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半導(dǎo)體 “黑天鵝”陰云籠罩行業(yè)復(fù)蘇
鑒于半導(dǎo)體行業(yè)顯然處于下行周期中(盡管有愚蠢的人否認(rèn)周期性的存在)，大多數(shù)投資者和行業(yè)參與者都想知道下行周期的時(shí)間和復(fù)蘇的形態(tài)，因?yàn)槲覀兿胫篮螘r(shí)再購買股票是安全的。我們也想嘗試預(yù)測(cè)復(fù)蘇的爬升速度，以評(píng)估行業(yè)和股票的增長。
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缺少了3D Touch功能，蘋果為iPhone XR增加觸覺反饋功能！
不過自iPhone XR發(fā)售以來的軟件更新可知，iPhone XR的觸覺反饋功能還是比較有限的，而且無法擴(kuò)展通知中心的通知，也無法查看更豐富的通知內(nèi)容，像Peek和Pop這樣的3D Touch功能不太可能適用于iPhone XR，因?yàn)樗鼈円蕾囉趨^(qū)分不同層級(jí)的壓力。
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canvas 3d學(xué)習(xí)一 應(yīng)用結(jié)構(gòu)
Qt Canvas 3D是Qt 基于WebGL的3D內(nèi)容運(yùn)行環(huán)境。由于QtQuick本身就是通過類js引擎執(zhí)行，而且渲染層面基于opengl技術(shù)。故結(jié)合webgL和Qtquick的優(yōu)勢(shì)，利用js高效的
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美光推出非易失性內(nèi)存：單根32GB，頻率為2933MHz，掉電自動(dòng)保存數(shù)據(jù)
日前美光正式推出了一款非易失性內(nèi)存NVDIMM，除了單根32GB容量、頻率高達(dá)2933MHz之外，它還有一個(gè)秘密武器，就是在系統(tǒng)掉電時(shí)，能將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到NAND閃存中。
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宜鼎工業(yè)高級(jí)3D NAND SSD 全球量產(chǎn)正式啟動(dòng)
工控儲(chǔ)存領(lǐng)導(dǎo)廠商宜鼎國際，旗下工業(yè)級(jí)3D NAND SSD將正式于10月份開啟全球量產(chǎn)，穩(wěn)步提高產(chǎn)能。宜鼎國際董事長簡川勝表示，為提供業(yè)界高等級(jí)工控品質(zhì)，宜鼎3D NAND TLC花費(fèi)超過兩年時(shí)間進(jìn)行前期導(dǎo)入測(cè)試以及工規(guī)等級(jí)的壓力震動(dòng)測(cè)試，目前已成功導(dǎo)入客戶端，并持續(xù)以高端規(guī)格支持工控產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
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英特爾美光合作徹底結(jié)束？美光15億美元收購IMFT剩余股份
1978年10月18日，美光公司正式成立，現(xiàn)今差不多是美光成立四十周年，如今的美光已經(jīng)是全球第四大半導(dǎo)體公司。除了四十年紀(jì)念日，今天美光還宣布了一件事，那就是收購與英特爾合資的IM Flash（簡稱I
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分析：節(jié)能、3D與觸控技術(shù)總領(lǐng)FPD未來
根據(jù)資策會(huì)MIC的觀察，在2009年日本橫濱所舉辦的“平面顯示器應(yīng)用產(chǎn)品展覽會(huì)暨研討會(huì)”中，SHARP、Samsung、LG Display、AUO、CMO等臺(tái)灣、日本及韓國的主要參展廠
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全球首款立體LED誕生
第29屆奧林匹克運(yùn)動(dòng)會(huì)開幕式，中國以一臺(tái)神奇瑰麗、極富中國特色的視覺盛宴征服了世界。其實(shí)，這不僅是一場(chǎng)美輪美奐的開幕盛典，更是世界LED技術(shù)應(yīng)用史上難忘的一刻。LED技
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滿足先進(jìn)汽車系統(tǒng)需求！西數(shù)3D NAND進(jìn)入車用市場(chǎng)！
Western Digital(西部數(shù)據(jù))公司近日推出了全球首款名為“i-NAND AT EU312 EFD”的3D TLC NAND車用嵌入式快閃存儲(chǔ)器，以滿足高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛汽車等先進(jìn)汽車系統(tǒng)的需求。
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美光收購3D XPoint晶圓廠，英特爾：不會(huì)影響傲騰產(chǎn)品線
美光目前控制其與英特爾的合資企業(yè)IMFT的51%，并有權(quán)在某些條件下收購英特爾的股份。美光公司已表示有意在明年完成此項(xiàng)交易，該交易將需要長達(dá)12個(gè)月的時(shí)間才能結(jié)束，在此期間專門生產(chǎn)3D XPoint的晶圓廠將照常工作，并將制造英特爾Optane品牌產(chǎn)品。
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手機(jī)性能將更強(qiáng)悍！，西數(shù)全球首發(fā)96層3D NAND嵌入閃存
西部數(shù)據(jù)公司推出了96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻
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3D XPoint格局要改變？美光宣布收購英特爾晶圓廠股份
根據(jù)英特爾與美光于2005年簽署的合資協(xié)議條款，后者控制著51%的公司，并有權(quán)在特定條件下收購剩余股份。早在2012年，英特爾就已經(jīng)將Micron在新加坡和弗吉尼亞州的IM Flash工廠的股權(quán)出售給了他們，這使得IM Flash在猶他州Lehi附近只有一家生產(chǎn)工廠。
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面向手機(jī)、平板，西數(shù)發(fā)布96層3D NAND UFS 2.1存儲(chǔ)
近日，西部數(shù)據(jù)公布了96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲(chǔ)，該存儲(chǔ)主要面向手機(jī)、平板電腦和筆記本等智能終端?，F(xiàn)在移動(dòng)終端和我們的行為正在產(chǎn)生更多數(shù)據(jù)，而數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)容量，對(duì)速度和穩(wěn)定性的需求越來
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和Intel較勁？美光攻新型態(tài)存儲(chǔ)器3D Xpoint
相較于Intel在3D Xpoint已經(jīng)有Optane系列的SSD產(chǎn)品，美光在此技術(shù)發(fā)展較為緩慢，目前還沒有產(chǎn)品正式推出，在這次高峰會(huì)上，美光所有高階主管對(duì)于第二代3D Xpoint發(fā)展特點(diǎn)與細(xì)節(jié)都守口如瓶，目前仍無法拿美光產(chǎn)品與Intel 產(chǎn)品比較。
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與英特爾分手后，美光第二代3D Xpoint為何遲遲不發(fā)布？
據(jù)了解，此項(xiàng)技術(shù)由英特爾和美光于2015年攜手推出，兩家將在2019年共同完成第二代3D Xpoint技術(shù)開發(fā)后分道揚(yáng)鑣。
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貿(mào)澤開售SanDisk iNAND 8251 嵌入式閃存 為移動(dòng)AR和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供高效存儲(chǔ)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起備貨SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式閃存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技術(shù)和UFS 2.1快速接口，具有出眾的讀寫性能，可為大多數(shù)輕薄型計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)設(shè)備提供存儲(chǔ)解決方案。
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西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布面向高端智能手機(jī)的96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤
西部數(shù)據(jù)公司近日推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(EFD)-西部數(shù)據(jù)iNAND?MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。
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大容量存儲(chǔ)需求強(qiáng)勁！西部數(shù)據(jù)發(fā)布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲(chǔ)
西數(shù)發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲(chǔ)就是針對(duì)這一情況發(fā)布的產(chǎn)品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，針對(duì)目前熱門的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領(lǐng)域有所優(yōu)化。
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3D Touch和Haptic touch有什么不同
從某種程度上來說，3D Touch 技術(shù)被蘋果浪費(fèi)了。3D Touch 受到很多用戶的歡迎，但是它除了在受支持的應(yīng)用圖標(biāo)上獲取快捷菜單、在文件和照片應(yīng)用中預(yù)覽之外，并沒有獲得真正的推廣。
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長江存儲(chǔ)高啟全：未來10年閃存 20%的市占率才能存活
對(duì)于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。
