日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠。據(jù)消息，這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬(wàn)美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第一臺(tái)光刻機(jī)，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。

在今年的4月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首批400萬(wàn)美元的精密儀器開(kāi)始進(jìn)場(chǎng)安裝，標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)試產(chǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈上不少企業(yè)都拿到了樣片在測(cè)試。如順利，今年四季度，中國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全此前接受采訪時(shí)曾強(qiáng)調(diào)，這僅是剛剛開(kāi)始。32層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)后，不會(huì)上很高的產(chǎn)量，更主要的是完成完全自主技術(shù)積累，若技術(shù)不夠好，不會(huì)硬沖產(chǎn)量。此外64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進(jìn)行，力爭(zhēng)2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn)，這樣就能把與全球領(lǐng)先大廠的差距縮短在2年以內(nèi)。

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，我們希望5年站穩(wěn)腳跟，別人沒(méi)法把我們打出去，但真正的成功需要10年時(shí)間。芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入。這正如航母舾裝完畢，開(kāi)始裝配武器彈藥，下一步就要在今年底實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn)，出海遠(yuǎn)航。