英特爾和美光科技預計將宣布這兩家公司將推出全球第一個基于25納米NAND閃存技術的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預計將在2010年下半年之前開始大批量生產。

作為目前應用的最小的NAND閃存技術，25納米生產工藝與2008年推出的34納米技術相比將顯著減小芯片的尺寸。

這兩家公司稱，這種新的生成工藝能夠在一個只有167平方毫米（能夠穿過CD光盤中間的圓孔）的比1便士硬幣還小的單個NAND芯片上制作8GB的存儲容量。由于這是一種通用的閃存芯片，它可以用于任何需要閃存存儲的設備上，如數(shù)碼相機、MP3播放機和固態(tài)硬盤。

Objective Analysis在研究報告中說，由于芯片的尺寸是167平方毫米，一個300毫米加工廠每個晶圓能夠生產出400多個芯片。這將使生產成本達到每個芯片大約4美元，或者每GB存儲容量0.50美元。由于2009年NAND閃存的價格一直是每GB大約2.00美元，并且似乎在2010年將繼續(xù)保持這個價格，25納米生產工藝將給這兩家公司帶來比目前的34納米工藝更高的毛利潤率。目前34納米芯片的成本預計是每GB存儲容量1.00美元。

美光科內存事業(yè)部技副總裁Brian Shirley上周四解釋25納米芯片技術時說，如果人類的一根頭發(fā)是1英里寬，25納米技術就相當于21英寸。

這種新的閃存技術大約是容量最大的34納米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一樣大的。這種25納米芯片支持開放NAND閃存接口2.2標準，吞吐量為每秒200MB。

這種25納米芯片將由英特爾和美光科技在2006年創(chuàng)建的合資企業(yè)IM Flash Technologies生產。這個合作企業(yè)在創(chuàng)建時是使用的50納米生產工藝，現(xiàn)在是第三次減小生產工藝尺寸。