半導(dǎo)體制造商國(guó)際協(xié)會(huì)SEMATECH和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)TSMC近日共同宣布TSMC將加入SEMATECH成為其核心成員。此次合作將關(guān)注于先進(jìn)技術(shù)的開發(fā),以應(yīng)對(duì)一些產(chǎn)業(yè)面臨的最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。TSMC Joins SEMATECH to Acceler
工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示,半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代,制程及電晶體將面臨物理上微縮極限,奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來取代矽晶材料的新材料,尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后,
工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示,半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代,制程及電晶體將面臨物理上微縮極限,奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來取代矽晶材料的新材料,尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后
“十二五”期間我國(guó)集成電路封測(cè)業(yè)將迎來又一個(gè)“黃金時(shí)期”,集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將進(jìn)一步得到優(yōu)化,半導(dǎo)體技術(shù)將主要沿著3個(gè)方向發(fā)展:一是延續(xù)摩爾定律,芯片特征尺寸不斷縮小,在未來10~15年繼續(xù)有效。二是超越摩爾
意法半導(dǎo)體成功展示引領(lǐng)全球的新一代智能功率技術(shù),這項(xiàng)新技術(shù)將大幅降低從醫(yī)療設(shè)備到混合動(dòng)力汽車充電器等各種電子系統(tǒng)的耗電量。 隨著全球市場(chǎng)對(duì)電子和電器設(shè)備日益增長(zhǎng)的需求,以及減少石化燃料發(fā)電的趨勢(shì),
經(jīng)歷了低谷與震蕩的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于重拾上升勢(shì)頭,2010年增長(zhǎng)高達(dá)30.6%。新市場(chǎng)與新應(yīng)用功不可沒,技術(shù)升級(jí)已見曙光。2011年3月13-14日,由SEMI、ECS和中國(guó)高科技專家組共同組織的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC)在上
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí),將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對(duì)于邏輯電路,STMicro的ThomasSkotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí),由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí),將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路,STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí),由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
從娛樂產(chǎn)品、通信設(shè)備、交通系統(tǒng),到節(jié)能應(yīng)用和醫(yī)療保健設(shè)備,在這些徹底改變我們的日常生活方式的全新應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體技術(shù)日益普及,并發(fā)揮著關(guān)鍵作用,這意味著半導(dǎo)體行業(yè)的成功較其它行業(yè)更依賴于半導(dǎo)體企業(yè)接
來自國(guó)外媒體的最新消息,IBM和ARM兩大科技巨頭近日計(jì)劃共同合作開發(fā)下一代14nm半導(dǎo)體技術(shù),該技術(shù)將主要應(yīng)用于移動(dòng)市場(chǎng),目前兩大公司已經(jīng)簽署了一系列的相關(guān)協(xié)議。據(jù)悉,IBM和ARM已經(jīng)就芯片技術(shù)的相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)簽署
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,IBM和ARM將合作開發(fā)高級(jí)14納米半導(dǎo)體技術(shù),希望在移動(dòng)電子產(chǎn)品市場(chǎng)大展拳腳。據(jù)悉,IBM與ARM已經(jīng)簽訂了一份協(xié)議,雙方將在一款優(yōu)化物理與處理器知識(shí)產(chǎn)權(quán)套裝上展開合作,相關(guān)技術(shù)應(yīng)該可以加快新一代
據(jù)路透社報(bào)道,IBM和三星電子周三宣布,他們將聯(lián)合開發(fā)新型半導(dǎo)體技術(shù),應(yīng)用于智能手機(jī)和其他新產(chǎn)品。兩家公司計(jì)劃研究新型芯片材料、改進(jìn)生產(chǎn)工藝和研究其他技術(shù),開發(fā)尺寸更小、更節(jié)能的半導(dǎo)體產(chǎn)品。 此舉到來之
IBM和三星電子周三宣布,他們將聯(lián)合開發(fā)新型半導(dǎo)體技術(shù),應(yīng)用于智能手機(jī)和其他新產(chǎn)品。兩家公司計(jì)劃研究新型芯片材料、改進(jìn)生產(chǎn)工藝和研究其他技術(shù),開發(fā)尺寸更小、更節(jié)能的半導(dǎo)體產(chǎn)品。此舉到來之時(shí),正值越來越多的
筆者日前參加了半導(dǎo)體電路技術(shù)國(guó)際會(huì)議“國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2011)”的會(huì)前東京發(fā)布會(huì))。ISSCC不愧被譽(yù)為“半導(dǎo)體奧林匹克”的會(huì)議,有很多有趣的發(fā)表。如果可能的話,筆者希望介紹全部?jī)?nèi)容,但本文只能簡(jiǎn)單介
本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上,IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來設(shè)備的現(xiàn)狀。下面
本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上,IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來設(shè)備的現(xiàn)狀。下面
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),針對(duì)日前日本經(jīng)濟(jì)新聞發(fā)布的全球性半導(dǎo)體3大龍頭三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)等相關(guān)新聞內(nèi)容,三星方面已鄭重否認(rèn)。日本經(jīng)濟(jì)新聞10月
“半導(dǎo)體創(chuàng)新是個(gè)過程,是個(gè)很長(zhǎng)的過程,是一個(gè)持續(xù)的過程,而不是一個(gè)事件。”美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)總裁George Scalise表示。“而且,半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)于研發(fā)的投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他行業(yè)。據(jù)統(tǒng)計(jì),17%的半導(dǎo)體
英特爾(Intel)在亞洲地區(qū)的第1座也是其在全球地區(qū)第8座12寸廠的大連廠將于2010年10月正式運(yùn)作,該廠投資額為25億美元。據(jù)悉,2007年3月26日英特爾與大連市政府正式簽約并開始籌建12寸廠,如今英特爾大連12寸廠擁有約
英特爾(Intel)在亞洲地區(qū)的第1座也是其在全球地區(qū)第8座12寸廠的大連廠將于2010年10月正式運(yùn)作,該廠投資額為25億美元。據(jù)悉,2007年3月26日英特爾與大連市政府正式簽約并開始籌建12寸廠,如今英特爾大連12寸廠擁有約