EPC團(tuán)隊(duì)將于3月15至19日在美國(guó)新奧爾良(New Orleans)舉行的APEC 2020展覽會(huì)上，進(jìn)行11場(chǎng)關(guān)于氮化鎵技術(shù)及應(yīng)用的演講 (參考下方圖表)。此外，EPC展位(#1847)也會(huì)有多個(gè)終端客戶最新的、基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的產(chǎn)品亮相。

48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器

在展會(huì)上，EPC將發(fā)布ePowerTM Stage系列集成電路，在單一硅基GaN芯片上集成了所有功能，為行業(yè)重新定義功率轉(zhuǎn)換。氮化鎵技術(shù)專(zhuān)家將展示ePowerTM Stage及分立式氮化鎵器件如何能夠提升48 V功率轉(zhuǎn)換器的效率、縮小其尺寸及降低系統(tǒng)成本。該48 V轉(zhuǎn)換器面向超纖薄并且具有高功率(可高達(dá)250 W)的筆記本電腦、具有高功率密度的服務(wù)器及人工智能系統(tǒng)，以及汽車(chē)系統(tǒng)等應(yīng)用。

激光雷達(dá)/飛行時(shí)間

此外，EPC將展出多個(gè)激光雷達(dá)應(yīng)用，使得我們看到氮化鎵技術(shù)如何支持短距及長(zhǎng)距激光雷達(dá)傳感器。展示包括用于長(zhǎng)距離檢測(cè)的直接飛行時(shí)間(DToF)系統(tǒng)，可在低于2.5 納秒提供超過(guò)100 A的電流。

而用于短距離檢測(cè)的間接飛行時(shí)間(IToF)系統(tǒng)則可在低于1.2納秒的脈寬提供8 A脈沖電流。此外，EPC已有多家終端客戶的系統(tǒng)已經(jīng)投產(chǎn)，針對(duì)包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、自動(dòng)化倉(cāng)庫(kù)、無(wú)人機(jī)及吸塵機(jī)等應(yīng)用。

馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器

EPC并將介紹如何以GaN單芯片支持電動(dòng)滑板車(chē)的馬達(dá)供電。ePower? Stage器件應(yīng)用于三相正弦激勵(lì)，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的每相具10 ARMS，可實(shí)現(xiàn)高效、寧?kù)o、高性能及低成本的電動(dòng)汽車(chē)解決方案。

無(wú)線電源

在無(wú)線電源充電方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的迅速發(fā)展，全新的連接及傳感器件如果需要符合5G的要求，可靠及安全的無(wú)線供電不可或缺。EPC將展示支持5G的高效無(wú)線電源解決方案，可穿透e-glass及墻壁，傳輸高達(dá)65 W的電源。

有興趣在APEC展位與EPC的應(yīng)用專(zhuān)家會(huì)面的工程師，歡迎您蒞臨我們的客戶套房。

在展會(huì)上，EPC也同時(shí)進(jìn)行11場(chǎng)專(zhuān)題演講，議題是關(guān)于氮化鎵技術(shù)及集成電路的技術(shù)發(fā)展。詳情如下：

3月17日星期二

·氮化鎵功率器件的前進(jìn)步伐勢(shì)不可擋

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 9:20 am–9:45 am (IS04、地點(diǎn)R06)

·硅器件已經(jīng)死亡、分立式器件則正在步向死亡

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 3:00 pm – 3:15 pm (Ridley Engineering Presents、展位號(hào)：1517)

3月18日星期三

·采用氮化鎵器件的低成本飛行時(shí)間(ToF)

演講者 : John Glaser博士

時(shí)間 : 8:30 am – 8:55 am (IS08、地點(diǎn)：R02-R03)

·采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及數(shù)字控制器的超纖薄型48 V - 20 V、250 W DC/DC轉(zhuǎn)換器

演講者 : Jiangjing Wang博士

時(shí)間 : 9:20 am – 9:45 am (IS07、地點(diǎn)R04-R05)

·基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

演講者 : Jiangjing Wang博士

時(shí)間 : 9:50 am – 10:10 am (T12、地點(diǎn)：206-207)

·eGaN®技術(shù)及功率轉(zhuǎn)換的未來(lái)

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 1:00 pm – 1:30 pm (Exhibitor Seminar、Theater 1)

3月19日星期四

·氮化鎵(GaN)器件進(jìn)行極其嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目煽啃约笆y(cè)試方法

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 8:30 am – 8:55 am (IS23、地點(diǎn)： R07)

·面向高頻功率轉(zhuǎn)換器的單片式氮化鎵(GaN)半橋集成電路

演講者 : Jianjing Wang博士

時(shí)間 : 8:55 am – 9:20 am (IS19,、地點(diǎn)： R04-R05)

·功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的系統(tǒng)單芯片(SoC)的發(fā)展路徑–one GaN Stage at a time

演講者 : Ravi Ananth博士

時(shí)間 : 9:45 am – 10:10 am (IS20、地點(diǎn)：R02-R03)

·面向激光雷達(dá)照相機(jī)及其它低壓、超高頻、超快速脈沖功率應(yīng)用的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

演講者 : John Glaser博士

時(shí)間 : 1:45 pm – 2:10 pm (IS26、地點(diǎn)：R02-R03)

·氮化鎵集成電路可快速去除技術(shù)壁壘

演講者 : Ravi Ananth博士

時(shí)間 : 2:10 pm – 2:35 pm (IS30、地點(diǎn)：R08)