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[導(dǎo)讀]瑞森半導(dǎo)體提供不同功率的碳化硅二極管助力太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)的發(fā)展

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用


一、前言

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用,甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻,這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。

二、碳化硅產(chǎn)品特點(diǎn)

碳化硅(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導(dǎo)率(Si的3.3倍)、高的臨界擊穿電場(chǎng)(Si的10倍)、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優(yōu)點(diǎn),這就使得碳化硅材料可以很好地適用于高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。高的熱導(dǎo)率有利于大功率器件的熱耗散和高密度集成,高的載流子飽和遷移速率可以使之應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)器件;高的臨界位移能使碳化硅器件的抗輻射性能優(yōu)于Si器件。

主要性能:

  • 極小的反向恢復(fù)電荷可降低開(kāi)關(guān)損耗;

  • 出色的熱管理可降低冷卻要求;

  • Vce(sat)正溫度系數(shù)易并聯(lián);

  • 低VF,高浪涌電流耐量;

  • 符合軍工民用考核標(biāo)準(zhǔn):GJB 7400-2011,器件參數(shù)一致性較好;

三、碳化硅在光伏逆變器的應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體,這主要?dú)w功于它能夠承受高電壓,比硅可使用的電壓高十倍?;谔蓟璧陌雽?dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗;從而碳化硅(SiC)二極管已經(jīng)進(jìn)入迅速擴(kuò)張的太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng),尤其是在歐洲已經(jīng)意識(shí)到了太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn),正在推動(dòng)商業(yè)和個(gè)人使用太陽(yáng)能,將太陽(yáng)光輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能的一種新型發(fā)電系統(tǒng),為了最大限度利用太陽(yáng)能,用碳化硅二極管的光伏逆變器更加具有較高的效率和可靠性。

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

四、光伏逆變器的拓?fù)渚€(xiàn)路

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

五、瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管產(chǎn)品推薦

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

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