意法半導(dǎo)體宣布推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝,這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8×8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi),全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
封測(cè)廠4月營(yíng)收昨(10)日全數(shù)公布,但若由營(yíng)收月增減率比較,測(cè)試廠營(yíng)運(yùn)成績(jī)明顯優(yōu)于封裝廠。根據(jù)業(yè)者公告的營(yíng)收數(shù)據(jù),LCD驅(qū)動(dòng)IC廠頎邦(6147)因合并及漲價(jià)題材發(fā)酵,4月營(yíng)收月增率排名之冠外,其余月增率排名第2至
日本DISCO公司提出了一種方法,能使LED晶片的薄藍(lán)寶石襯底比現(xiàn)行制程使用更少的步驟。切割的膠帶固定在帶框(tape frame)上,而后將LED在藍(lán)寶石端向上粘著。由于并不是將LED轉(zhuǎn)移到獨(dú)立的框架上,藍(lán)寶石基板可不斷地
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣逐步復(fù)蘇,整合元件制造(IDM)大廠接單也同步增溫,由于過(guò)去采取「輕資產(chǎn)(asset-lite)」策略,不但沒(méi)有大增舉加產(chǎn)能,反而縮減產(chǎn)能,使得IDM廠近期有加速委外釋單,甚至傳出手機(jī)芯片大廠向代工廠要求包
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝,這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi),全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
全球第6大封測(cè)廠聯(lián)合科技(UTAC)董事長(zhǎng)李永松表示,目前訂單接不完,包括新加坡、大陸上海和泰國(guó)等地產(chǎn)能處于滿載局面,臺(tái)灣廠也達(dá)到高檔水位。根據(jù)客戶預(yù)估訂單,第3季訂單量仍將有增無(wú)減,為支應(yīng)下半年需求,全年資
晶圓代工產(chǎn)能擠爆,影響封測(cè)出貨,封測(cè)大廠日月光(2311)及硅品(2325)4月合并營(yíng)收表現(xiàn)低于預(yù)期。不過(guò),封測(cè)廠指出,晶圓代工產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象已松動(dòng),很快即能舒緩,第二季營(yíng)運(yùn)仍維持樂(lè)觀。 日月光稍早公布4月合并
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣逐步復(fù)蘇,整合元件制造(IDM)大廠接單也同步增溫,由于過(guò)去采取「輕資產(chǎn)(asset-lite)」策略,不但沒(méi)有大增舉加產(chǎn)能,反而縮減產(chǎn)能,使得IDM廠近期有加速委外釋單,甚至傳出手機(jī)芯片大廠向代工廠要求包
英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上,推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣翻揚(yáng),封測(cè)廠聯(lián)合科技再度展開收購(gòu)行動(dòng)擴(kuò)張,收購(gòu) ASAT中國(guó)大陸東莞封裝廠,董事長(zhǎng)李永松表示,今年集團(tuán)營(yíng)收可望一舉突破 10 億美元大關(guān)。 李永松指出,1999 年投產(chǎn)以來(lái),至今已并購(gòu) 4 家公司;目前
STRHoldinGS宣布,在馬來(lái)西亞Johor的太陽(yáng)能模組封裝廠區(qū)開始第二階段擴(kuò)建工程,將服務(wù)亞洲日益成長(zhǎng)的客戶。第二階段工程將促進(jìn)馬來(lái)西亞現(xiàn)有產(chǎn)量與倉(cāng)儲(chǔ)面積擴(kuò)大一倍。
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝,這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi),全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
封測(cè)大廠硅品(2325)昨(5)日公布4月營(yíng)收為51.01億元,較上月減少3%,主要原因在于硅品于4月19日將LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)及DRAM測(cè)試等,第一批設(shè)備移至南茂南科廠。 硅品昨日公告4月業(yè)績(jī),臺(tái)灣封測(cè)廠營(yíng)收達(dá)51.01億元,較
內(nèi)存封測(cè)龍頭力成(6239)昨(5)日公布4月營(yíng)收30.01億元,月增1.73%,改寫去年12月所創(chuàng)的29.98億元紀(jì)錄,再創(chuàng)歷史新高,顯示DRAM市況持續(xù)升溫,且第二季將淡季不淡。 經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)/提供另一封測(cè)大廠硅品(2325)4月營(yíng)
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代,平面柵極功率MOSFET
用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘9β势骷碾娏黩?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代,平面柵極功率MOSFET
致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布,推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102,使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS
封測(cè)雙雄競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)線從制程拉大到產(chǎn)能,硅品大舉增加銅打線封裝機(jī)臺(tái),苦追領(lǐng)先的日月光,雙方亦大拼產(chǎn)能,硅品不僅買下力晶廠房,彰化和美二廠亦將完工啟用,日月光昆山廠則將于5月投產(chǎn),高雄K12廠亦于同月動(dòng)工,并買下
封測(cè)雙雄日月光(2311)及硅品(2325)首季獲利不同調(diào),但法人仍看好兩家公司第二季營(yíng)收季增率可達(dá)一成至一成五,但在選股策略方面則是日月光將優(yōu)于硅品。 日月光日前公布首季每股稅后純益0.63元,優(yōu)于硅品的0.48