憶體轉移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉進25nm制程良率偏低及20nm制程轉進有延宕的情形
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6月上旬NAND Flash合約價上漲2-4%
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，近期各家智慧型手機大廠備貨力道明顯升溫，加上NANDFlash廠商加速轉進新制程導致供貨縮減，6月上旬NANDFlash合約價上
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中國智能手機商機大 SK海力士示好盼擴大合作
中國市場誘人，SK海力士(SK hynix)18日在深圳拉生意，盼尋找新商機，擴展在中國高階行動裝置的滲透率；在此同時，該公司獲利展望熱絡，18日股價創(chuàng)下2002年以來新高。韓國時報(Korea Times)18日報導，SK海力士在深圳為
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六月上旬NAND Flash合約價上漲2-4% 第三季可望續(xù)上漲
市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，近期各家智能型手機大廠備貨力道明顯升溫，加上NAND Flash廠商加速轉進新制程導致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價上漲2-4%。展望第三季，
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大廠產能轉移DRAM供貨吃緊
全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產能從標準型記憶體轉移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉進25nm制程良率偏低及20nm制程轉進有延宕的情形下，2014下
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華邦電：物聯(lián)網(wǎng)有20年好光景
華邦電董事長焦佑鈞DRAM廠華邦電子（2344）昨（17）日順利召開股東常會并順利改選董監(jiān)，董事長焦佑鈞表示，今年下半年產業(yè)景氣不錯，總體經濟也不錯，DRAM廠經過幾年整并后已不再盲目擴產，市場可望安定。另外，焦佑
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大廠偏重生產移動存儲器,DRAM供貨吃緊
全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產能從標準型記憶體轉移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉進25nm制程良率偏低及20nm制程轉進有延宕的情形
