韓國媒體披露，韓國半導體業(yè)者2010年營收成績亮眼，2011年也將積極進行投資計劃。相對的，日本及臺灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉為保守。在半導體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細制程的進展及價格競爭力等息息相關，韓國業(yè)者認為2011年韓國與臺、日廠的存儲器競爭力差距將會更大。

三星電子(Samsung Electronics) 2011年計劃投資10.3兆韓元(約91.57億美元)發(fā)展半導體事業(yè)，與2010年的11兆韓元規(guī)模相當。該公司2011年總投資額當中，對DRAM 等存儲器的投資金額為5.8兆韓元(約51.56億美元)，較2010年的9兆韓元減少約35%，然2010年三星有建設新產(chǎn)線等特別投資項目，因而三星 2011年的投資規(guī)模仍不可小覷。2009年三星的存儲器投資金額約4兆韓元。三星相關人員表示，2011年雖提高了系統(tǒng)芯片投資比重，但存儲器方面也將會持續(xù)進行大規(guī)模的投資。

海力士半導體(Hynix) 2010年在存儲器事業(yè)方投資了3.8兆韓元(約33.78億美元)，2011年投資規(guī)模也相當，約3.4兆韓元(約30.23億美元)，且大部分資金將使用在轉換微細制程方面。

日本、臺灣業(yè)者2011年投資規(guī)模縮減幅度較韓國大許多。此外，不只投資規(guī)?？s小，在絕對金額方面，韓國企業(yè)也超越其它競爭業(yè)者。全球排名第3的日本 DRAM業(yè)者爾必達(Elpida)近來表示2011年將投資400億日圓(約4.82億美元)，較2010年投資額1,150億日圓(約13.86億美元)縮減約65%。

臺灣業(yè)者的情況也很相似。臺灣華亞科技投資額從2010年新臺幣550億元，2011年縮減了69%至170億元。南亞也從新臺幣230億元投資額減半至120億元。

外電指出，韓國企業(yè)與臺、日業(yè)者間的投資差距，在2011年下半營收出現(xiàn)差距后，現(xiàn)金財力等差異將更大。2010年第4季三星半導體事業(yè)部及海力士營業(yè)利益各為1.8兆韓元(約16億美元)及4,180億韓元(約3.72億美元)。日廠爾必達則出現(xiàn)269億日圓(約3.25億美元)虧損，臺廠南亞也出現(xiàn)新臺幣87.39億元的赤字。

2011年投資的差異將會使韓國、臺灣及日本業(yè)者間的競爭力差距更明顯，存儲器芯片投資大部分皆已進入轉換微細制程，因此價格競爭力也將更大。