​三星電子8月28日宣布，該公司計劃在未來3年投資70億美元在中國西安擴大NAND存儲芯片產(chǎn)能，目前已有23億美元在周一獲得了管理委員會的批準。

“這筆投資旨在滿足中長期日益增長的NAND閃存芯片需求，”三星稱，但三星發(fā)言人拒絕披露已批準或計劃中的投資將會增加多少芯片產(chǎn)能。7月4日，三星電子宣布計劃在韓國投資186億美元時曾表示，將會在位于西安的NAND生產(chǎn)基地增加一條生產(chǎn)線，但當時并未確定具體的投資金額和時間。

目前，三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線在2014年興建，月產(chǎn)12萬片NAND內(nèi)存晶圓。若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，預計產(chǎn)量將達20萬片。

由于用戶對消費電子產(chǎn)品處理能力的需求不斷增長，以及隨著技術越來越復雜，投資的生產(chǎn)收益下降，預計三星等存儲器芯片公司將在2017年錄得創(chuàng)紀錄的營收和利潤。

市場研究公司IHS發(fā)布的數(shù)據(jù)，三星電子今年第二季度約占全球NAND閃存芯片營收的38.3%。IHS預計，今年的存儲器行業(yè)收入將躍升32%至創(chuàng)紀錄的1,040億美元。三星電子表示，存儲芯片市場的繁榮使得該公司在第二季度實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的利潤，這一趨勢有望延續(xù)到今年第三季度。

中國計劃發(fā)展自己的存儲芯片生產(chǎn)商，但分析師認為，想要與現(xiàn)有的廠商展開競爭，可能還需要幾年時間。