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TSMC：跳過(guò)22納米，直接進(jìn)入20納米工藝

時(shí)間：2010-04-19 08:50:34

關(guān)鍵字： TSMC 臺(tái)積電晶體管研討會(huì)

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(TSMC)前不久在美國(guó)加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會(huì)中，宣布將跳過(guò)22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。臺(tái)積電此次技術(shù)研討

臺(tái)積電(TSMC)前不久在美國(guó)加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會(huì)中，宣布將跳過(guò)22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。

臺(tái)積電此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶及合作廠商代表參與，該公司研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中表示，臺(tái)積電20納米工藝將比22納米工藝擁有更優(yōu)異的柵密度(gate density)以及芯片效能/成本比，為先進(jìn)技術(shù)芯片設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的工藝平臺(tái)。其20納米工藝預(yù)計(jì)于2012年下半開(kāi)始導(dǎo)入生產(chǎn)。

臺(tái)積電20納米工藝系在平面晶體管結(jié)構(gòu)工藝(planar process)的基礎(chǔ)上采用強(qiáng)化的高介電值/金屬柵、創(chuàng)新的應(yīng)變硅晶與低電阻/超低介電值銅導(dǎo)線等技術(shù)。同時(shí)，在其他晶體管結(jié)構(gòu)工藝方面，例如鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFet)及高遷移率(high-mobility)組件，也展現(xiàn)了刷新記錄的可行性(feasibility)指標(biāo)結(jié)果。

從技術(shù)層面來(lái)看，由于已經(jīng)具備了創(chuàng)新光刻技術(shù)以及必要的布局設(shè)計(jì)能力，讓臺(tái)積電因此決定直接導(dǎo)入20納米工藝。

不過(guò)蔣尚義也指出，在先進(jìn)工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)上，臺(tái)積電已經(jīng)面臨一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，也就是必須主動(dòng)積極地考慮其投資回報(bào)率，并且需要跳脫單單考慮技術(shù)層面的思維模式，必須透過(guò)與客戶密切合作、以及在資源整合與優(yōu)化方面的創(chuàng)新，同時(shí)解決來(lái)自技術(shù)及經(jīng)濟(jì)層面的挑戰(zhàn)。

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