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可同時(shí)驗(yàn)證功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)IC的免費(fèi)在線仿真工具 “ROHM Solution Simulator”新增熱分析功能
在電路解決方案中增加業(yè)內(nèi)先進(jìn)的熱電耦合在線分析功能，可對(duì)復(fù)雜的熱問(wèn)題進(jìn)行快速仿真
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SCHURTER (碩特) 推出具有低跳閘溫度的熱熔斷器
SCHURTER集團(tuán)于2018年推出了RTS過(guò)熱保護(hù)器，目前推出的最新型號(hào)在溫度超過(guò)175°C時(shí)就會(huì)引發(fā)跳閘。RTS是一種特別緊湊的過(guò)熱保護(hù)裝置，適用于采用SMD技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，可滿足最高要求。
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創(chuàng)新求變｜東芝成功將控制下一代功率半導(dǎo)體的高性能驅(qū)動(dòng)IC單芯片化
在控制下一代功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)IC方面，株式會(huì)社東芝（下稱“東芝”）成功實(shí)現(xiàn)了將模擬與數(shù)字高性能電路集成到單個(gè)芯片中*1。該混合IC能夠以2微秒甚至更短的超高速檢測(cè)功率半導(dǎo)體的電壓和電流狀態(tài)，發(fā)生短路等故障時(shí)，可迅速反應(yīng)，保護(hù)功率半導(dǎo)體免遭損壞。并且通過(guò)精細(xì)控制，可將功率半導(dǎo)體產(chǎn)生...
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EPC21601獲2021全球電子成就獎(jiǎng)-年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器
（全球TMT2021年11月13日訊）宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的eToF?激光驅(qū)動(dòng)器集成電路（EPC21601）在2021全球電子成就獎(jiǎng)（WEAA）評(píng)選中，榮獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)。eToF?激光驅(qū)動(dòng)器集成電路（EPC21601）在單個(gè)芯片上...
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EPC21601榮獲2021全球電子成就獎(jiǎng)-年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器
北京2021年11月12日 /美通社/ -- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN®）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商，其eToF?激光驅(qū)動(dòng)器集成電路（EPC21601）在2021全球電子成就獎(jiǎng)（WEAA）評(píng)選中，榮獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器...
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Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
中國(guó) 北京，2021年11月4日——移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今天宣布，已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對(duì)UnitedSiC的收購(gòu)擴(kuò)大了Qorvo在快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品(IDP)業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorvo功率器件解決方案事業(yè)部總經(jīng)理。
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納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易
·新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者將“Electrify Our World?” ·納微首席執(zhí)行官在公司創(chuàng)立僅 7 年后敲響了納斯達(dá)克開(kāi)市鐘（股票代碼NVTS） ·超過(guò) 10 億美元的企業(yè)價(jià)值以及超過(guò) 3.2 億美元的合并總收益將推動(dòng)納微向新市場(chǎng)擴(kuò)張
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賀利氏在PCIM Asia 2021展會(huì)上展出功率電子封裝解決方案
(中國(guó)深圳，2021年9月9日)賀利氏電子在PCIM Asia 2021展會(huì)上展示其最新的功率電子封裝解決方案，助力半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和開(kāi)關(guān)頻率。
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功率半導(dǎo)體供貨最長(zhǎng)達(dá)69周?國(guó)產(chǎn)替代加速
自去年下半年以來(lái)，全球晶圓代工產(chǎn)能出現(xiàn)了持續(xù)的緊缺，特別是8吋晶圓制造產(chǎn)能尤為緊缺。由于功率半導(dǎo)體主要依賴于8英寸晶圓制造產(chǎn)能，再加上電動(dòng)汽車出貨的持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)于功率半導(dǎo)體器件的需求激增，導(dǎo)致功率半導(dǎo)體出現(xiàn)了嚴(yán)重的缺貨、價(jià)格暴漲。與此同時(shí)，今年3月，日本瑞薩那珂晶圓廠失火導(dǎo)致數(shù)月...
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功率半導(dǎo)體掀新一輪漲價(jià)潮：預(yù)計(jì)漲幅12%
據(jù)媒體報(bào)道，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價(jià)，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計(jì)本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導(dǎo)體廠商也在近期發(fā)布了漲價(jià)通知。
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消除過(guò)電流現(xiàn)象：儒卓力提供Littlefuse PSR系列高速熔斷器
為功率半導(dǎo)體組件提供最佳保護(hù)：由于電子元件持續(xù)小型化且功率同時(shí)提高，功率半導(dǎo)體對(duì)于過(guò)電流情況和電壓脈沖變得更加敏感。
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缺芯？那就造芯！華潤(rùn)微電子多措并舉應(yīng)對(duì)“全球芯片短缺”
目前全球普遍面臨芯片緊缺問(wèn)題，自2020年下半年，多維需求齊發(fā)力，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)景氣周期。一方面由于國(guó)際形勢(shì)變化，國(guó)產(chǎn)替代加速;另一方面疫情之下人們工作生活方式改變，增加了對(duì)電子整機(jī)產(chǎn)品的需求，且目前5G、IoT、新能源汽車、宅經(jīng)濟(jì)等多重需求拉動(dòng)，綜合因素導(dǎo)致對(duì)芯片需求增加。
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預(yù)增！揚(yáng)杰科技：預(yù)計(jì)2021年第一季度凈利潤(rùn)約1.22億元~1.39億元，同比增長(zhǎng)120%~150%
揚(yáng)杰科技3月11日晚間發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)2021年第一季度歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約1.22億元~1.39億元，同比增長(zhǎng)120%~150%;業(yè)績(jī)變動(dòng)主要原因是，2020年受疫情影響，一季度復(fù)工率低。2021年經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代加速，產(chǎn)銷兩旺，產(chǎn)能利用率提升。公司前幾年在研發(fā)上的大力投入逐步釋放效益，新產(chǎn)品的業(yè)績(jī)突出，MOS、小信號(hào)、IGBT及模塊等產(chǎn)品的業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)都在100%以上，環(huán)比亦有增長(zhǎng);國(guó)家對(duì)新能源產(chǎn)業(yè)出臺(tái)利好政策，公司搶抓機(jī)遇，積極擴(kuò)大市場(chǎng)份額，配套產(chǎn)品的業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)在100%以上。
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什么是半導(dǎo)體封裝?功率半導(dǎo)體的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些?
本文中，小編將對(duì)半導(dǎo)體封裝以及功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)缺點(diǎn)予以介紹。
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Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
通過(guò)新投資支持全球戰(zhàn)略，滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù)
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電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。
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SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來(lái)，應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。
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碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)？適合哪些應(yīng)用？
文章來(lái)源：電子技術(shù)設(shè)計(jì)作者：廖均電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。據(jù)總部位于法國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)YoleDéveloppement估計(jì)，到2025年SiC器件...
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基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體，未來(lái)將推動(dòng)電子封裝集成和應(yīng)用
在新世紀(jì)伊始，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)已經(jīng)達(dá)到了足夠的成熟度，并獲得了足夠的吸引力，將其他潛在的替代品拋在腦后，引起全球工業(yè)制造商的足夠重視。
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至2021年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模超410億美元
Strategy AnalyTIcs汽車電子服務(wù)（AES）發(fā)布最新研究報(bào)告《汽車電子半導(dǎo)體需求預(yù)測(cè)：2012-2021》預(yù)測(cè)，汽車行業(yè)關(guān)鍵的主題“更環(huán)保、更安全、更好的連接性&r
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