FIFO(First In, First Out)存儲(chǔ)器是一種常見的存儲(chǔ)器類型,它具有以下特點(diǎn),并在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。
隨著科技的不斷進(jìn)步,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器作為一種重要的存儲(chǔ)技術(shù)逐漸得到廣泛應(yīng)用。它的高速、穩(wěn)定和高密度的特點(diǎn),使得它在多個(gè)領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。本文將著重介紹Flash存儲(chǔ)器在電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)等多個(gè)方面的應(yīng)用。
Flash存儲(chǔ)器,也稱為閃存存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲(chǔ)技術(shù)。Flash存儲(chǔ)器的基本工作原理是通過多層存儲(chǔ)單元的電荷累積和流動(dòng)來存儲(chǔ)和擦除數(shù)據(jù)。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和一個(gè)電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當(dāng)需要修改某個(gè)存儲(chǔ)單元的值時(shí),F(xiàn)lash存儲(chǔ)器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。
寄存器是計(jì)算機(jī)中一種用于暫存數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)器,也是計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中的重要組成部分。它們通常被集成在中央處理器(CPU)內(nèi)部,用于存儲(chǔ)和處理指令執(zhí)行過程中的數(shù)據(jù)。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)中,存儲(chǔ)器(Memory)是一種用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)的設(shè)備或設(shè)備集合。它可以被看作是計(jì)算機(jī)的大腦,用于存儲(chǔ)和處理各種數(shù)據(jù)和指令。在計(jì)算機(jī)中,存儲(chǔ)器被分為主存儲(chǔ)器(Main Memory)和輔助存儲(chǔ)器(Secondary Storage)。主存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,用于保存當(dāng)前運(yùn)行的程序和相關(guān)數(shù)據(jù)。它的特點(diǎn)是數(shù)據(jù)讀寫速度較快,但容量有限。而輔助存儲(chǔ)器則用于長期存儲(chǔ)數(shù)據(jù),例如硬盤、光盤、磁帶等。輔助存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)是容量大,但讀寫速度相對(duì)較慢。
如果把CPU看作“帝都”,存儲(chǔ)器看作是“衛(wèi)城”,它們之間要互通往來,就必然要修建道路,而這條道路又可以不斷延伸分支,將很多城市串連起來。這樣,城市兩兩之間便均可通行。這條“道路”就是總線!如圖1.11所示。(這些被串連起來的“城市”就猶如振南后面要講到的“CPU外設(shè)”)。
51單片機(jī)的 RAM 分為兩個(gè)部分,一塊是片內(nèi) RAM,一塊是片外 RAM。標(biāo)準(zhǔn) 51 的片內(nèi) RAM 地址 從 0x00H~0x7F 共 128 個(gè)字節(jié),而現(xiàn)在我們用的 51 系列的單片機(jī)都是帶擴(kuò)展片內(nèi) RAM 的,即 RAM 是從 0x00~0xFF 共 256 個(gè)字節(jié)。片外 RAM 最大可以擴(kuò)展到 0x0000~0xFFFF 共 64K 字 節(jié)。這里有一點(diǎn)大家要明白,片內(nèi) RAM 和片外 RAM 的地址不是連起來的,片內(nèi)是從 0x00 開始, 片外也是從 0x0000 開始的。還有一點(diǎn),片內(nèi)和片外這兩個(gè)名詞來自于早期的 51 單片機(jī),分別指在 芯片內(nèi)部和芯片外部,但現(xiàn)在幾乎所有的 51 單片機(jī)芯片內(nèi)部都是集成了片外 RAM 的,而真正的芯 片外擴(kuò)展則很少用到了,雖然它還叫片外 RAM,但實(shí)際上它現(xiàn)在也是在單片機(jī)芯片內(nèi)部的.但是單片機(jī)的這 512 字節(jié)的 RAM在地位上并不都是平等的,而是分塊的,塊與塊之間在物理結(jié)構(gòu)和 用法上都是有區(qū)別的,因此我們?cè)谑褂玫臅r(shí)候,也要注意一些問題。
MCS-51單片機(jī)是美國INTE公司于1980年推出的產(chǎn)品,與MCS-48單片機(jī)相比,它的結(jié)構(gòu)更先進(jìn),功能更強(qiáng),在原來的基礎(chǔ)上增加了更多的電路單元和指令,指令數(shù)達(dá)111條,MCS-51單片機(jī)可以算是相當(dāng)成功的產(chǎn)品,一直到現(xiàn)在,MCS-51系列或其兼容的單片機(jī)仍是應(yīng)用的主流產(chǎn)品,各高校及專業(yè)學(xué)校的培訓(xùn)教材仍與MCS-51單片機(jī)作為代表進(jìn)行理論基礎(chǔ)學(xué)習(xí)。我們也以這一代表性的機(jī)型進(jìn)行系統(tǒng)的講解。
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)虛擬存儲(chǔ)器以及虛擬存儲(chǔ)器的特征予以介紹。
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4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司推出了FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)虛擬存儲(chǔ)器、虛擬存儲(chǔ)器對(duì)換技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)器限制予以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)高速緩沖存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器的作用、高速緩沖存儲(chǔ)器的特點(diǎn)予以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)存儲(chǔ)器以及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的諸多特點(diǎn)予以介紹。
【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳機(jī)和頭戴式耳機(jī)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以 25% 的年復(fù)合增長率提升,到 2024 年將超過 10 億個(gè)。
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)快閃存儲(chǔ)器予以介紹。
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為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)寄存器、存儲(chǔ)器、內(nèi)存的區(qū)別予以介紹。
簡單的來說,架構(gòu)對(duì)于CPU來說就像一座建筑的框架,作為CPU最基本卻也是最重要的部分。手機(jī)CPU構(gòu)架主要是基于ARM(高級(jí)精簡指令集機(jī)器Advanced RISC Machines)架構(gòu)設(shè)計(jì),而ARM用精簡指令系統(tǒng)(RISC),設(shè)計(jì)思想減少了大量CPU內(nèi)部的指令集,造成ARM CPU性能至今一直都達(dá)不到英特爾X86 CPU的水平。而電腦CPU采用的是X86、X64等架構(gòu),用復(fù)雜指令系統(tǒng)(CISC),最終結(jié)果是采用ARM架構(gòu)的CPU,運(yùn)算能力大大低于電腦CPU的運(yùn)算能力,同等頻率CPU浮點(diǎn)運(yùn)算能力相差在幾千到上萬倍。有人一定會(huì)說,那為什么手機(jī)CPU不也采用X86、X64等架構(gòu),這是因?yàn)槎ㄎ粏栴}決定的,手機(jī)的CPU必須滿足功耗低、廉價(jià),而X86、X64等架構(gòu)CPU確實(shí)無法滿足這一點(diǎn)。