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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計(jì)劃。海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25n
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
英特爾和美光科技預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。 作為目前應(yīng)用的最小的NAND閃存技術(shù)，25納
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華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)行40nm制程產(chǎn)品制作的傳言進(jìn)行評論。華邦公司今年的資本支出預(yù)算為67億新臺幣(約20.2915億美元)，比去
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。 作為目前應(yīng)用的最
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分析師：美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計(jì)劃
據(jù)Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預(yù)計(jì)，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進(jìn)行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計(jì)劃。該公司早些時(shí)候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠，不過后來公司宣布由于業(yè)務(wù)方面
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美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計(jì)劃
據(jù)Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預(yù)計(jì)，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進(jìn)行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計(jì)劃。該公司早些時(shí)候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠，不過后來公司宣布由于業(yè)務(wù)方面
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英特爾和美光科技將公布更高性能閃存芯片研發(fā)進(jìn)展
英特爾公司（Intel Corp.）和美光科技（Micron Technology Inc.）計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機(jī)，音樂播放器和其他驅(qū)動器上。2009年，兩家公司表示，
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韓國政府稱未發(fā)現(xiàn)NAND閃存行業(yè)操縱價(jià)格證據(jù)
據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國公平交易委員會周三表示，未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)的NAND閃存芯片制造商涉嫌價(jià)格操縱的證據(jù)，因此針對NAND行業(yè)可能違反反壟斷法將近3年的調(diào)查宣告結(jié)束?！ ≡撐瘑T會發(fā)布公告稱，所有涉及DRAM芯片、
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題
據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均
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中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機(jī)
臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)?！ ∮捎谛酒袠I(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可
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東芝Sandisk計(jì)劃明年下半年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)
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東芝Sandisk明年下半年欲啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)
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飛索半導(dǎo)體3100萬美元出售蘇州工廠
據(jù)報(bào)道，申請破產(chǎn)的閃存芯片制造商飛索半導(dǎo)體周一表示，作為公司重組計(jì)劃的一部分，公司已經(jīng)同意作價(jià)約3100萬美元現(xiàn)金將旗下中國蘇州工廠出售給臺灣力成科技。 飛索半導(dǎo)體周一發(fā)表聲明稱，蘇州工廠約有565名工人，是
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