今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。隨著行業(yè)從內(nèi)燃機轉(zhuǎn)向電動汽車，采用可以提高效率并提供更遠距離和更快充電的新解決方案將為整個動力總成帶來好處，和設(shè)備制造商希望確保他們能夠獲得高質(zhì)量的 SiC 襯底來支持他們的客戶。此外，包括開關(guān)速度和成本在內(nèi)的技術(shù)優(yōu)勢仍然是重要的一點。此外，SiC的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計劃。有幾種方法可以改善 SiC 器件的供應(yīng)側(cè)。這些范圍包括使用更大直徑的單晶晶片擴大制造規(guī)模，提高性能、缺陷率和產(chǎn)量。所有這些改進一起工作可以幫助滿足對這些功率設(shè)備的預(yù)期需求的指數(shù)增長。

我們使用 SiC，比方說，從車載充電器開始，到 DC/DC，再到 AB 牽引。通常情況下，效率的提升是非常顯著的。因此，我們談?wù)撟疃?7% 的幾個單位和時間。但在故事的最后，特別是對于牽引力，它是關(guān)于范圍的。因此，如果我們開始比較基于 IGBP 的解決方案和基于 SiC 的解決方案，我們就能夠延長車輛的行駛里程。因此，我們每天在一級供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商中進行此練習(xí)，即使是 10%。當然，這取決于模型的能力。但現(xiàn)在 SiC 將提供高達 325、350 kW 的模型。節(jié)省的錢是巨大的。你看到兩個馬達。你可以看到每個機翼有一個電機。有時您甚至可以看到三個電機合二為一。當然，所有這些力量都需要最高效率;否則，這是一種巨大的能源浪費。

首先，讓我們分為兩類。一個是更多的市場需求，這當然會在最后產(chǎn)生價格。第二個更具技術(shù)性。因此，讓我們首先快速了解市場需求。顯然，今天討論的是無能力。所以所有的球員，六名球員，我們都在市場上。岳父沒有足夠的能力來滿足整個需求。這正在迅速改變。顯然，生產(chǎn)投資非常高。Onsemi去年正式宣布9%的投資，現(xiàn)在甚至要15%的投資，大部分投向SiC。有趣的是，即使這個數(shù)字在增長，投資者對我們的股票感到滿意，因為他們顯然相信這項投資是值得的，并且會為公司帶來收入和利潤。所以市場需求在某個時候會得到更好的滿足，在這個十年中期之后，我們肯定會看到這種意義上的改善。目前，稀缺顯然將價格推高了。

如果我們繼續(xù)技術(shù)方面，讓我們關(guān)注兩個要素。第一個是儀表，對，正如您所討論的那樣。我想聽聽我喜歡從一步到另一步需要多長時間，就像在硅中一樣。再一次，寬帶隙，你會看到這種加速非常寬。所以 200 毫米現(xiàn)在肯定在進行中，至少我可以談?wù)?onsemi。我們的首席執(zhí)行官已經(jīng)在股票分析師會議上宣布了這一點。我們將在 2025 年基本開始生產(chǎn)。我們已經(jīng)擁有 GT Advanced 在收購時已經(jīng)擁有的材料。現(xiàn)在當然，將其擴大到體積需要一些時間，因為挑戰(zhàn)仍然存在，對吧?我們談到了缺陷。缺陷有時會非常密集地進入晶圓的邊緣。所以當然，你不想擴大規(guī)模，然后發(fā)現(xiàn)你的產(chǎn)量有很多缺陷。那是不可持續(xù)的。所以收益率決定了價格，對嗎?

現(xiàn)在介紹第三點。我認為這也是定價的一個非常關(guān)鍵的因素。今天，我們都試圖產(chǎn)生至少中等產(chǎn)量，超過 70% 的產(chǎn)量是更好的數(shù)字，可能會有更好的數(shù)字。一切還取決于模具的尺寸。讓我們假設(shè)今天的 25 mm 2是一種市場標準，愿意進入我之前說過的那個領(lǐng)域。所以當你增加晶圓尺寸時，這個產(chǎn)量不應(yīng)該下降。實際上，八英寸的產(chǎn)量應(yīng)該差不多。因此，這是一項行動呼吁和一項挑戰(zhàn)。

我認為另一方面，讓我們也談?wù)劶夹g(shù)。所以幾年前誰開始做市場的基本上都是過去了，他們做的是平面的。Onsemi 也開始平面化。我們已經(jīng)跨越不同的位面世代發(fā)展。我們現(xiàn)在是第四代。平面提供了很多保護柵極結(jié)構(gòu)的可能性，因為這是它們可靠性的關(guān)鍵要素之一。SiC 具有非常高的能量密度，接近和高電壓密度。關(guān)閉您需要保護的大門。在溝槽結(jié)構(gòu)中做到這一點非常困難。那么影響是什么?其他競爭者已決定很快進入戰(zhàn)壕，但他們以活動面積為單位付出了代價。有源區(qū)是您用于傳導(dǎo)的 SiC 區(qū)域。當然，當你想支付 25-mm 2SiC，你想擁有幾乎 100%。假設(shè)一個現(xiàn)實的數(shù)字在 80% 到 90% 之間，甚至可能更高。而在過去用戰(zhàn)壕做到這一點幾乎是不可能的。所以如果你分析一些競爭芯片，你會發(fā)現(xiàn)一個非常低的活躍區(qū)域，今天可以做一些不同的事情，因為與此同時，該技術(shù)基本上可以實現(xiàn)溝槽的可能性。