IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍圖。

7納米制程芯片背后結合了許多尚未經(jīng)過量產(chǎn)測試的新技術，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。

IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電晶體，因而能減少提升電路表現(xiàn)時進行快速切換的耗電量，而電路都是以極紫外線(Extreme UltraViolet;EUV)光刻技術蝕刻。

IBM研究表示，目前最先進的技術能夠制造10納米芯片，但是利用矽鍺制作電晶體通道和EUV光刻，能夠縮小電晶體尺寸的一半，同時還能夠提升50%的電路電力效率。然而，EUV對于震動特別敏感，制作過程非常精密，因此要量產(chǎn)將有難度，價格也會十分高昂。

IBM 表示，7納米制程可使指甲大小的服務器芯片容納200億個電晶體，將近是Power8的4倍之多，而芯片的尺寸也應該會比Power8的要小得多。相較之下，英特爾(Intel)即將上市的72核心Knights Landing Xeon Phi處理器目前只有約80億電晶體。

在服務器方面，英特爾(Intel)為Xeon處理器的Broadwell架構系列采14納米制程，并且預備在2015年底使用相同的14納米制程量產(chǎn)Skylake桌電與筆電處理器。Skylake Xeon處理器預計將在2017年上市。

IBM以Power系列芯片迎戰(zhàn)Xeon的處理器，并透過與其他企業(yè)合作與競爭對手Intel并駕齊驅，加強其他企業(yè)對Power系列的投資信心。

IBM 為Power7處理器采用45納米制程，升級為8核心芯片，時脈速度介于2.4~4.25GHz間。此外，每個芯片內建32MB的DRAM L3快取存儲器，大幅提升許多工作性能。Power7芯片還支援同步多執(zhí)行緒(Simultaneous MultiThreading;SMT)，提供每個核心4條執(zhí)行緒，最高可同時執(zhí)行32項任務。

Power7+則縮小至32納米制程，IBM因此能把L3快取存儲器從Power7的32MB再提升到80MB，并稍微調高時脈速度。

2014年IBM推出的Power8又縮至22納米制程，芯片可容納42億個電晶體。因此達到12核心，L3快取存儲器提高到96MB，并且使Power8芯片的SMT增加到每核心8條執(zhí)行緒。

根據(jù)OpenPower的高效能運算(HPC)規(guī)劃藍圖，Power9不久后也會推出，同時預計2016年還會推出interim Power8芯片支援NVIDIA的NVLink技術，幫助緊密地連接GPU與CPU，以達到更有效率的混合(hybrid)運算。

IBM與其OpenPower合作伙伴，已經(jīng)瞄準2020年后Power10甚至Power11芯片的研發(fā)計劃。但是這都要看7納米制程是否能夠商業(yè)化，并且在合乎時間與成本效益的前提下于GlobalFoundries的芯片廠進行量產(chǎn)。