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閃存芯片還得看SK海力士，發(fā)布全球首款238層閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天在美國(guó)加州舉行的2022全球閃存峰會(huì)上首次公開該產(chǎn)品。
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SK海力士擴(kuò)大中國(guó)市場(chǎng)？SK海力士在華擴(kuò)大投資并建設(shè)新晶圓工廠
愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，其中包括英特爾大連工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動(dòng)項(xiàng)目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴(kuò)大投資并建設(shè)新工廠。
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Swissbit 發(fā)布 S-55 和 S-58 系列，擴(kuò)展 SD 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線
推出全新的工業(yè)級(jí) 3D-TLC SDHC 和 SDXC 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000，解鎖PCIe 3.0峰值性能 2022-04-08 10:48
2022年4月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking? 2.0)架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片，支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3協(xié)議，順序讀取速度高達(dá)3500 MB/s，大幅提升PCIe Gen3平臺(tái)用戶在電競(jìng)、設(shè)計(jì)和視頻制作等多元化應(yīng)用場(chǎng)景下的使用體驗(yàn)。大容量足容設(shè)計(jì)、持久的寫入壽命，給消費(fèi)者帶來更多存儲(chǔ)選擇。TiPlus5000將以新顆粒、新技術(shù)以及滿滿的誠(chéng)意服務(wù)成熟平臺(tái)用戶。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布PCle4.0 固態(tài)硬盤致態(tài)TiPro7000，順序讀取速度高達(dá)7400MB/s
基于Xtacking?2.0架構(gòu)的第三代三維閃存芯片，讓閃存潛能再釋放
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兆易創(chuàng)新榮獲“2021中國(guó)汽車供應(yīng)鏈優(yōu)秀創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)
全國(guó)產(chǎn)化車規(guī)閃存芯片，為產(chǎn)業(yè)芯未來保駕護(hù)航
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適用于工業(yè)應(yīng)用的高可靠性SD存儲(chǔ)卡系列
適用于嚴(yán)苛應(yīng)用的穩(wěn)健可靠的3D NAND SD存儲(chǔ)卡
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智能手機(jī)和閃存業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮麗 三星二季度業(yè)績(jī)飄紅
6月，三星已經(jīng)徹底從去年衰退的陰影中走出，2016年4月7日發(fā)出了本年第一季度（1月至3月）的財(cái)報(bào)指引(Pre-EarningsGuidance)。根據(jù)指引，三星在2016春天的總收入預(yù)計(jì)為49
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256G版iPhone7寫入速度比32G版快？但不影響你
蘋果稱，除了存儲(chǔ)容量，所有的iPhone 7型號(hào)基本上是完全相同的。入門級(jí)的32GB iPhone 7的售價(jià)是649美元。如果你愿意多掏100美元，你可以買到一部128GB版本的iPhone
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三星五代V-NAND閃存芯片，使生產(chǎn)效率提高了30%以上
頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。 三星第五代V-NAND內(nèi)存芯片是業(yè)內(nèi)第一個(gè)利用Toggle DDR 4.0接口的產(chǎn)品。該接口被稱為數(shù)據(jù)傳
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)
從去年下半年到現(xiàn)在，內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子，想降價(jià)只能靠中國(guó)廠商了。上周國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存，性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一，預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。 據(jù)介紹，長(zhǎng)江存
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厲害了！長(zhǎng)江存儲(chǔ)官宣128層閃存芯片研發(fā)成功
網(wǎng)易科技訊 4月13日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)
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閃存價(jià)格觸底反彈：今年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)40%
新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。 40%絕對(duì)不是一個(gè)可以低估的數(shù)字，如今七八百就能買到的1TB SSD，可能重新回
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芯片｜兆易創(chuàng)新大股東訊安投資已減持0.89%公司股份 套現(xiàn)2.49億元
9月18日消息，上交所上市公司兆易創(chuàng)新(SH:603986)今日發(fā)布公告稱，大股東訊安投資已減持0.89%公司股份，套現(xiàn)2.49億元。 兆易創(chuàng)新公告截圖 大股東持股的基本情況：本次減持計(jì)劃實(shí)施前，訊
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科技進(jìn)步：中國(guó)首次量產(chǎn) 64層3D NAND閃存芯片
近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
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常見 NAND 閃存介紹，QLC 時(shí)代來臨了？
我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分，其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞，而我們目前常見的NAND閃存主要有四種類型：Single Level Cell(SLC)，Multi Level Cell(MLC)和Triple Level Cell(TLC)，還有一種尚未大規(guī)模普及的QLC。
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想不想用最少的錢提升電腦速度？小編帶你扒一扒平價(jià)固態(tài)硬盤
固態(tài)硬盤可以有效提高計(jì)算機(jī)的速度，而固態(tài)硬盤又分為M.2、MSATA、SATA3.0接口。傳輸速度方面M.2>SATA3.0>MSATA，選擇哪一種固態(tài)硬盤，取決設(shè)備的硬件接口。
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用過的都說好，OPPO K3實(shí)際使用測(cè)評(píng)
隨著OPPO K3越來越火爆，消費(fèi)者投入了更多的關(guān)注，那么這款手機(jī)的具體性能究竟如何呢?為什么OPPO K3能有這么大的銷量?一起來看看這篇測(cè)評(píng)報(bào)告就知道了。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)運(yùn)抵武漢，國(guó)產(chǎn)32層3D NAND閃存芯片有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠。據(jù)消息，這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第一臺(tái)光刻機(jī)，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。
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