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關(guān)于固網(wǎng)資源接入移動(dòng)基站的問(wèn)題
隨著我國(guó)電信行業(yè)重組的進(jìn)一步深化，電信運(yùn)營(yíng)商全業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)是大勢(shì)所趨，由于運(yùn)營(yíng)商重組方案尚末公布，因此本文只針對(duì)利用現(xiàn)有的固定網(wǎng)絡(luò)資源對(duì)移動(dòng)基站接入進(jìn)行探討?！ ? 固網(wǎng)接入層資源十分豐富 由于我國(guó)固定運(yùn)
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新思科技宣布收購(gòu)微捷碼設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司
21ic訊 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.）日前宣布已簽署最終協(xié)議，收購(gòu)總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣何塞的芯片設(shè)計(jì)軟件供應(yīng)商微捷碼設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司（Magma® Design Automation Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：LA
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安捷倫科技與艾克賽利簽署最終的收購(gòu)協(xié)議
美國(guó)時(shí)間2011年12月1日，安捷倫科技公司（紐交所：A）和艾克賽利（Accelicon）宣布雙方已簽署最終收購(gòu)協(xié)議。此項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將在60至90天完成。相關(guān)財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)未披露。由安捷倫EEsof EDA部門(mén)主導(dǎo)的此次收購(gòu)，將進(jìn)一步加強(qiáng)
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信號(hào)完整性的電路板設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
信號(hào)完整性(SI)問(wèn)題解決得越早，設(shè)計(jì)的效率就越高，從而可避免在電路板設(shè)計(jì)完成之后才增加端接器件。SI設(shè)計(jì)規(guī)劃的... 信號(hào)完整性(SI)問(wèn)題解決得越早，設(shè)計(jì)的效率就越高，從而可避免在電路板設(shè)計(jì)
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BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的電路最優(yōu)測(cè)試集的生成設(shè)計(jì)
1 引言 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是基于模仿生物大腦的結(jié)構(gòu)和功能而構(gòu)成的一種信息處理系統(tǒng)。國(guó)際著名 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)專家Hecht Nielsen 給神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的定義是：“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一個(gè)以有向圖為拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)系統(tǒng)，它通過(guò)對(duì)連續(xù)或
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年底將正式頒布六項(xiàng)傳感器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
國(guó)家傳感器網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)工作組正式發(fā)布了我國(guó)已完成的傳感網(wǎng)首批6項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿。包括：《總則》、《術(shù)語(yǔ)》、《低速無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)層和應(yīng)用支持子層技術(shù)規(guī)范》、《信號(hào)接口規(guī)范》、《信息安全通用技術(shù)規(guī)范》、《標(biāo)
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以太網(wǎng)的工作原理
在今天的商務(wù)世界中，可靠、高效地獲取信息已經(jīng)成為實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)所必不可少的重要資產(chǎn)。文件柜和堆積如山的文件已經(jīng)讓位于以電子方式存儲(chǔ)和管理信息的計(jì)算機(jī)。相距千里之遙的同事可以在瞬間共享信息，同一辦公場(chǎng)所的
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無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)中基于RSSI的節(jié)點(diǎn)距離預(yù)測(cè)
摘要：無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)大量應(yīng)用在環(huán)境監(jiān)測(cè)、目標(biāo)跟蹤、安全監(jiān)控等領(lǐng)域，因此網(wǎng)絡(luò)的自身定位是大多數(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)。常用的定位方法必須測(cè)量節(jié)點(diǎn)間的距離。為了預(yù)測(cè)距離值，根據(jù)實(shí)驗(yàn)獲取的RSSI值與對(duì)應(yīng)的距離值，先對(duì)實(shí)驗(yàn)
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰(zhàn)
盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長(zhǎng)，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來(lái)自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰(zhàn)
盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長(zhǎng)，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來(lái)自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nmhigh-K金屬閘極(H
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰(zhàn)
盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長(zhǎng)，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來(lái)自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰(zhàn)
盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長(zhǎng)，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來(lái)自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
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28nm節(jié)點(diǎn)遭遇良率挑戰(zhàn)
盡管接下來(lái)幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體晶片市場(chǎng)的速度成長(zhǎng)，但 Gartner 和其他市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來(lái)自先進(jìn) 28nm 制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。 特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn) 32-nm/28-nm high-K 金
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ZigBee的相關(guān)應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)分析
一、引言 長(zhǎng)期以來(lái)，低價(jià)、低傳輸率、短距離、低功率的無(wú)線通訊市場(chǎng)一直存在著。自從Bluetooth出現(xiàn)以后，曾讓工業(yè)控制、家用自動(dòng)控制、玩具制造商等業(yè)者雀躍不已，但是Bluetooth的售價(jià)一直居高不下，嚴(yán)重
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標(biāo)準(zhǔn)化無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的選擇方案
任何傳感器或傳感器基系統(tǒng)的主要任務(wù)是采集信息，包括溫度、流量、機(jī)器正常狀態(tài)或其他測(cè)量參量。傳感器數(shù)據(jù)產(chǎn)生是相當(dāng)容易做到和很好理解的，但從傳感器傳輸數(shù)據(jù)到監(jiān)視或控制系統(tǒng)仍然是一個(gè)問(wèn)題，這是由安裝和維護(hù)通
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半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá)7nm節(jié)點(diǎn);但在7nm節(jié)點(diǎn)以下
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半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
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半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
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十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米
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十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)
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