PC明星產(chǎn)品固態(tài)硬盤的發(fā)展速度依然激進,SK海力士今天宣布,已經(jīng)成功研發(fā)出72層堆疊、單晶片容量256Gb的3D TLC閃存芯片。由此,SK海力士成為業(yè)界第一,領(lǐng)先三星和東芝的64層。于是,一片封裝完成的閃存芯片的最高容
由Digital Media Lab、谷歌和哈斯特大學開發(fā),這款名為WatchThru的智能手表可讓用戶體驗全息影像,無需使用任何增強現(xiàn)實眼鏡。
英特爾(Intel)終于發(fā)表了第一款采用3D XPoint內(nèi)存的固態(tài)硬盤(SSD),這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內(nèi)存技術(shù),建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術(shù)生產(chǎn)的第一批存儲器產(chǎn)品,公司希望該技術(shù)能夠重塑計算器存儲器市場,并讓自己從科技領(lǐng)域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè),3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
慧榮Silicon Motion是一家老牌的存儲設(shè)備控制器廠家,現(xiàn)在有相當多的SSD在使用他家的主控,連Intel的SSD也在用,現(xiàn)在他們公布了旗下第一款整合主控與閃存的BGA SSD——FerriSSD。
3D打印為人類帶來諸多福音,其中最令人印象深刻的是3D打印假肢。該技術(shù)讓假肢制造實現(xiàn)定制化,而其低廉的價格也正在推動假肢的平民化。在這個特殊領(lǐng)域,美國非營利性組織LifEnabled一直在致力于為世界上最貧困地區(qū)的截肢者生產(chǎn)假肢,并引領(lǐng)著假肢制造技術(shù)的走向。
2015年中Intel、美光聯(lián)合宣布了革命性的3D XPoint閃存,這種新型的閃存號稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍,存儲密度則是后者10倍,高性能、低功耗、大容量而且是非易失性的,簡直可以算是存儲芯片中的黑科技了,直到現(xiàn)在外界對3D XPoint閃存的技術(shù)細節(jié)都沒深入了解,Intel也沒公開這些秘密。
3D成像是靠人兩眼的視覺差產(chǎn)生的。人的兩眼(瞳孔)之間一般會有8厘米左右的距離。要讓人看到3D影像,就必須讓左眼和右眼看到不同的影像,使兩副畫面產(chǎn)生一定差距,也就是模擬實際人眼觀看時的情況。3D的立體感覺就是如此由來的。
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃內(nèi)存(Flash Memory)競爭越來越激烈,東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領(lǐng)先全球同業(yè)開始提供堆疊 64 層的 256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨,之后三星于去年 8 月宣布,堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品將在 2016 年 Q4(10-12月)開賣。而現(xiàn)在又換東芝出手,宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash 已進行送樣,且將在今年下半年量產(chǎn)。
Intel、美光發(fā)布3D XPoint閃存已經(jīng)一年多了,號稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍,容量密度是后者10倍,各種黑科技秒殺當前的閃存水平。從去年底開始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤問世,消費級容量是16/32GB,企業(yè)級有個375GB的DC P4800X系列,隨機性能確實很強大。
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動下,存儲器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境,開展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新,是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。
按照我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃看,存儲芯片是最優(yōu)先的,而紫光占據(jù)了這股發(fā)展力量的主力,去年7月,他們參與了長江存儲科技有限責任公司的投資,這是個總投資1600億元的國家存儲器項目,主攻3D NAND。
據(jù)報道,科學家把最新技術(shù)用于治療癌癥總是喜大普奔的消息,但虛擬現(xiàn)實技術(shù)與治療癌癥似乎風馬牛不相及。不過,劍橋大學研究人員計劃探索虛擬現(xiàn)實和3D可視化技術(shù)在治療癌癥方面的應(yīng)用。
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長,各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號,若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國3D NAND Flash有望彎道超車。
目前英特爾和美光對3D XPoint應(yīng)用的物理特性閉口不談,資料更是匱乏。一些不具名的介紹資料顯示,3D XPoint使用的標記數(shù)據(jù)狀態(tài)的物理值不是業(yè)內(nèi)常用的電壓、也不是電流...
不僅是空客,美國通用電氣公司不久前也主動上門洽談合作。創(chuàng)新成果被航空業(yè)巨頭競相追逐,表明了我國在3D打印技術(shù)上已經(jīng)由“跟跑”開始進入“領(lǐng)跑”階段。
據(jù)外媒報道,一向在蘋果產(chǎn)品預測上神準的臺灣凱基證券分析師郭明錤稱,今年蘋果將對Touch ID和3D Touch兩項技術(shù)進行重大升級。
還在抱怨iPhone的3D Touch技術(shù)不好嗎?近日,凱基證券分析師郭明池稱,蘋果或?qū)⒃谙乱淮鶲LED版本的iPhone中使用全新的3D Touch模塊技術(shù)。