封裝

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封裝，Package，是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是把Foundry生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片（Die）放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來(lái)，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別，基底和外殼、引線的材料，強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。

韓中兩國(guó)成為封裝材料市場(chǎng)生力軍

一直以來(lái)，日本企業(yè)主導(dǎo)了全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)，其中又以封裝材料市場(chǎng)為最大宗，因此半導(dǎo)體封裝之關(guān)鍵材料供應(yīng)商總部主要都集中在日本。蝕刻進(jìn)程主要材料供應(yīng)商與總部所在地根據(jù)2009年塑料封裝材料市場(chǎng)規(guī)模約158億美

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-20

封裝 LG AN METAL
擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實(shí)用化加速

大日本印刷（DNP）為促進(jìn)采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer）封裝技術(shù)的實(shí)用化，于2010年1月推出了設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)用標(biāo)準(zhǔn)底板。該公司此前曾為不同項(xiàng)目個(gè)別提供過(guò)評(píng)測(cè)底板，而此次標(biāo)準(zhǔn)底板的價(jià)格為原來(lái)的一半以下。并

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2010-01-19

高頻特性 LSI INTER 封裝
日企持續(xù)主導(dǎo)封裝材料市場(chǎng) 中國(guó)大陸業(yè)者正掘起

一直以來(lái)，日本企業(yè)主導(dǎo)了全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)，其中又以封裝材料市場(chǎng)為最大宗，因?yàn)榘雽?dǎo)體封裝之關(guān)鍵材料供應(yīng)商總部主要都集中在日本。蝕刻製程主要材料供應(yīng)商與總部所在地根據(jù)2009年塑料封裝材料市場(chǎng)規(guī)模約158億美

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-15

封裝 LG AN METAL
集3軸加速度和雙軸陀螺儀于一個(gè)封裝，ST發(fā)布動(dòng)作傳感器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）發(fā)布了集3軸加速度傳感器和雙軸陀螺儀（角速度傳感器）于一個(gè)封裝的動(dòng)作檢測(cè)傳感器模塊 “LSM320HAY30”。這是業(yè)界首款在一個(gè)封裝內(nèi)集成多軸MEMS加速度傳感器和MEMS陀螺儀。主要用于

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2010-01-15

傳感器陀螺儀加速度封裝
LED照明產(chǎn)業(yè)黎明前的黑暗

在國(guó)內(nèi)LED照明產(chǎn)業(yè)狂飆突進(jìn)的過(guò)程中，一方面讓人們看到了這個(gè)行業(yè)美好的發(fā)展前景，另一方面也讓人們不得不憂思于行業(yè)中的諸多問(wèn)題：一些技術(shù)難題尚未解決，產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定；重復(fù)投資，各地紛紛上馬LED照明項(xiàng)目，造成

顯示光電
2010-01-14

照明產(chǎn)業(yè) LED照明 LED路燈封裝
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝及應(yīng)用

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材

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2010-01-13

金屬單管肖特基二極管封裝
京元電與記憶卡封裝廠群豐合作，提供Turn-key

晶圓測(cè)試廠京元電(2449)宣布與記憶卡封裝廠群豐科技(3690)簽署合作備忘錄(MOU)，雙方藉由結(jié)合在測(cè)試與封裝領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢(shì)，提供客戶最完整的Turn-key solution。今年內(nèi)存市況看好，從閃存、特殊型內(nèi)存到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)

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2010-01-06

晶圓 Flash NAND 封裝
封裝底板曲翹有望通過(guò)改進(jìn)得到解決

以“新一代半導(dǎo)體封裝微納米應(yīng)用技術(shù)”為主題的公開(kāi)研討會(huì)于2009年12月16日在東京舉行（由日本電子安裝學(xué)會(huì)布線板技術(shù)委員會(huì)下屬的微納米應(yīng)用研究會(huì)舉辦）。 4項(xiàng)演講中有2項(xiàng)的話題與半導(dǎo)體封裝底板的曲翹有關(guān)。這

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2010-01-06

溫度半導(dǎo)體封裝 NEC 封裝
淡季不淡硅品12月?tīng)I(yíng)收微幅下滑2.5% Q4營(yíng)收季增0.5%

受惠終端PC繪圖芯片與內(nèi)存封裝需求強(qiáng)勁，IC封測(cè)大廠硅品(2325-TW)2009年12月?tīng)I(yíng)收達(dá)53.4億元，較11月?tīng)I(yíng)收微幅下滑2.5%，較2008年同期26.4億元增加101.9%。整體第 4 季營(yíng)收為168.1億元，較第 3 季的167.3億元微幅增

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2010-01-06

芯片內(nèi)存終端封裝
Vishay推出業(yè)界首款采用PB封裝的單列直插橋式整流器

日前Vishay Intertechnology宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強(qiáng)度高達(dá)1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBri

消費(fèi)電子
2009-12-31

Vishay 整流器橋式整流封裝
單封裝整合傳感器（ST）

意法半導(dǎo)體（STM）, 在單一模塊內(nèi)成功集成一個(gè)3軸數(shù)字加速傳感器和一個(gè)2軸模擬陀螺儀。線性和角運(yùn)動(dòng)傳感器達(dá)成封裝級(jí)集成，可提高應(yīng)用的性能和可靠性，縮減制造成本和產(chǎn)品尺寸，為手機(jī)、遙控器、個(gè)人導(dǎo)航系統(tǒng)等便攜設(shè)

工業(yè)控制
2009-12-29

傳感器意法半導(dǎo)體 ST 封裝
采用智能功率技術(shù)的熒光燈驅(qū)動(dòng)電路解決方案

編者按：在照明應(yīng)用電子變換器實(shí)現(xiàn)中，成本制約因素驅(qū)動(dòng)著技術(shù)的選擇。除下文要介紹的創(chuàng)新的縱向智能功率(VIPower)解決方案外，市場(chǎng)上還存在另外兩種不同的經(jīng)典方法。第一種方法是基于IC器件，與若干個(gè)外部無(wú)源器

顯示光電
2009-12-29

電路板驅(qū)動(dòng)電路熒光燈封裝
MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展

傳統(tǒng)的MEMS長(zhǎng)期依賴陶瓷封裝，雖然行之有效，但MEMS產(chǎn)業(yè)已經(jīng)醞釀向晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)轉(zhuǎn)變，而這一轉(zhuǎn)變的部分驅(qū)動(dòng)力則來(lái)自于越來(lái)越多的晶圓代工廠開(kāi)始涉足于MEMS領(lǐng)域。 “TSMC（臺(tái)灣新竹）和一些其他的晶圓代

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2009-12-26

晶圓代工晶圓 MEMS 封裝
DDR3將成主流，后段封測(cè)廠設(shè)備將跟著升級(jí)

全球最大美國(guó)消費(fèi)性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場(chǎng)，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計(jì)算機(jī)為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由

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2009-12-26

DRAM 測(cè)試機(jī) DDR3 封裝
DDR3時(shí)代來(lái)臨封測(cè)受惠最大

英特爾將在明年初美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國(guó)內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨

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2009-12-25

DRAM 處理器 DDR3 封裝
市場(chǎng)持續(xù)加溫　封測(cè)設(shè)備訂單暢旺

半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比連5月大于1，顯示設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)加溫，現(xiàn)階段尤以后端封測(cè)設(shè)備訂單最為暢旺，設(shè)備業(yè)者指出，封測(cè)廠目前產(chǎn)能吃緊，因此設(shè)備訂單下的急，甚至要求在1周內(nèi)交貨，讓設(shè)備廠從年初的裁員、休無(wú)薪假，到現(xiàn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-12-22

半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI RATIO 封裝
低噪聲放大器 MAX2657和MAX2658（Maxim）

Maxim推出兩款微型、可直接采用電池供電的LNA (低噪聲放大器) MAX2657和MAX2658，設(shè)計(jì)用于1575MHz頻段、帶有GPS功能的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。這兩款器件結(jié)合了Maxim創(chuàng)新的SiGe BiCMOS工藝和WLP (晶片級(jí)封裝)技術(shù)，噪聲系數(shù)僅為0.

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2009-12-17

低噪聲放大器線性 MAXIM 封裝
LED路燈照明現(xiàn)階段到底節(jié)能不節(jié)能？

往往談?wù)撘粋€(gè)問(wèn)題，都會(huì)站在自己的立場(chǎng)，自己辯論自己的觀點(diǎn)總會(huì)贏得上風(fēng)，這是常理?，F(xiàn)在有不少LED照明方面的辯論會(huì)，可以拿與會(huì)者“火爆”來(lái)形容。在辯論前我想大家都會(huì)知道誰(shuí)能勝出！原因很簡(jiǎn)單未來(lái)是LED并無(wú)懸念

顯示光電
2009-12-17

照明藍(lán)光 LED路燈封裝
博通釋利多臺(tái)積電日月光大補(bǔ)

網(wǎng)通芯片大廠博通（Broadcom）昨（16）日舉行分析師日（Analyst Day），不僅釋出看好明年半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣消息，也宣布完成40奈米手機(jī)媒體處理器的設(shè)計(jì)定案（tape-out）并開(kāi)始送樣，而臺(tái)積電（2330）是博通最主要的晶圓

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2009-12-17

博通臺(tái)積電封裝
類的封裝與繼承

1 從過(guò)程到對(duì)象——類概念的引入真實(shí)世界是由“對(duì)象”組成的，無(wú)論是動(dòng)物、植物、工廠還是機(jī)器等，都是根據(jù)它們的特征，細(xì)分出來(lái)的對(duì)象類別。盡管在軟件設(shè)計(jì)時(shí)，更多時(shí)候我們面對(duì)的是經(jīng)過(guò)高度抽象化的模型，

單片機(jī)
2009-12-14

函數(shù) 代碼 BSP 封裝

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封裝

韓中兩國(guó)成為封裝材料市場(chǎng)生力軍

擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實(shí)用化加速

日企持續(xù)主導(dǎo)封裝材料市場(chǎng) 中國(guó)大陸業(yè)者正掘起

集3軸加速度和雙軸陀螺儀于一個(gè)封裝，ST發(fā)布動(dòng)作傳感器

LED照明產(chǎn)業(yè)黎明前的黑暗

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝及應(yīng)用

京元電與記憶卡封裝廠群豐合作，提供Turn-key

封裝底板曲翹有望通過(guò)改進(jìn)得到解決

淡季不淡硅品12月?tīng)I(yíng)收微幅下滑2.5% Q4營(yíng)收季增0.5%

Vishay推出業(yè)界首款采用PB封裝的單列直插橋式整流器

單封裝整合傳感器（ST）

采用智能功率技術(shù)的熒光燈驅(qū)動(dòng)電路解決方案

MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展

DDR3將成主流，后段封測(cè)廠設(shè)備將跟著升級(jí)

DDR3時(shí)代來(lái)臨封測(cè)受惠最大

市場(chǎng)持續(xù)加溫　封測(cè)設(shè)備訂單暢旺

低噪聲放大器 MAX2657和MAX2658（Maxim）

LED路燈照明現(xiàn)階段到底節(jié)能不節(jié)能？

博通釋利多臺(tái)積電日月光大補(bǔ)

類的封裝與繼承

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