[導讀]為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。
DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術。但也有些分析師，包括Need
為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。
DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質性的太多進展。
三星表示DDR3能使設計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60％(速度提高到每秒133Mb時)。
未來Xeon 5500處理器結合DDR3的應用將大大提升企業(yè)server的數(shù)據(jù)傳輸速率。
英特爾上月正式推出45納米的Nehalm服務器版本，Xeon 5500芯片將可把存儲器控制芯片及高速互聯(lián)集成在一起。
按三星公司的說法，DDR3的解決方案己經(jīng)得到Intel 5500平臺的驗證。三星的DDR3器件已經(jīng)通過英特爾的驗證程序，包括1Gb、2Gb、4Gb、8Gb直到16Gb的雙線存儲器模塊(DIMMs)以及1Gb、2Gb、4Gb不帶緩存的DIMMs。
與60nm的DDR3芯片比較，三星最新推出的50nm芯片每秒速率可達800Mb、1066Mb及1333Mb，并在1333Mbps時功耗降低40％。
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據(jù)業(yè)內消息，目前三星正在研發(fā)一種智能戒指，佩戴后可以監(jiān)測使用者的活動健康數(shù)據(jù)，因為輕便續(xù)航高且可長時間佩戴等優(yōu)點，不少業(yè)內人士認為其會取代智能手環(huán)和手表。
關鍵字： 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指
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