在iPhone 8上，會(huì)不會(huì)看到這種新技術(shù)?

據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲(chǔ)，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。

自 2016 年 11 月以來(lái)，該供應(yīng)商一直在制造 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。他們之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片于 2016 年 4 月推出。因?yàn)閷訑?shù)更多，利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，產(chǎn)能可以提升 30%，海力士將在今年下半年量產(chǎn)這些新的芯片。

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 機(jī)型上的 NAND 閃存芯片來(lái)自東芝和海力士，其中一些 iPhone 7 采用了東芝的 48 層 3D BiCS NAND 芯片，這種芯片之前從未出現(xiàn)在其它商業(yè)產(chǎn)品中，而其它的 iPhone 7 型號(hào)則使用了海力士的閃存芯片。

而海力士日前推出的這款 72 層的閃存芯片適用于未來(lái)的 iPhone，不知道在 iPhone 8 上會(huì)不會(huì)用上這種新的技術(shù)呢?