4月11日,國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。長江日報記者了解到,設(shè)備搬入、調(diào)試將耗費3個月左右的時間,然后開始小規(guī)模試產(chǎn),如順利,今年四季
據(jù)報道,由私募投資公司貝恩資本牽頭的東芝芯片業(yè)務(wù)收購財團(tuán)警告西部數(shù)據(jù),如果想繼續(xù)合作關(guān)系,就放棄推翻這一交易的嘗試,和解法律訴訟。
然而對于東芝向貝恩出售閃存芯片業(yè)務(wù),西部數(shù)據(jù)表示感到失望。并稱這一交易是在沒有獲得其同意的情況下達(dá)成的。
西部數(shù)據(jù)表示,它對東芝將閃存芯片業(yè)務(wù)出售給由私募投資公司貝恩領(lǐng)銜的財團(tuán)感到“失望”,稱這一交易是在沒有獲得其同意的情況下達(dá)成的。
近日消息,三星電子稱預(yù)計未來三年將投資70億美元,擴大其在中國西安工廠的NAND閃存芯片(晶片)生產(chǎn)。據(jù)路透社報道,該公司在一份監(jiān)管文件中稱,28日已批準(zhǔn)70億美元預(yù)期投資中的23億美元支出。報道稱,三星電子7月初曾
三星電子8月28日宣布,該公司計劃在未來3年投資70億美元在中國西安擴大NAND存儲芯片產(chǎn)能,目前已有23億美元在周一獲得了管理委員會的批準(zhǔn)。
傳說中的iPhone 8可能是歷代iPhone中保密最差的一款,尤其是隨著新機發(fā)布的臨近,各種零部件在網(wǎng)絡(luò)上的曝光更是讓人眼花繚亂。日前,在微博上首次泄露所謂iPhone 8顯示屏總成的諜照之后,又有據(jù)稱是該機的主板浮出水面,并確認(rèn)了A11處理器和閃存芯片的位置,但傳聞iPhone 8所帶來的無線充電功率最高或只有7.5W,在充電速度方面有些令人失望。
東芝的存儲業(yè)務(wù)可謂是業(yè)界的一塊“香餑餑”,從宣布要出售以來,就被各大企業(yè)看中和爭搶,其中備受關(guān)注和被看好的有:西部數(shù)據(jù),SK海力士和富士康。但是,因為涉及到巨大利益和是否會技術(shù)外流,東芝的選擇是慎之又慎,甚至連日本政府都參與到該事件中。也正是因為如此,東芝和誰都處于談不攏的狀態(tài),所以,存儲業(yè)務(wù)也一直沒有被賣出去。最近好像事情變得有點嚴(yán)重了呀,快隨小編來看看吧!
東芝2016財年財報雖姍姍來遲但終于獲得審計機構(gòu)確認(rèn)避免了被退市。報告顯示,在截至3月31日的2016財年中,公司營收為4.8萬億日元(約合436億美元),凈虧損9657億日元(約合88億美元),低于分析師平均預(yù)計的9774億日元凈虧損及東芝方面自主預(yù)計的1.01萬億日元最高凈虧損額。同時公布的4至6月的2017財年第一財季財報顯示,公司營業(yè)利潤創(chuàng)下同期歷史新高達(dá)到966億日元。
存儲器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件,一直是芯片行業(yè)的重要組成部分,也是我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中,東芝出售存儲芯片業(yè)務(wù)絕對要算在其中,且近日又有關(guān)于此事的消息傳出。
人們一直期待著更快、更實惠、更可靠的存儲產(chǎn)品,而大型數(shù)據(jù)中心則更關(guān)注與能源效率。本文要為大家介紹的,就是東芝 BiCS 3D TLC NAND 閃存所使用的硅穿孔(TSV)技術(shù)。其聲稱可減少存儲應(yīng)用的功耗,同時保障低延時、高吞吐、以及企業(yè)級 SSD 的每瓦特高 IOPS 。據(jù)外媒所述,這是當(dāng)前業(yè)內(nèi)首個推向市場的硅穿孔 NAND 閃存產(chǎn)品。
據(jù)外電報道,來自銀行方面的消息人士透露,由于同日本政府基金--日本產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)--牽頭組成的財團(tuán)之間的談判陷入僵局,東芝又同西部數(shù)據(jù)、富士康等公司重啟了出售儲存芯片業(yè)務(wù)的談判。
三星電子今天宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)64層256Gb V-NAND閃存芯片,該閃存芯片將用于服務(wù)器,PC和移動設(shè)備。三星在今年一月份開始為主要IT客戶生產(chǎn)基于64層256Gb V-NAND芯片的
據(jù)報道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。
鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
華為有意設(shè)計閃存芯片,然后與SK Hynix、三星或美光等業(yè)界領(lǐng)先廠商合作,制造自主設(shè)計的閃存芯片。
目前有媒體報道稱,華為有意開發(fā)GPU(圖形處理器)和閃存芯片。過去3年華為一直在開發(fā)麒麟操作系統(tǒng),目的是減輕對Android的依賴。麒麟操作系統(tǒng)的問題在于缺乏提供有大量應(yīng)用可供用戶下載的應(yīng)用商店。
華為大多數(shù)手機都配置由它自主設(shè)計的麒麟芯片,目的是減輕對Android的依賴。而麒麟操作系統(tǒng)卻存在一定問題。。。
北京時間4月4日下午消息,據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道,由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加,東芝最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項
根據(jù)東京《日刊工業(yè)新聞》報的報道稱,東芝公司將會加大位于日本三重縣四日市的Fab5工廠的NAND閃存芯片的產(chǎn)能。業(yè)內(nèi)預(yù)計,東芝的這項決定將會導(dǎo)致全球NAND閃存芯片價格在20