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Intel將向美光出售合資NAND閃存廠股份
Intel同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為Intel供貨NAND閃存產(chǎn)品，而Intel則將向美光出售價(jià)值6億美元的兩家合資晶圓廠股份。 協(xié)議規(guī)定
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東芝聯(lián)手SanDisk研發(fā)出全球最小的16GB閃存芯片
東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit（16GB）NAND閃存芯片。該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。該閃存芯片運(yùn)用3-bit-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)。該
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東芝聯(lián)手SanDisk開發(fā)全球最小128Gb閃存芯片
東芝(微博)周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。該閃存芯片運(yùn)用3-bit-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)
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東芝聯(lián)手SanDisk開發(fā)全球最小128Gb閃存芯片
北京時(shí)間2月23日晚間消息，東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。該閃存芯片運(yùn)用3-
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全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)環(huán)比下滑8.6%
根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技（Dramexchange Technology Inc）提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額
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全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元
據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，
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2011年Q4全球NAND閃存市場(chǎng)銷售收入下降8.6%
2月6日消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange最新發(fā)表的數(shù)據(jù)顯示，2011年第四季度全球NAND閃存市場(chǎng)銷售收入為48.9億美元，環(huán)比下降8.6%。三星電子仍然是這個(gè)市場(chǎng)最大的供應(yīng)商。2011年第四季度NAND閃存
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三星新工廠空降北京 國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)迎挑戰(zhàn)
電子科技在不斷更新發(fā)展當(dāng)中，盡管去年由于整體經(jīng)濟(jì)大環(huán)境不振影響，導(dǎo)致全球電子行業(yè)大環(huán)境景氣不再，但隨著今年各種災(zāi)禍所帶來的影響逐漸消退并得到改善，電子行業(yè)也在緩慢復(fù)蘇當(dāng)中，之前隨之陷入低迷的芯片
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三星芯片工廠將落戶北京 投資規(guī)模40億美元
1月16日凌晨消息，新浪科技獲得的可靠消息顯示，三星電子在中國(guó)投資規(guī)模達(dá)40億美元的芯片工廠將落戶北京。分析師認(rèn)為，這一投資在給地方政府帶來稅收等利好的同時(shí)，對(duì)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)卻可能是一種傷害。1月4日，韓國(guó)
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三星芯片工廠將落戶北京 投資規(guī)模40億美元
1月16日消息，三星電子在中國(guó)投資規(guī)模達(dá)40億美元的芯片工廠將落戶北京。分析師認(rèn)為，這一投資在給地方政府帶來稅收等利好的同時(shí)，對(duì)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)卻可能是一種傷害。1月4日，韓國(guó)政府對(duì)外宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在
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蘋果確認(rèn)收購(gòu)以色列閃存控制器廠商Anobit
北京時(shí)間1月11日上午消息，蘋果周二確認(rèn)，已經(jīng)收購(gòu)了以色列閃存芯片控制器廠商Anobit。蘋果官方的說法證實(shí)了上月的媒體報(bào)道。這筆交易將幫助蘋果確保iPhone和iPad中關(guān)鍵閃存元件的供應(yīng)。Anobit開發(fā)的高性能控制器可以
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東芝第三季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)10億美元 維持年業(yè)績(jī)預(yù)期
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本最大的芯片生產(chǎn)商?hào)|芝周一發(fā)布了第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，由于PC部門削減成本卓有成效，智能手機(jī)顯示屏市場(chǎng)需求旺盛，東芝第三季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)到約10億美元，并維持全年業(yè)績(jī)預(yù)期不變。財(cái)報(bào)顯示
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三星在華建閃存芯片工廠計(jì)劃獲批 6個(gè)月內(nèi)動(dòng)工
三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃已經(jīng)得到韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個(gè)月內(nèi)動(dòng)工開建。在中國(guó)大陸建閃存芯片廠將加強(qiáng)三星公司在中國(guó)
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韓國(guó)周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠
北京時(shí)間1月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，周三，韓國(guó)政府宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在中國(guó)建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計(jì)劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模
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三星在華建閃存芯片工廠計(jì)劃獲批 6個(gè)月內(nèi)動(dòng)工
1月4日道瓊斯報(bào)道說，三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃已經(jīng)得到韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部(Ministry of Knowledge Economy )的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個(gè)月內(nèi)動(dòng)工開建。在中國(guó)大陸建閃
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三星計(jì)劃在中國(guó)設(shè)閃存芯片廠 或耗資40億美元
三星電子今日宣稱，由于智能手機(jī)和平板電腦的熱銷將會(huì)繼續(xù)推動(dòng)芯片行業(yè)的發(fā)展，該公司計(jì)劃在中國(guó)設(shè)立一家閃存芯片生產(chǎn)廠。韓國(guó)分析師估計(jì)，三星可能會(huì)投資40億美元左右來興建該廠。這個(gè)生產(chǎn)廠，如果獲得批準(zhǔn)，將是
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三星電子宣布投資104億美元的最新閃存生產(chǎn)線開始量產(chǎn)
全球最大內(nèi)存芯片廠商三星電子日前宣布，最新1條閃存芯片（flashmemorychip）產(chǎn)線開始量產(chǎn)，將提升平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)所需芯片產(chǎn)能。此外，采用20納米制程技術(shù)的先進(jìn)DRAM芯片產(chǎn)線也已啟動(dòng)生產(chǎn)。三星斥資12兆韓元
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三星啟用20納米芯片生產(chǎn)線 批量生產(chǎn)閃存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，最近忙于專利大戰(zhàn)的三星已抽身出來，開始啟用新的耗資100億美元打造的20納米芯片生產(chǎn)線，批量生產(chǎn)閃存芯片。這是五年來三星首次啟用新的生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線能夠大大地降低芯片的成本。三星在一項(xiàng)聲明中
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三星啟用20納米芯片生產(chǎn)線 批量生產(chǎn)閃存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，最近忙于專利大戰(zhàn)的三星已抽身出來，開始啟用新的耗資100億美元打造的20納米芯片生產(chǎn)線，批量生產(chǎn)閃存芯片。這是五年來三星首次啟用新的生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線能夠大大地降低芯片的成本。三星在一項(xiàng)聲明中
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出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌
受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011 部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NAND Flash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，
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