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專訪芯科實(shí)驗(yàn)室時(shí)序產(chǎn)品總經(jīng)理 挾MEMS致力提升時(shí)脈性價(jià)比
個(gè)人電腦(PC)中央處理器(CPU)整合時(shí)脈勢(shì)不可當(dāng)，導(dǎo)致傳統(tǒng)獨(dú)立時(shí)脈晶片商面臨收益威脅，且時(shí)序市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，無(wú)單一廠商可通吃市場(chǎng)，芯科實(shí)驗(yàn)室(Silicon Labs)正積極透過(guò)創(chuàng)新的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)突顯產(chǎn)品差異化，并
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基于FPGA的SoC原型驗(yàn)證的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要：在SoC開(kāi)發(fā)過(guò)程中，基于FPGA的原型驗(yàn)證是一種有效的驗(yàn)證方法，它不僅能加快SoC的開(kāi)發(fā)，降低SoC應(yīng)用系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)成本，而且提高了流片的成功率。文章主要描述了基于FPGA的SoC原型驗(yàn)證的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，針對(duì)FPGA基驗(yàn)證
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海思采用華大九天SoC時(shí)鐘時(shí)序工具
作為中國(guó)本土最大的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件工具廠商，華大九天 (HES)近日宣布，通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體有限公司（HiSilicon Technologies）已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplorer
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海思選中華大九天的SoC時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)和時(shí)序優(yōu)化解決方案
作為中國(guó)本土最大的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件工具廠商，華大九天 (HES)近日宣布，通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體有限公司（HiSilicon Technologies）已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplo
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使用序列門(mén)控在掃描位移中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的時(shí)序閉合
如今，所有SOC都使用掃描結(jié)構(gòu)來(lái)檢測(cè)設(shè)計(jì)中的任何制造缺陷。掃描鏈專為測(cè)試而設(shè)計(jì)，按串行形式連接芯片的時(shí)序元件。由于掃描元件之間缺少組合邏輯，因此這些掃描鏈容易出現(xiàn)保持故障。除了采用小于90納米的技術(shù)外，OCV
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試用手記：為國(guó)產(chǎn)FPGA正名(四，時(shí)序工具)
關(guān)于時(shí)序工具的一些FAE解答：?jiǎn)枺耗銈兊墓ぞ呤欠裰惶峁┧休斎胼敵龉苣_完全一致的時(shí)序約束？如tsu,th,tco,tpd的約束？如果不同管腳可以有不 同約束值，如何設(shè)置？FAE：我們的工具提供的是時(shí)序分析功能，尚未提供時(shí)
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80C51單片機(jī)上電復(fù)位和復(fù)位延時(shí)的時(shí)序分析
80C51單片機(jī)的上電復(fù)位POR（Power On Reset）實(shí)質(zhì)上就是上電延時(shí)復(fù)位，也就是在上電延時(shí)期間把單片機(jī)鎖定在復(fù)位狀態(tài)上。為什么在每次單片機(jī)接通電源時(shí)，都需要加入一定的延遲時(shí)間呢？分析如下。1 上電復(fù)位時(shí)序 在
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單片機(jī)內(nèi)部的時(shí)序
單片機(jī)內(nèi)部的時(shí)序 單片機(jī)執(zhí)行各種操作時(shí)，CPU都是嚴(yán)格按照規(guī)定的時(shí)間順序完成相關(guān)的工作，這種時(shí)間上的先后順序成為時(shí)序。 單周期指令的操作時(shí)序 雙周期指令的操作時(shí)序 時(shí)鐘電路 時(shí)鐘電路參數(shù)： 頻
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面板第3季止跌？ 看8月底
臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心 (IEK)產(chǎn)業(yè)分析師劉美君表示，若8月底面板跌幅擴(kuò)大，代表面板報(bào)價(jià)仍未回穩(wěn)，仍將持續(xù)下跌；若跌幅縮小，不排除跌勢(shì)已近底部。奇美電子執(zhí)行長(zhǎng)段行建日前在法人說(shuō)明會(huì)指出，最
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基于VB和Access的溫度采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要：隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的高速發(fā)展，數(shù)據(jù)采集方面的技術(shù)也在不斷地向前發(fā)展，并在信息技術(shù)中占有重要地位，溫度、壓力等參數(shù)在智能家居、工業(yè)控制、智能農(nóng)業(yè)等方面都得到很高的重視，如何實(shí)時(shí)直觀地采集到溫度成為焦
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DDR測(cè)試技術(shù)與工具
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
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一種高速EM CCD 圖像傳感器CCD97時(shí)序驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方法
EMCCD （ E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice） 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD（ Charg e Coupled Device） 相比， 它采用了片上電子增益技術(shù)， 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
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DDR測(cè)試技術(shù)與工具
DDR測(cè)試技術(shù)與工具
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一種高速EM CCD 圖像傳感器CCD97時(shí)序驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方法
EMCCD （ E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice） 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD（ Charg e Coupled Device） 相比， 它采用了片上電子增益技術(shù)， 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
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一種高速EM CCD 圖像傳感器CCD97時(shí)序驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方法
EMCCD （ E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice） 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD（ Charg e Coupled Device） 相比， 它采用了片上電子增益技術(shù)， 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
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一種高速EM CCD 圖像傳感器CCD97時(shí)序驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方法
EMCCD （ E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice） 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD（ Charg e Coupled Device） 相比， 它采用了片上電子增益技術(shù)， 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
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矽格3月合并營(yíng)收月增20％，保守看Q2
IC封測(cè)廠矽格（6257）自結(jié)2011年三月份合并營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣3.98億元，較上月增加20％，比較去年同期減少5.3%；累計(jì)2011年第一季之營(yíng)業(yè)額為新臺(tái)幣11.14億，比較去年同期增加1.3％，矽格自結(jié)2011年第一季稅前凈利為新
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DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
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DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？
DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？
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DS2450轉(zhuǎn)換器的接口設(shè)計(jì)原理
在普通方式下其串行通信速率為16．3kbps，而超速工作模式時(shí)的速率可達(dá) 142kbps，片內(nèi)16位循環(huán)冗余校驗(yàn)碼生成器可用于檢測(cè)通信的正確性。DS2450是DALLAS公司生產(chǎn)的單總線四通道逐次逼近式A／D轉(zhuǎn)換器芯片，它的輸入電壓
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