晶體管
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設(shè)計(jì)自由度很大的二級(jí)直耦寬帶放大器
電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器，但往往因具特性與使用要求不匹配，設(shè)計(jì)上又沒有自由度，因而無(wú)法應(yīng)用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進(jìn)行組合，設(shè)計(jì)自由度大，所以在圖象電路中得到廣泛的應(yīng)
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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采用限流保護(hù)電路的100W功率放大器
電路的功能有效輸出100W的功率放大器多用于音響或超聲波等設(shè)備。由于本電路全部由分立元件構(gòu)成，所以設(shè)計(jì)時(shí)自由度比較大，因?yàn)樯錁O輸出器會(huì)因負(fù)載短路而造成大短路電流，所以要采用限流保護(hù)措施。此外，通過更換輸出
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可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器
電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵(lì)器或壓電器件就要使用專門的激勵(lì)放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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用雙晶體管實(shí)現(xiàn)低噪聲化的測(cè)量用高速前置放大器
電路的功能差動(dòng)放大器的噪聲特性由輸入級(jí)決定，在本電路中，該級(jí)采用PMI公司生產(chǎn)的低噪聲雙晶體管，使噪聲特性得以改善。這是一種較完善的差動(dòng)輸入前置放大器。因?yàn)楸倦娐凡捎秒p極晶體管，所以宜用作信號(hào)源電阻低的傳
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工藝尺寸降為1/10 存儲(chǔ)器或?qū)⒂瓉?lái)一場(chǎng)新革命
惠普近日宣稱，其在制造一種新的微型器件方面取得重大進(jìn)展，這種微型器件能夠更加縮小電腦芯片的大小，因而有望取代三極管，成為電腦芯片新的構(gòu)件。這種器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，即使在沒有電流的情況下也能夠存儲(chǔ)信息，因此可
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意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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塑料晶體管誕生
普林斯頓大學(xué)的研究人員表示，通過將有機(jī)導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管，這種全塑晶體管可以大幅降低有機(jī)太陽(yáng)能電池的價(jià)格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對(duì)其
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塑料晶體管誕生
普林斯頓大學(xué)的研究人員表示，通過將有機(jī)導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管，這種全塑晶體管可以大幅降低有機(jī)太陽(yáng)能電池的價(jià)格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對(duì)其全塑晶體
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意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
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臺(tái)積電：摩爾定律將在10年后失效
臺(tái)積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會(huì)演講中表示，按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。 以下是演講內(nèi)容概要： 按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾定律將在10年后失效
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臺(tái)積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效
（編譯/向北）北京時(shí)間4月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會(huì)演講中表示，按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。 以下是演講內(nèi)容概要： 按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾
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ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路
ANADIGICS公司日前在納斯達(dá)克股票市場(chǎng)敲響收市鐘聲，慶祝其在移動(dòng)通信行業(yè)走過的25年輝煌之路。ANADIGICS成立于1985年，是高性能射頻集成電路(RFIC)設(shè)計(jì)技術(shù)的標(biāo)桿企業(yè)。25年來(lái)，通過將其在射頻技術(shù)中的設(shè)計(jì)專長(zhǎng)、通
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適用消費(fèi)電子的三電平H橋輸出D類放大器
音頻功率放大器無(wú)所不在，有音樂響起的地方就會(huì)有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個(gè)領(lǐng)域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚(yáng)聲器或耳機(jī)上真實(shí)、高效的重現(xiàn)聲音信號(hào)。真實(shí)和高效
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三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)
三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則 圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點(diǎn)式振蕩電路滿足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射
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晶體管低頻放大器
各種類型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號(hào)的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級(jí)放大器的前幾級(jí)，故稱前置放大器，它的輸入信號(hào)幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于
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三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)
三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則 圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點(diǎn)式振蕩電路滿足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射
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TSMC：跳過22納米，直接進(jìn)入20納米工藝
臺(tái)積電(TSMC)前不久在美國(guó)加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會(huì)中，宣布將跳過22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。 臺(tái)積電此次技術(shù)研討
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張忠謀：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)連好5年
4月15日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(14)日在美國(guó)舉行年度技術(shù)論壇，董事長(zhǎng)張忠謀表示，今明兩年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)均將健康成長(zhǎng)，2011至2014年呈溫和成長(zhǎng)，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)4.2%。張忠謀還稱，半導(dǎo)
