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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
繼Intel、美光上個月宣布投產25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產計劃。海力士將采用26nm工藝生產容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產的25n
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
英特爾和美光科技預計將宣布這兩家公司將推出全球第一個基于25納米NAND閃存技術的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預計將在2010年下半年之前開始大批量生產。 作為目前應用的最小的NAND閃存技術，25納
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華邦電子宣布將于年內開始40nm制程技術研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進行40nm制程產品制作的傳言進行評論。華邦公司今年的資本支出預算為67億新臺幣(約20.2915億美元)，比去
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技星期一預計將宣布這兩家公司將推出全球第一個基于25納米NAND閃存技術的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預計將在2010年下半年之前開始大批量生產?！ ∽鳛槟壳皯玫淖?/p>
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分析師：美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計劃
據(jù)Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預計，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計劃。該公司早些時候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠，不過后來公司宣布由于業(yè)務方面
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美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計劃
據(jù)Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預計，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計劃。該公司早些時候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠，不過后來公司宣布由于業(yè)務方面
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英特爾和美光科技將公布更高性能閃存芯片研發(fā)進展
英特爾公司（Intel Corp.）和美光科技（Micron Technology Inc.）計劃下周公布閃存芯片的新進展。兩家公司有一個生產NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應用于手機，音樂播放器和其他驅動器上。2009年，兩家公司表示，
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韓國政府稱未發(fā)現(xiàn)NAND閃存行業(yè)操縱價格證據(jù)
據(jù)國外媒體報道，韓國公平交易委員會周三表示，未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)的NAND閃存芯片制造商涉嫌價格操縱的證據(jù)，因此針對NAND行業(yè)可能違反反壟斷法將近3年的調查宣告結束?！ ≡撐瘑T會發(fā)布公告稱，所有涉及DRAM芯片、
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質量存穩(wěn)定性問題
據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯
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NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)
根據(jù)市場調研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均
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中國臺灣芯片公司改變策略應對市場下滑危機
臺灣半導體生產商期望通過轉變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導致它們全盤退出核心業(yè)務。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司
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三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可
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東芝Sandisk計劃明年下半年啟用2xnm制程量產閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產
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東芝Sandisk計劃明年啟用2xnm制程量產閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產
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東芝Sandisk明年下半年欲啟用2xnm制程量產閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產
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飛索半導體3100萬美元出售蘇州工廠
據(jù)報道，申請破產的閃存芯片制造商飛索半導體周一表示，作為公司重組計劃的一部分，公司已經同意作價約3100萬美元現(xiàn)金將旗下中國蘇州工廠出售給臺灣力成科技。 飛索半導體周一發(fā)表聲明稱，蘇州工廠約有565名工人，是
