電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器,其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。
HT37F290提供16-pin NSOP以及28-pin SSOP兩種封裝類型,內(nèi)建64K×16 Flash 程序存儲器用來儲存程序/音色/音效等數(shù)據(jù),不需再外加存儲器。Audio Workshop開發(fā)平臺與開發(fā)板可協(xié)助客戶開發(fā)產(chǎn)品。
MCU是許多嵌入式子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元素,但實(shí)現(xiàn)必要的系統(tǒng)功能通常需要額外的功能。也許基于MCU的設(shè)計(jì)中最受限制的元素之一是片上存儲器。越來越多的應(yīng)用程序需要比MCU可用的系統(tǒng)內(nèi)存更多的系統(tǒng)內(nèi)存。特別是,先進(jìn)的人機(jī)界面(HMI)設(shè)計(jì)可能需要大量的只讀圖像和音頻信息,這些信息不容易存儲在MCU片上閃存中。此外,越來越多的應(yīng)用發(fā)現(xiàn)片上RAM過度限制了需要大量數(shù)據(jù)緩沖和存儲的高級通信通道。
9月21日-22日,GMIF2023全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇在深圳隆重召開。本次論壇以“探索·前行 共生·創(chuàng)贏”為主題,共設(shè)立存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇和存儲器行業(yè)生態(tài)論壇兩大論壇,論壇匯聚存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表企業(yè)及行業(yè)大咖,共同探討行業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)演進(jìn)、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展等熱點(diǎn)話題。
寄存器變量是計(jì)算機(jī)中一種重要的存儲方式,它使用CPU中的寄存器來存儲數(shù)據(jù)和指令。寄存器直接與CPU的運(yùn)算和控制部件相連,因此訪問速度非???,通常在一個(gè)CPU周期內(nèi)就能完成數(shù)據(jù)的讀寫操作。相比于內(nèi)存和硬盤等存儲設(shè)備,寄存器具有更高的讀寫速度和更小的體積,因此適用于臨時(shí)存儲需要頻繁訪問的關(guān)鍵數(shù)據(jù)和指令。本文將介紹寄存器變量的定義、作用和存儲種類。
寄存器和存儲器是計(jì)算機(jī)及其它電子設(shè)備中的兩種重要存儲組件,它們在存儲方式、存儲容量和訪問速度等方面存在明顯的差異。
IHWK采用Microchip的memBrain? 非易失性內(nèi)存計(jì)算技術(shù)并與高校合作,為神經(jīng)技術(shù)設(shè)備開發(fā) SoC 處理器
隨著信息時(shí)代的到來,數(shù)據(jù)存儲成為了一項(xiàng)基本需求。Flash存儲器成為了一種常見的存儲設(shè)備,用于存儲各種類型的數(shù)據(jù),如文檔、圖片、視頻等。本文將詳細(xì)介紹如何使用Flash存儲器以及如何寫入數(shù)據(jù),幫助讀者了解Flash存儲器的操作方法和注意事項(xiàng)。
隨著科技的不斷發(fā)展,F(xiàn)lash存儲器已經(jīng)成為存儲設(shè)備中最常用的一種類型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速讀寫等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和存儲芯片等。本文將介紹Flash存儲器的編程設(shè)計(jì)以及一些常見的解決方案,以幫助讀者更好地理解Flash存儲器的工作原理和應(yīng)用。
【2023年8月8日,德國慕尼黑訊】汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)(EDR)市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設(shè)備的需求,這些設(shè)備能夠即時(shí)捕獲關(guān)鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲數(shù)據(jù)長達(dá)數(shù)十年。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品,推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級串行F-RAM存儲器。
【2023年8月4日,德國慕尼黑和法國格勒諾布爾訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)和Teledyne e2v(NYSE代碼:TDY)聯(lián)合開發(fā)了一款計(jì)算密集型航天系統(tǒng)的參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)以采用英飛凌抗輻射加固64 MB SONOS NOR Flash存儲器的Teledyne e2v QLS1046-Space邊緣計(jì)算模塊為核心,可用于高性能太空處理應(yīng)用。該參考設(shè)計(jì)解決了太空工作中一直存在的兩個(gè)挑戰(zhàn)——重量和通信限制。通過減少計(jì)算系統(tǒng)中的元件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)邊緣AI計(jì)算,這一設(shè)計(jì)有助于減少延遲和突破通信限制。
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種具有高帶寬、低延遲和低功耗的半導(dǎo)體存儲設(shè)備。它利用靜電場來存儲數(shù)據(jù)。
存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。
德國慕尼黑及法國格林諾布爾 - Media OutReach - 2023年7月14日 - 英飛凌科技(法蘭克福證交所代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)和Teledyne e2v(紐交所代碼:TDY)為計(jì)算密集型太空系統(tǒng)開發(fā)了參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)以抗輻射的64兆字節(jié)英飛凌SONOS型NOR Flash存儲器配置的Teledyne e2v QLS1046-Space邊緣計(jì)算模塊為核心,可用于高性能的太空處理應(yīng)用。該參考設(shè)計(jì)解決了太空工作中一直存在的兩個(gè)挑戰(zhàn):重量和通信限制。該項(xiàng)設(shè)計(jì)減少了計(jì)算系統(tǒng)的元件數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了邊緣計(jì)算,有助于減少延遲和突破通信限制。
存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的組成部分,它們在存儲數(shù)據(jù)和執(zhí)行指令方面都發(fā)揮著重要的作用。在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存儲器通常分為主存儲器和輔助存儲器兩種類型。本文將詳細(xì)介紹存儲器和存儲器的不同之處以及它們在性能方面的差異。
NAND Flash存儲器是一種具有高速讀寫、高存儲密度和低功耗的存儲器技術(shù),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。在電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,基于NAND Flash存儲器的應(yīng)用可以提供可靠的數(shù)據(jù)存儲和高效的數(shù)據(jù)讀寫,為系統(tǒng)的性能和功能提供了良好的支持。本文將介紹如何基于NAND Flash存儲器實(shí)現(xiàn)電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
NAND Flash存儲器是一種非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等。它的高性能、高存儲密度和低功耗使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。本文將詳細(xì)介紹NAND Flash存儲器的工作原理及其應(yīng)用。
我們已經(jīng)知道了CPU如何通過總線進(jìn)行存儲器的讀寫,也知道地址總線的寬度決定了CPU的尋址空間,數(shù)據(jù)總線的寬度則決定了CPU的位數(shù)(單次能夠讀寫的數(shù)據(jù)量),而控制總線在一定程度上影響了訪存的速度(WR與RD為0的時(shí)間越短,訪存速度越快,當(dāng)然也要存儲器速度跟得上才行)。有了CPU和存儲器,以及連接它們的總線,這就足以構(gòu)成一個(gè)完整的、可正常運(yùn)行的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
Flash存儲器是一種非易失性存儲設(shè)備,常用于嵌入式設(shè)備、移動設(shè)備和計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。它具有高速讀寫、低功耗、機(jī)械抗振動和可靠性好等優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)代科技應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。本文將詳細(xì)介紹Flash存儲器的在線編程與數(shù)據(jù)寫入的過程。
隨著信息時(shí)代的快速發(fā)展,存儲器技術(shù)也不斷進(jìn)步。其中,F(xiàn)lash存儲器作為一種重要的存儲介質(zhì)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹Flash存儲器的應(yīng)用原理以及其常見的類型。